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3-D堆叠技术
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2013-09-18 TSV制程技术使模拟芯片迈向3D堆叠架构
类比积体电路设计也将进入三维晶片(3D IC)时代。在数位晶片开发商成功量产3D IC方案后,类比晶片公司也积极建置类比3D IC生产线,期透过矽穿孔(TSV)与立体堆叠技术,在单一封装内整合采用不同制程生产的异质类比元件,以提升包括电源晶片、感测器与无线射频(RF)等各种类比方案效能。
2011-05-03 6大半导体公司加入3DIC芯片堆叠技术项目
包括ASE(AdvancedSemiconductorEngineering),Altera,ADI(AnalogDevices),LSI,安森美以及高通公司在内的6家半导体公司现已加入了3DIC芯片堆叠技术启动项目,该消息是由美国半导体制造技术联盟(Sematech)于日前所公布。
2011-04-12 (多图) 浅谈3D芯片堆叠技术现状
尽管最近几年以TSV穿硅互联为代表的3D芯片技术在各媒体上的出镜率极高,但许多人都怀疑这种技术到底有没有可能付诸实用,而且这项技术的实际发展速度也相对缓慢,目前很大程度上仍停留在“纸上谈兵”的阶段。不过,许多芯片制造商仍在竭力推进基于TSV的3D芯片技术的发展并为其投入研发资金
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