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大功率IGBT
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2015-09-23 电动汽车逆变器用IGBT驱动电源设计研究
介绍一种分布式驱动电源设计,以英飞凌汽车级IGBT模块HybridPACK2为适配目标,采用常见的非专用芯片进行电路设计,前级SEPIC电路实现闭环,后级半桥电路实现隔离。给出设计原理图,核心器件计算选取,以及测试结果。该驱动电源具有低成本低噪声的优点,其核心电路广泛适用于100kW以上的大功率新能源乘用车逆变器的IGBT驱动。
2015-06-11 常用的功率半导体器件汇总
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件,其中晶闸管为半控型器件,承受电压和电流容量在所有器件中最高;电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可靠;还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR为电流驱动型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。
2014-06-11 大功率半导体国产化"三部曲"
五月初,我国首条8英寸IGBT芯片生产线在株洲正式投产。IGBT,学名绝缘栅双极晶体管,是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统,其地位相当于计算机世界中的“CPU”。
2014-02-17 (多图) 用于混合动力和纯电动汽车的IGBT大功率电子系统建模
我们可以根据相关数据手册用Saber Model Architect建立IGBT模块的静态和动态行为的模型。可以用扫描工具将曲线输入Saber,同时调整定位点以匹配曲线。关键要求是表征IGBT的动态行为。通过调整关键参数可以使模型用于不同的电路设计,从而极大地推进产品开发过程。
2013-11-25 智能功率模块的光隔离设计
微控制器和FPGA对IGBT和IPM等大功率开关设备产生的噪声非常敏感,需要把产生很多噪声的IPM传动系统与敏感的控制电路进行电隔离,这种应用恰好是通常被称为IPM驱动的一类高速光耦的理想应用。
2013-08-20 Microsemi推出新一代大功率、高性能650V NPT IGBT
美高森美为工业应用推出了新一代大功率、高性能650V NPT IGBT,快速高效的40A、70A和95A晶体管提供业界最佳的开关损耗性能.
2013-04-07 美高森美为NPT IGBT产品系列增添多款新器件
美高森美为NPT IGBT产品系列增添多款新器件,全新25A、50A和 70A IGBT器件设计用于大功率、高性能的工业应用.
2012-11-09 (多图) IGBT大功率斩波中问题的应用
斩波是电力电子控制中的一项变流技术,其实质是直流控制的脉宽调制,因其波形如同斩切般整齐、对称,故名斩波。IGBT是最适合斩波应用的器件,而且技术极为简单,几乎IGBT器件本身就构成了斩波电路。
2012-09-12 Microsemi扩展NPT IGBT产品系列
致力于能源、安全、可靠性与高性能领域,半导体供应商美高森美公司宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through,NPT)系列的三款IGBT新产品面世:APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J.该产品系列的所有器件均基于美高森美的先进Power MOS 8 技术,与竞争解决方案相比,总体开关和导通损耗显著降低20%或更多。这些IGBT器件设计用于大功率的高性能开关模式产品,比如电焊机、太阳能逆变器和不间断开关电源。
2012-02-16 (多图) 大功率变流器系统H桥低感叠层母线排设计
大功率变流器正在被越来越广泛的应用,其所使用的igbt越来越短的开关时间导致了过高的dv/dt和di/dt,这就导致了分布杂散电感对功率器件关断特性有更重要的影响。叠层母排技术可以有效抑制igbt的过电压尖峰。
2011-12-20 基于IGBT器件的大功率DC/DC电源并联技术研究
本文基于IGBT器件,利用DC/DC电源并联技术设计大功率直流电源。该电源可用作EAST托卡马克装置中的大功率垂直位移快速控制直流电源。对该电源装置进行了仿真和实验,获得了较为满意的动静态性能。
2011-06-04 (多图) IGBT驱动芯片IXDN404应用及改进
介绍了IXYS公司大功率IGBT驱动芯片IXDN404的特点及性能,并在此基础上,根据IGBT驱动的实际要求,设计出了一种具有过流保护及慢关断功能的简单有效的驱动电路,给出了实际电路图和驱动波形。
2011-03-03 PCIM展会研讨会阐述IGBT在新能源汽车中的核心应用
据悉,我国已成为全球最大的大功率半导体器件消费市场,IGBT作为核心器件在新能源交通中得到了极为广泛的应用。英飞凌全新子公司北京集成电路公司已落户北京经济技术开发区,将为中国电动汽车、高铁列车和风力发电机等提供智能芯片。
2010-12-01 扩大电子商务安富利业绩创新高
今年3月份,安富利以5.94亿美元收购了美国Bell Microproducts公司,以加强在数据存储及其它计算机产品领域的优势;5月份,安富利收购日本Unidux公司,这一收购将使安富利在日本的业务迅速扩大3倍;10月份,安富利收购了中国的裕能达电气有限公司,后者业务规模并不算大,年营收不过2500万美元,但却是英飞凌IGBT模块和CONCEPT中、大功率IGBT驱动板的一级分销商,通过这一收购,安富利将扩大其在新能源高端电力电子元器件市场,如新兴的电动车、风力发电等工业应用中的份额。
2010-08-29 增加功率比和占空比的隔离FET脉冲驱动器
当电路需要大功率时,设计者通常会将功率晶体管并联,这增加了输入电容。当你需要并联使用IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块时,最好能共用栅极驱动,因为采用不同的驱动电路时,会给导通和关断时间带来额外的变化,使各个电源模块之间可能产生不平衡问题。
2010-04-30 英飞凌展示低成本8位MCU和高可靠大功率IGBT
英飞凌科技在其经济高效并可扩展的XC800微控制器(MCU)技术平台上推出两个全新器件系列——XC82x 和XC83x,经过专门设计可进一步降低系统成本并改进多种工业产品能效。
2009-08-04 (多图) IGBT在客车DC 600V系统逆变器中的应用与保护
IGBT大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。
2009-05-23 (多图) 适用于风力发电机的可靠电力电子器件
单个IGBT摸块难以满足风力发电所需的大功率器件要求。本文阐述了采用串并联的方法提高耐压和扩大容量以满足风力发电机驱动器和大功率逆变器的要求,并对用于中压风力发电机驱动器和逆变器的IGBT摸块进行了分析,利用串并联IGBT摸块可得到更高的输出功率和效率。
2009-04-27 (多图) 适用于风力发电机的可靠电力电子器件
单个IGBT摸块难以满足风力发电所需的大功率器件要求。本文阐述了采用串并联的方法提高耐压和扩大容量以满足风力发电机驱动器和大功率逆变器的要求,并对用于中压风力发电机驱动器和逆变器的IGBT摸块进行了分析,利用串并联IGBT摸块可得到更高的输出功率和效率。
2009-03-31 隔离式MOSFET驱动器集成电路的功率效率在轻负载时得到改善
许多现代功率MOSFET在5V时达到导通电阻的低值,甚至在栅极到源极电压为5V的情况下也可达到。然而,对于大功率MOSFET,特别是绝缘栅极双极晶体管(IGBT),工程师更希望栅极到源极电压为12V至15V,因为这些电源开关的导通电阻在高栅极到源极电压情况下会进一步降低。
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