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45/40纳米
本专题为EDN China电子技术设计网的45/40纳米专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与45/40纳米相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
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2011-11-30 ChipEstimate.com和中芯国际推出SMIC专属兼容内核IP门户网站
ChipEstimate.com,与中国内地最大最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际集成电路制造有限公司(“中芯国际”),日前宣布,推出一个新的中芯国际专属知识产权(IP)门户网站,这个门户网站汇集了与中芯国际工艺兼容的第三方 IP 内核。此门户网站包含来自20多个 IP 供应商提供的超过500件、并在不断增加的 IP 列表,包括新思科技、Kilopass 公司、Dolphin 集成、芯原等 -- 所有设计均可用于中芯国际0.25微米到65/55纳米45/40纳米工艺制造。该网站使 IP 供应商和系统集成商皆可有效利用中芯国际的 IP 生态系统。
2011-02-18 中芯国际截至2010年12月31日止三个月业绩公布
中芯国际在2010年实现了盈利,65纳米制程成功起量迄今,运营和客户关系亦得到改善。从长期来看,中芯国际将继续致力于可持续性的盈利。从近期来讲,65/55纳米技术将会继续上量,并在2011年底前实现45/40纳米技术的量产。
2010-06-03 Global Foundries加码投资 明年40纳米战场更火热
全球晶圆(Global Foundries)加入晶圆代工战局后动作频频,不仅合并特许半导体,并大幅扩产,更积极布局先进制程,挑战台积电与联电,市场预期,Global Foundries此次扩充德国厂45/40纳米产能后,加上联电40纳米制程良率提升,以及领先在前头的台积电,将使得2011年40纳米战场更为火热。
2010-05-13 光刻设备交货延期推迟DRAM 40纳米战局
全球DRAM产业40纳米大战出现变量,由于浸润式机台(Immersion Scanner)递延交货之故,瑞晶已松口表示,原本计划年底前旗下8万片12寸晶圆产能要全转进45纳米制程的目标,将正式递延至2011年第1季.
2010-03-08 中芯国际:力争在2010年实现45纳米小批量试产
2010年,中芯国际将加强65纳米的嵌入式工艺平台和32纳米关键模块的研发;同时力争实现45纳米40纳米技术的小批量试产。
2010-02-03 40纳米成DRAM厂流行口号
期DRAM厂掀起一股40纳米热潮,这一切都要从尔必达(Elpida)说起。因为尔必达2009年没钱转进50纳米技术制程后,最后决定跳过50纳米,直接转进45纳米,这下刺激了美光(Micron)阵营,南亚科和华亚科近期宣布42纳米制程提前1季导入,让整个DRAM产业在50纳米都还没看到影子时,又冒出一堆40纳米的话题,但40纳米能为DRAM产业贡献多少?
2010-01-25 美光、尔必达提前导入40纳米 4大DRAM阵营火药味浓
2010年4大DRAM阵营三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代!继尔必达跳过50纳米制程,大举转换至45纳米后,美光阵营也不甘示弱宣布年中将同步转42纳米。
2009-10-15 中芯国际将45纳米工艺延伸至40纳米及55纳米
中芯国际(NYSE:SMI)日前宣布其45纳米的互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术将延伸至40纳米以及55纳米。
2009-09-30 搭上IBM快车 中芯45纳米Q4投产
台积电40/45纳米制程近日传出好消息,对岸的晶圆代工厂中芯国际也紧跟在后! 中芯国际表示,45纳米搭上IBM技术阵营的共通平台 (Common Platform),进展也将愈追愈快,预计2009年底将正式投产(Tape-out),2010年放量生产。
2009-08-11 凌华科技推出6U CompactPCI宽温级单板电脑
日前,凌华科技推出6U CompactPCI单板计算机cPCI-6880,支持英特尔45纳米Core2 Duo T9400处理器,拥有2.56GHz处理速度、6MB L2高速缓存及高达1066MHz的前端总线,配合优异的处理器省电设计,cPCI-6880平均的工作功耗在40瓦特以内。
2009-04-03 台积电为提升45纳米以下制程产能进行采购
据国外媒体报道,台积电今日表示,虽然尚未公布今年的资本支出计划,但仍将持续进行设备采购,并以提升4540纳米的先进制程产能为主。
2009-03-02 AMD对CPU超频不设限 拟开放至所有产品线
2月27日下午,AMD在北京正式发布45纳米羿龙II桌面处理器,与上一代65纳米羿龙处理器相比,其性能提高达20%,运行时功耗降低40%,空载时功耗降低达50%。
2009-01-19 低功耗、DFM及高速接口是65纳米设计重点
近两年,国际上大的半导体公司都推出了65纳米产品,并开始了45纳米/40纳米产品的研发,而国内也已经有五六家企业开始了65纳米的设计。但总体来说,65纳米/40纳米设计目前仍然还是一个新生事物,企业要解决一系列的技术难题。
2008-10-30 低功耗、DFM及高速接口是65/40纳米设计重点
近两年,国际上大的半导体公司都推出了65纳米产品,并开始了45纳米/40纳米产品的研发,而国内也已经有五六家企业开始了65纳米的设计。但总体来说,65纳米/40纳米设计目前仍然还是一个新生事物,企业要解决一系列的技术难题。为此,我们邀请FPGA企业、EDA企业、IP企业、芯片制造企业共同探讨新工艺技术的研发关键点。
2008-10-06 特许半导体计划推出28纳米制程技术
为了取得在晶圆代工市场上的领先地位,新加坡特许半导体(Chartered)公布了公司的全新发展蓝图,其中包括可能于明年开发出28纳米制程。特许已发表了45纳米制程,并已经开始提供服务,现在该公司大胆地向竞争者宣战,并已着手开发名为「4G」的40纳米半节点(half node)制程。
2008-10-06 中芯明年投产45纳米芯片 拟从IBM许可32纳米
近日消息,中国芯片制造商中芯国际公布了该公司的生产工艺计划。中芯国际计划明年投产4540纳米工艺的芯片。
2006-06-13 TI发布45纳米半导体制造工艺细节 性能提高30
德州仪器 (TI) 发布了45纳米(nm)半导体制造工艺的细节,该工艺采用湿法光刻技术,可使每个硅片的芯片产出数量提高一倍,从而提高了工艺性能并降低了功耗。通过采用多种专有技术,TI将集成数百万晶体管的片上系统处理器的功能提升到新的水平,使性能提高30%,并同时降低40%的功耗。
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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