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硅MOSFET
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2015-02-15 氮化镓(GaN)技术将带给我们怎样未来?
氮化镓场效应晶体管(FET)可以分立晶体管和单片半桥的形式来供应,其性能要比目前最好的商用MOSFET好10倍。但是,当许多设备被整合在一起来开发系统单芯片时,会发生什么事呢?而当这种芯片的性能要比硅芯片好上100倍时,又会发生什么事呢?
2014-06-27 宜普电源转换公司的氮化镓技术荣获电子技术设计杂志十周年创新技术优秀奖
作为MOSFET器件的替代技术,宜普电源转换公司的增强型氮化镓(eGaN)功率晶体管技术荣获业界著名杂志颁发创新技术优秀奖.
2013-03-04 向前迈进 eGaN FET全新市场及应用分析
他们尝试利用具备更高击穿电压及更高效电源转换性能的氮化镓晶体管来替代MOSFET器件,其目标是开发出可以在严峻环境下工作并具备更高性能的电子器件。宜普电源转换公司(EPC)于2010年为电源转换市场开发出了第一代增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。
2012-08-06 (多图) 氮化镓晶体管封装的先进性和热建模分析
随着过去几年低压MOSFET性能的不断改善,缺乏高性能封装已经成为一个主要因素,使器件性能受限,这激励了业界开发出像DirectFET及PolarPAK的创新封装。那么高性能封装主要的要求是什么?而什么样的封装才是“理想”封装?
2011-08-18 安森美半导体推出带开关控制器的电流镜:CAT2300
应用于高能效电子产品的首要高性能方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出带开关控制器的电流镜CAT2300,将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET功率MOSFET器件结合使用,能提供紧凑、高能效的电流监控方案。
2011-07-31 提供低损耗大功率的MOSFET
功率二极管的PN结通常有大约1.2V的压降。这个压降使得功率二极管上消耗了相当的能量,从而造成电源效率的损失。对于一个有120W电源和24V标称电压的太阳能板,一个防止回流的二极管可能产生6W功率损失,或相当于受控能量的5%。此外,为二极管散热而开发一个冷却系统的成本也可能产生问题。
2010-09-29 (多图) 功率MOSFET在电源转换领域的发展已经走到尽头了吗?
在过去三十多年中,随着我们日常生活对电能需求的不断增加,功率MOSFET结构、技术和电路拓扑也紧跟着不断创新,电源管理效率和成本随之得到了稳步改善。然而在最近几年,随着功率MOSFET逐渐接近其理论极限,这种改善速度在不断减缓。
2010-09-29 EPC的eGaN要替代MOSFET和IGBT
EPC称,其率先推出的商用增强型(enhancement-mode)硅基板氮化镓(GaN-on-Silicon)功率晶体管器件,产品性能高于传统功率MOSFET数倍,可适用于服务器、基站、笔记本电脑、手机、LCD显示器、D类功率放大器等。
2010-01-22 针对应用选择正确的MOSFET驱动器
目前,现有的MOSFET技术和工艺种类繁多,这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。
2009-09-24 (多图) 基于SG3525的DC/DC直流变换器的研究
随着电能变换技术的发展,功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用。为此,美国通用半导体公司推出了SG3525,以用于驱动N沟道功率MOSFET。
2009-03-05 Alpha & Omega Semiconductor 推出绿色电源技术新产品
Alpha & Omega Semiconductor, Inc.(AOS)宣布推出新的和封装技术, 旨在为电源设计者提供绿色的解决方案。 这些产品将为 AOS 的产品组合添加高性能的低压 (30V)、 中压 (100V) 和高压 (650V) MOSFET
2006-09-06 双通道高速光电隔离MOSFET
Avago推出一对双通道高速光电隔离MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)输出固态继电器(SSRs),可在-40℃~+85℃的工业温度范围内保持优异的性能。
2006-07-25 Avago推出在-40C到+85C的温度范围内保持优异性能的继电器
Avago宣布,推出一对双通道高速光电隔离MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)输出固态继电器(SSRs),可在-40?C到+85?C的工业温度范围内保持优异的性能。
2006-01-08 计算机仿真技术在逆变焊接电源中的应用
焊接电源的制造已有一百多年的发展历史,进入20世纪60年代之后,整流元件、大功率晶体管(GTR)、场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)等器件的相继出现,集成电路技术和控制技术的发展,为电子焊接电源的发展提供了更广阔的空间,其中最引人注目的是逆变焊接电源。
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