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射频功率放大器
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2015-02-09 同轴变换器原理及射频功率放大器宽带匹配设计
多倍频程功率放大器具有显著的优点,同轴电缆阻抗变换器能实现射频功率放大器有效的宽带匹配。在给出同轴电缆阻抗变换器方案设计的基础上,详细介绍了其基本原理以及1:1和1:4同轴变换器的具体结构及等效电路。针对工程需要,以同轴电缆阻抗变换器为宽带匹配网络的核心,设计了一款超宽带匹配功率放大器,经软件仿真优化及测试验证,阻抗匹配准确,测试结果达到了技术指标要求。
2014-01-26 (多图) 基于负载牵引技术的射频功率放大器设计
描述了基于负载牵引技术的5.2-GHzWLAN的功率放大器的设计方法,采用CMOS工艺设计了放大电路,接着对该放大电路进行负载牵引,在此基础上设计输进输出匹配网络,最后使用ADS软件进行整体仿真,得到了满足系统指标要求的功率放大器。
2013-07-10 认识射频功率放大器
本文主要介绍发射系统中的射频功率放大器的功能、分类、性能指标和电路组成等相关知识。
2012-12-12 安捷伦发布最新ADS软件
安捷伦发布最新ADS软件,为单工艺及多工艺技术射频功率放大器设计发展再添新动力
2012-09-25 NI PXI缩短射频功率放大器的特征化时间
我们使用NI PXI和LabVIEW减小特征化系统的尺寸、成本和功率消耗,并缩短总特征化时间。
2012-07-11 英飞凌推出高功率密度和高可靠性的射频功率LDMOS晶体管
英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。
2012-05-15 使用NI PXI和LabVIEW缩短射频功率放大器的特征化时间
我们使用NI PXI和LabVIEW减小特征化系统的尺寸、成本和功率消耗,并缩短总特征化时间。我们使用NI PXI,能够将新组件的特征化时间从两周缩短为大约一天。
2011-10-25 NI发布基于PXI平台的射频功率放大器测试解决方案
美国国家仪器有限公司(National Instruments,简称NI)近日在英国曼彻斯特的欧洲微波展上发布了完整的基于PXI平台的解决方案,用于RF功率放大器(PA)验证和生产测试。
2011-09-02 (多图) 基于ADS的功率放大器设计与仿真
为了使射频功率放大器输出一定的功率给负载,采用一种负载牵引和源牵引相结合的方法进行功率放大器的设计。通过ADS软件对其稳定性、输入/输出匹配、输出功率进行仿真,并给出清晰的设计步骤。最后结合设计方法给出一个中心频率为2.6 GHz、输出功率为6.5 W的功率放大器的设计及优化实例和仿真结果。
2011-08-19 2015年基站射频功率设备市场收入近10亿美元
市场分析公司Strategy Analytics公布的最新报告称,移动数据消费和下一代无线网络的部署正在不断推升每年蜂窝基站的部建数量和功率放大器的出货量,预计射频功率放大器设备2015年的收入将增至近10亿美元。
2011-03-28 TriQuint Semiconductor使用NI PXI和LabVIEW缩短射频功率放大器的特征化时间
在不牺牲测量精度或提高设备成本的情况下,缩短对日益复杂的无线功率放大器(PA)的特征化时间。使用NI LabVIEW软件和NI PXI模块化仪器开发功率放大器特征化系统,让我们在减小资产设备成本、功率消耗和物理空间的同时,将测试吞吐量提高了10倍。
2011-02-28 3G CMOS功率放大器提升移动设备可靠性和数据传输率
Black Sand是业内第一家做3G CMOS射频功率放大器(PA)的公司,前不久,该公司推出了两条新的3G CMOS射频功率放大器(PA)产品线(BST34和BST35系列),它们可显著提升各种手机、平板电脑和数据卡的可靠性和数据传输量并降低成本。
2011-02-25 富士通推出6MHz升降压DCDC转换器芯片
升降压DCDC转换器芯片-MB39C326主要应用于射频功率放大器,工作频率为6MHz,可谓行业领先。该芯片以6MHz的较高频率工作时,可以大幅减少电源部分的贴装面积(仅为现存产品的一半。)
2011-01-21 BLACK SAND TECHNOLOGIES推出首个3G CMOS功率放大器
专长于无线应用领域先进功率放大器技术的无晶圆厂半导体公司Black Sand科技有限公司日前宣布:公司已推出两条新的3G CMOS射频功率放大器(PA)产品线,它们显著地提升各种手机、平板电脑和数据卡的可靠性和数据传输量。该产品系列包括6个特别的、覆盖多个频段的功率放大器。
2010-12-18 (多图) 基于单个功放的双频段RF前端设计
本文提出一种新颖的射频功率放大器电路结构,使用一个射频功率放大器实现GSM/DCS双频段功率放大功能,锐迪科的RDA6218就是采用这种结构。
2010-09-29 超高频(UHF)射频功率晶体管发布
恩智浦50V高压LDMOS工艺技术和先进的热管理概念为BLF888A带来了卓越的性能表现,实现了前所未有的功率密度和0.15K/W超低热阻新突破。借助BLF888A晶体管,广播设备制造商可以对现有以及新装的发射机系统实施优化,提高产品性能,降低总拥有成本。此外,BLF888A与BLF881驱动器晶体管优化整合可以满足全系列功率放大器产品需求。
2010-08-18 (多图) 利用单个功率放大器实现GSM/DCS双频段RF前端模块设计
本文提出一种新颖的射频功率放大器电路结构,使用一个射频功率放大器实现GSM/DCS双频段功率放大功能。同时将此结构射频功率放大器及输出匹配网络与CMOS控制器、射频开关集成至一个芯片模块,组成GSM/DCS 双频段射频前端模块,其中射频开关采用高隔离开关设计,使得谐波满足通信系统要求。
2010-03-15 应用于手持设备的无线调制解调器电源
由于目前使用的射频功率放大器(PA)缺乏高效率,为手持计算设备添加无线通信功能需要使用特殊的电源管理技术。一些通信协议允许突发传输技术,在没有发射信号时关断电源(通过占空比控制),但是在传输过程中PA效率的典型值却不高于40%至60%。相反地,手持设备中的主电源效率的典型值为90%至95%。
2010-02-05 采用突破性功率放大器线性化技术的系统芯片
Scintera Networks, Inc. 宣布向市场推出其采用自适应的射频功率放大器线性化技术的系统芯片 SC1887。自适应的线性化技术通常用于提高宏基站功率放大器的效率和输出功率,该技术以前非常复杂,成本高,耗电量也很大,而且不适用于很多更新的系统配置。
2009-12-17 (多图) D类MOSFT在发射机射频功放中的应用
随着微电子技术的发展,MOS管在电子与通信工程领域的应用越来越广泛。特别是在大功率全固态广播发射机的射频功率放大器中,利用MOS管的开关特性,可使整个射频功率放大器工作在开关状态,从而提高整机效率,改善技术性能,同时使发射机的射频功率放大器处于低电压范围,有利于设备的稳定运行。本文对D类MOS管在广播发射机射频功放电路中的应用进行了探讨。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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