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嵌入式闪存IP
| 本专题为EDN China电子技术设计网的嵌入式闪存IP专题，内容全部来自电子技术设计网精心选择与嵌入式闪存IP相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年，针对中国设计经理人和工程师的不同需要，不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。 |
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| 2015-03-03 | Synopsys推出全新DesignWare中等容量非易失性存储器 Synopsys全新DesignWare中等容量非易失性存储器（NVM）IP使芯片成本降低多达25%,作为嵌入式闪存的替代方案，该NVM IP无需额外光罩和附加工艺步骤。 |
| 2014-09-03 | 赛普拉斯和华力微电子展示可工作的采用55纳米嵌入式闪存IP的硅光电池 赛普拉斯和华力微电子展示可工作的采用55纳米嵌入式闪存IP的硅光电池,高性价比的SONOS嵌入式非易失性存储器为下一代智能卡和物联网应用带来高良率和具有可扩展性的工艺. |
| 2014-03-06 | 瑞萨研发出28nm微控制器的嵌入式闪存工艺 瑞萨电子研发出业内首创的28nm微控制器的嵌入式闪存工艺,创立了可扩充车用微控制器的片上闪存容量的28nm制程工艺.半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社宣布其已研发出业内首项应用于28 nm制程工艺的微控制器(MCU)的 28纳米(nm)闪存知识产权(IP)。 |
| 2009-08-14 | 飞索半导体瘦身 专攻嵌入式和IP授权两大业务 2009年一定会有一些闪存或者DRAM厂商倒闭，产业链进一步整合是必然趋势，而剩下的闪存或DRAM厂商要想生存，就必需尽快寻找到自己的重生之道。” |
| 2009-06-02 | 中芯国际和常忆科技推出0.18微米嵌入式闪存工艺技术和IP包 中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”）与领先的非易失性内存产品和IP供应商常忆科技日前共同宣布，已成功推出中芯国际0.18微米嵌入式闪存工艺技术和 IP 組合包。 |
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