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互补金属氧化物
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2011-11-10 安森美半导体推出高性能CMOS图像传感器
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,)推出新的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器,提供切合指纹识别及种种医疗设备设计等日益增多的高端生物测定应用需求所要求的速度、分辨率及信噪比(SNR)性能。MANO 9600是一款滚动快门型960万像素(3,840 x 2,500像素)器件,工作速度为全分辨率20帧/秒(fps)。
2009-10-15 中芯国际将45纳米工艺延伸至40纳米及55纳米
中芯国际(NYSE:SMI)日前宣布其45纳米的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术将延伸至40纳米以及55纳米。
2008-11-17 (多图) Stratlon fxP离子束加工系统用于磁阻式MRAM和互补金属氧化物半导体金属栅极应用
亚微纳科技公司的Stratlon fxP是世界上第一个基于离子束技术的3 00毫米沉积系统、它为磁阻式随机存储器(MRAM)、 硬盘驱动读取头及互补金属氧化物半导体(CMOS)金属栅极应用提供了异常优异的膜特性。
2008-05-08 CMOS成像技术让照相功能大显身手
互补金属氧化物半导体( CMOS)成像技术已经成为众多新兴摄像头应用的首选。数字成像随着1969年电荷耦合器件( CCD)的发明而诞生,但在此后的30年间,它一直未能成为主流的图像采集技术。二十世纪九十年代中期,因美国航空航天局喷气动力实验室发明了有源像素体系结构,CMOS技术才在取景方面得到飞速方展,CMOS传感器业已稳步立足市场,正引领业界朝着新的发展方向迈进。
2007-03-22 安捷伦科技公司成立新的中国研发中心
安捷伦科技公司(NYSE:A)日前宣布,将扩大对其IC-CAP(集成电路表征和分析软件)器件建模软件的投资。该公司将在中国北京新建一个建模研发中心,以更好地服务于业内领先的半导体制造商,特别是应对CMOS(互补金属氧化物半导体)建模的发展需求。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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