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高压MOS器件
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2012-02-09 基于智能功率技术的荧光灯驱动电路设计
在照明应用电子变换器实现中,成本制约因素驱动着技术的选择。除下文要介绍的创新的纵向智能功率(VIPower)解决方案外,市场上还存在另外两种不同的经典方法。第一种方法是基于IC器件,与若干个外部无源器件一起,驱动两个高压(通常高于400V)功率MOS晶体管,实现一个半桥变换器。
2006-03-07 具有低正向压降的双高压肖特基势垒整流器
Vishay推出业界基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。
2006-01-19 Vishay具有0.375V最低正向压降的双高压肖特基势垒整流器
Vishay宣布推出业界首款基于 Trench MOS 技术的肖特基势垒整流器。这五款新型 TMBS? 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。
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