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非易失性存储器
本专题为EDN China电子技术设计网的非易失性存储器专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与非易失性存储器相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
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2015-08-27 IIC参展商预告(七):Kilopass为物联网提供最好的非易失性存储器技术
Kilopass是嵌入式非易失性存储器(NVM)IP的领导厂商,它的在OTP NVM方案有着强大的能力,以升级到更先进的CMOS工艺。晶圆代工和IDM厂商可以更灵活地采用这些IP解决方案,同时也还更好的满足更高集成度、更高密度、更低成功与功耗、更长电池续航和更安全的要求。
2015-08-17 高云半导体发布非易失性FPGA芯片
2015年8月18日讯 – 广东高云半导体科技股份有限公司(以下简称“高云半导体”)今日宣布推出拥有完全自主知识产权的现场可编程门阵列(FPGA)GW1N家族产品。GW1N家族是基于世界领先的嵌入式闪存工艺—台积电55nm嵌入式闪存工艺的非易失性单一芯片FPGA器件,目前包括GW1N-1K与GW1N-9K两款产品。是以降低成本、小薄封装为主要目标,是一款在嵌入式用户存储器方面国际首创的非易失性FPGA器件。
2015-03-03 Synopsys推出全新DesignWare中等容量非易失性存储器
Synopsys全新DesignWare中等容量非易失性存储器(NVM)IP使芯片成本降低多达25%,作为嵌入式闪存的替代方案,该NVM IP无需额外光罩和附加工艺步骤。
2014-12-18 业界首款灵活型高频13.56 MHz传感器应答器系列
德州仪器面向工业、医疗、可穿戴设备和物联网(IoT)应用推出业界首款高度集成的NFC传感器应答器,业界首款符合ISO 15693标准的完全可编程13.56 MHz传感器应答器集成了超低功耗微控制器和非易失性铁电存储器(FRAM).
2014-09-12 旺宏存储器涵盖全系列规格,在汽车电子有很大提升空间
日前,在IIC-China 2014展会上,旺宏(香港)有限公司总经理谢浩纬于汽车电子论坛指出,在非易失性存储器(NVM)技术中,浮置栅极技术在演进到3xnm、2xnm时会遇到物理极限,这就需要新的技术来替代。旺宏目前在研发的用于未来NVM的技术有三种:垂直栅极(VG) 3D NAND、PCM(相变存储器)和ReRAM(可变电阻式存储器)。
2014-08-27 (多图) FRAM助力中国高端医疗电子系统关键设计
如今,当您在一些医院就诊时,您可能会看到医生正拿着平板电脑诊疗、查房。这可不是普通的平板电脑,它采用了防酒精的专业面板。您知道吗,其实在医院中,电子设备除了要防酒精外,还必须抗辐射,这是因为医院常常要对贴有RFID标签的物品进行辐射消毒,而采用富士通半导体的能够抵抗高达50kGy伽玛射线消毒的非易失性随机存储器——FRAM(铁电随机存储器)的RFID在通过辐射消毒后数据不会被破坏。
2014-07-29 (多图) Sentry安全模块全面确保安全性和可靠性
介绍了SMART Modular Technologies公司的Sentry安全模块,该模块通过简单、低成本的方式增强了系统的安全性和可靠性, 甚至不需要向嵌入式系统施加任何电源。Sentry安全模块,将先进的新技术(如非易失性随机存取存储器(RAM)、低功耗传感以及智能逻辑)融入紧凑、有效和灵活的外形尺寸中,可简化设计并缩小物理安全和电子安全之间的差距。
2014-07-24 赛普拉斯签约世强合力开拓中国成长型新市场
全球存储及触摸感应领导厂商赛普拉斯签约世强合力开拓中国成长型新市场.前不久,全球高性能、混合信号、可编程解决方案的领先供应商赛普拉斯(Cypress)签下中国本土最具实力的分销商世强(Sekorm),由后者负责其全线产品包括PSoC可编程片上系统器件、触摸感应解决方案、SRAM和非易失性存储器、USB控制器等等在中国区的分销业务。
2014-05-12 赛普拉斯推出一系列16Mb非易失性静态随机存取存储器
赛普拉斯扩充业界领先的非易失性RAM产品,发布全新16Mb并行nvSRAM系列.全新nvSRAM系列包括业界最快的高容量NVRAM以及全球首款支持直接连接到NAND总线控制器的NVRAM.
2013-09-26 单芯片FRAM存储解决方案成为嵌入式设计的理想选择
选用存储器时主要考虑的指标包括安全性、使用寿命、读写速度、产品功耗和存储容量等。FRAM(铁电存储器)由于具有ROM的非易失性和RAM的随机存取特性,以及高速读写/高读写耐久性(高达1014次)和抗辐射特性,非常适合许多工业类和医疗类应用。
2013-09-11 LSI选择Cypress并行nvSRAM非易失性存储器
LSI选择赛普拉斯并行nvSRAM非易失性存储器.用于其业界首款12Gb/s SAS主机总线适配器.所选的并行nvSRAM拥有业界最佳速度、可靠性和低工作电压,有助于实现更高性能的存储.
2013-07-05 中国成为富士通FRAM最大市场
近五年之内,一些新型的非易失性存储器技术如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不断涌现,但达到出色市场量产业绩的只有 FRAM。那么现如今FRAM在中国的应用进展如何?在哪些更多的应用领域正在取代传统的EEPROM、SRAM和闪存和闪存呢?
2012-12-28 赛普拉斯推出快速写入非易失性存储器
赛普拉斯整合Ramtron F-RAM解决方案, 推出世界最丰富的快速写入非易失性存储器产品系列.致力于支持现有的F-RAM产品并投资于未来开发.
2012-11-08 FRAM:新一代通用存储器
铁电非易失性随机存取存储器(FRAM)是一种高性能、低功耗的非易失性存储器,结合了传统非易失性存储器(闪存和E2PROM)和高速RAM(SRAM和DRAM)的优点。因此,可以说FRAM代表了新一代通用存储器。
2012-09-13 赛普拉斯推出非易失性静态随机访问存储器
赛普拉斯在业界领先的非易失性存储器产品系列中增加了 16-Mbit 并行 nvSRAM 和同步 NAND 接口,赛普拉斯在非易失性存储器产品系列中增加了 16-Mbit 并行 nvSRAM 和同步 NAND 接口
2012-04-16 JEDEC宣布计划制定非易失性无线存储器标准
全球微电子产业领导标准制定机构JEDEC固态技术协会今天宣布,成立专门小组委员会JC64.9制定非易失性无线存储器标准。
2012-04-05 Ramtron通过低功耗非易失性存储器来控制时间
Ramtron在刚举行的硅谷Design West/嵌入式系统会议发布新型低功耗F-RAM存储器产品,进一步加强公司帮助客户改善产品能效、访问速度和安全性的能力。
2012-03-07 Ramtron推最低功耗非易失性存储器
相对于ROM存储器,F-RAM超过E2PROM器件10,000倍的耐性,低3,000倍的功耗,写入速度也比它快将近500倍。F-RAM结合了RAM和ROM的优势,具有高速、低功耗以及长寿命的特点。
2012-02-09 Ramtron在IIC China2012上展示世界最低功耗的非易失性存储器
世界领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布将在2月23-25日于深圳会展中心举办的 IIC China 2012展会中参展。
2012-02-06 Ramtron推出世上最低功耗的非易失性存储器FM25P16
世界领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 宣布推出世界上最低功耗的非易失性存储器。该16 kb器件的型号为FM25P16,是业界功耗最低的非易失性存储器,为对功耗敏感的系统设计开创了全新的机遇。FM25P16是Ramtron低功耗存储器系列中的首个产品,其能耗仅为EEPROM 器件的千分之一,并具有快速读/写特性和几无乎无限次的耐用性。
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