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存储器DRAM
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2015-06-23 DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限 MRAM、ReRAM接班?
DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限,业界认为下一代存储器“磁电阻式随机存取存储器”(MRAM)、“可变电阻式存储器”(ReRAM)可能即将现身,要以更快的存取速度横扫市场。
2015-05-22 FRAM迈向主流存储器的路还很长
铁电存储器(FRAM,或FeRAM)在1990年代中期被认为将成为主流技术,但至今仍与其他众多新存储器技术一样,并没有如预期般迅速崛起。FRAM 的内部运作原理类似DRAM,有媲美SRAM的高速度以及如同快闪存储器的非挥发性。
2015-04-29 中国有钱也不任性 不玩主流DRAM
中国国家积体电路产业投资基金宣告投入 1,200 亿人民币(约合 6,080 亿新台币),今年 3 月中国武岳峰资本等公司资本联合买下 ISSI (Integrated Silicon Solution),宣告中国半导体布局伸向 DRAM 产业,ISSI 主要发展利基型 DRAM 与 SRAM,外界预估对主流存储器市场的影响并不大。
2015-01-22 20纳米GDDR5问世并量产
存储器又上一个新台阶。三星(Samsung)宣布将以该公司20奈米(nm)先进制程,量产业界首款8Gb第五代绘图双倍资料率(GDDR5)动态随机存取记忆体(DRAM)。GDDR5为目前市场上被广泛采用的独立型(Discrete)绘图记忆体。
2014-11-21 英特尔新技术:存储器耗电至少降低25倍
英特尔在台举办亚洲区创新高峰会,展示和工研院合作开发的新记忆体技术,较现有DDR DRAM记忆体更省电,耗电降低至少25倍,未来可望为行动运算装置延长电池使用时间。
2014-08-29 移动存储器的发展迎春天
JEDEC固态技术协会(Solid State Technology Association)日前公布新一代行动记忆体规格 JESD209-4 LPDDR4,号称其速度是前一代LPDDR3的两倍。由于智能型手机、平板计算机等行动装置需求稳健成长,固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加,而物联网应用也将逐渐导入NAND Flash,2015年NAND Flash整体产业规模将提升至266亿美元,年成长9%。NAND与DRAM朝3D发展。
2014-08-14 (多图) 详述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念
DRAM (动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力,因为它提供了广泛的性能,用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念,及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2014-07-29 为日新月异的移动通信生态系统提供相匹配的内存产品
作为全球领先的专业存储产品解决方案供应商之一, 美光科技有限公司( Micron)所提供的DRAM、SSD固态硬盘、NAND、NOR闪存以及PCM相变存储器产品被广泛应用于计算机、服务器、网络通信、移动电话、消费电子、汽车和工业等众多领域。在2014亚洲移动通信博览会期间,美光科技移动通信业务副总裁Reynette Au女士接受了本刊的专访,介绍了美光在中国的最新布局态势,并且分享了针对移动通信生态系统的前瞻性思考以及内存产品未来的发展趋势。
2014-06-24 高速存储器的调试和评估——不要仅仅停留在一致性测试上
DDR 存储器的测试项目涵盖了电气特性和时序关系,由JEDEC明确定义,JEDEC 规范并不涉及具体的测量方法,但提供了存储设备、DRAM应遵守的一组测试参数规范,目的是保证计算机系统、服务器和移动设备等存储系统的一致性与互操作性。
2013-07-30 用基于CAM的DDR控制器架构实现DDR DRAM效率最大化
为适应数据写入或从SDRAM读出的低效率,SoC需要使用一个控制器来管理对DDR SDRAM的访问。当今绝大多数存储器控制器都会考虑DDR SDRAM的低效性,并且试图重组到DDR SDRAM的命令,以将无效指令数量减至最少,并提高SoC访问SDRAM的效率(带宽)。
2012-11-08 FRAM:新一代通用存储器
铁电非易失性随机存取存储器(FRAM)是一种高性能、低功耗的非易失性存储器,结合了传统非易失性存储器(闪存和E2PROM)和高速RAM(SRAM和DRAM)的优点。因此,可以说FRAM代表了新一代通用存储器。
2012-09-28 JEDEC 发布DDR4存储器标准
微电子产业标准机构JEDEC固态技术协会今天初始发布广为业界期待的DDR4内存标准。JEDEC DDR4 (JESD79-4) 内存标准的制定旨在提高性能与可靠性的同时降低功耗。因此,相较于此前的DRAM内存技术,DDR4代表着实质性的进步。新的DDR4 标准现可通过JEDEC官方网站免费下载。
2011-11-21 基于VHDL的SDRAM接口设计
RAM通常用于数据和程序的缓存,随着半导体工业的发展,RAM获得了飞速的发展,从RAM、DRAM(Dynamic RAM,即动态RAM)发展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM,即同步动态RAM),RAM的容量越来越大、速度越来越高,可以说存储器的容量和速度已经成为半导体工业水平的标志。
2011-07-25 DRAM产业大者愈大 过去十年仅三星获利
个人计算机(PC)销售量不如预期,又遇上平板计算机挤压市场,导致2011年DRAM报价持续下跌,目前已濒临变动成本边缘,过去3年1次循环的存储器景气,现在景气循环的时间周期大幅缩小,加上制程技术进展快速,台系DRAM厂落后国际大厂约1.5~2个技术世代
2011-07-08 存储器3Q景气 NAND Flash略优于DRAM
存储器产业度过辛苦的第2季后,第3季景气恐没有这么快复苏,业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后,会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬,但业界对于DRAM市场看法则是分歧,7月合约价续跌已成定局。
2011-06-20 应用材料公司推出钨平坦化技术
应用材料公司日前宣布其成功的Applied Reflexion GT CMP1系统工艺已经扩展,增加钨薄膜平坦化工艺。该CMP工艺对于制造先进的动态随机存储器DRAM)、NAND闪存和逻辑器件的晶体管触点和通孔至关重要。
2011-06-15 DRAM厂抢进移动式存储器 下半年价格添隐忧
根据集邦科技统计,随着今年平板计算机与智能型手机的兴起,PC出货量已不若往年呈现高度成长,随着后PC时代来临,各DRAM厂也纷纷转进行动式存储器市场,不过,在产出量将于下半年大增,加上平板计算机出货数字下修的影响,集邦预警,下半年行动式存储器的价格走势恐增添隐忧。
2011-02-18 DRAM合约价酝酿反弹 暂无崩盘之忧
DRAM合约价在2010年第4季跌幅高达50%,随著现货价在农历年前率先反弹,2011年2月DRAM合约价亦走向止跌,存储器模块厂表示,近期甫出炉1Gb、2Gb、4Gb产品合约价都呈现止跌迹象,由于目前现货价比合约价至少高出20%,使得DRAM厂在合约价谈判上轻松许多;南亚科则预计,2月DRAM合约价涨幅目标是至少5%。
2011-02-12 JEDEC 将制定混合存储器模组标准
JEDEC固态技术协会,微电子产业全球领导标准制定机构,日前宣布DRAM模组委员会JC-45将设立新的小组委员会 - JC-45.6,专注于制定混合存储器模组标准。该小组委员会将由必恩威科技公司与赛普拉斯半导体公司任小组主席,并将于2011年2月28日在德国慕尼黑举行第一次会议。
2010-09-28 晶圆级封装向大尺寸芯片发展
晶圆级封装(WLP)技术正在稳步向小芯片应用繁衍。对大尺寸芯片应用如DRAM和flash存储器而言,批量生产前景还不明朗,但理想的WLP可靠性高,且能高频运行,有望改变这种大尺寸芯片无法应用的现状。WLP一般拥有良好的功率集成特性、支持晶圆级测试、能适应芯片特征尺寸缩小,同时降低成本。
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