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半导体制造技术
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2013-11-25 ST与Memoir Systems合作开发出革命性的算法内存技术
意法半导体(ST)和Memoir Systems整合突破性的存储器技术和半导体制造技术,这一整合让嵌入式存储器速度更快、散热更低、设计更简单。
2013-11-25 ALD技术在未来半导体制造技术中的应用
由于低温沉积、薄膜纯度以及绝佳覆盖率等固有优点,ALD(原子层淀积)技术开始应用于半导体加工制造。DRAM电容的高k介电质沉积率先采用此技术,但近来ALD在其它半导体工艺领域也已发展出愈来愈广泛的应用。
2013-09-17 FinFET引爆投资热 半导体业战火重燃
半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术,对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。
2012-12-11 (多图) 富士通率先在中国引入28nm SoC设计服务和量产经验
如果说高性价比的55nm创新工艺制程是为了一解处于激烈竞争中的本土中小客户IC设计之“渴”,那么此次富士通半导体带来的成熟已经量产的28nm半导体制造技术则是为帮助中国IC设计业应对高端先进制程SoC设计挑战而生。
2012-07-11 英特尔与ASML达成协议加速开发下一代半导体关键制造技术
英特尔公司今天宣布与ASML控股公司签署一系列价值总计33亿欧元(约41亿美元)的协议,以加速450毫米晶圆技术和超紫外线(EUV)光刻技术的开发,力争提前两年实现支持这些技术的光刻设备的产业化应用,从而为半导体制造商大幅降低成本并提高生产力。
2010-06-23 IBM确认瞄准10nm以下工艺
美国IBM T.J.华生研究中心(IBM T.J. Watson Research Center)在半导体制造技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布,试制出了采用最小直径为3nm的硅纳米线FET的25级CMOS环形振荡器,并实际确认了工作情况(论文编号:2.3)。
2009-11-20 MEMS,超越摩尔定律的突破口
半导体技术在摩尔定律上似乎走入了瓶颈期,而超越摩尔定律的新兴技术却受到了众多公司的青睐,其中MEMS以无处不在的应用潜力攫取了业界大大小小公司的眼球。日前,在由上海微系统与信息技术研究所、传感技术国家重点实验室、《半导体国际》、《EDN China》主办的“MEMS设计制造技术与产业化高峰论坛”上,来自产业链和学术界的专家汇聚一堂,分享了MEMS设计制造技术的方案,探讨了MEMS产业未来的发展之道。
2009-09-02 基于DSP的数码望远相机的研究与设计
近年来,随着半导体制造技术的发展和计算机体系结构等方面的改进,数字信号处理技术得到了迅速的发展和运用,DSP芯片的功能越来越强大,数字信号处理已成为信号处理技术的主流。结合光学仪器向光、机、电、算一体化和智能化现代光学仪器发展的趋势,设计了一款基于高性能DSP芯片的同步可调式双筒望远数码相机。
2009-08-17 IBM研究DNA芯片制造技术
著名科学期刊《自然-纳米科技》刊登的一篇论文称,人工DNA纳米结构可能为制造芯片提供廉价框架。IBM研究经理斯派克·纳拉洋(Spike Narayan)说,“这是将生物分子技术应用在半导体产业的首次演示。
2009-03-18 MEMS制程与加速度传感器技术简介
采用半导体技术来制造MEMS元件是MEMS技术走向产品化的标志。MEMS元件一般采用与芯片制程相同的CMOS、Bipolar或BiCMOS制造技术。为充分利用全球半导体产业成熟的制造技术的商业渠道等资源,业界仍致力于将标准化的半导体制造技术用于MEMS元件的加工制造。
2008-10-31 IC设计年会:谁在关心半导体制造技术的进步?
在10月29日刚刚结束的2008’北京微电子国际研讨会上,由SEMI举办的先进半导体技术研讨会(ASTS)上观众爆满,超过10名观众站着听完了几小时的演讲。10月28日举办的先进半导体制造工艺技术培训也有接近100人参与,一位清华大学的教授说:“我们是来扫盲的。”让人真切感受到了越是专家,越是谦虚。
2008-06-02 无闪烁噪声分量的白噪声发生器
白噪声发生器生成不同频率下输出功率密度恒定的频谱图。这类发生器适用于低频响应较大或是有直流响应的测试电路。但是,由于存在粉红噪声(或称闪烁噪声),使频率范围延伸到几赫兹甚至更低的白噪声发生器变得十分复杂。半导体元件产生的噪声总是带有特征性的粉红噪声,即其输出功率密度幅值随频率降低而升高,转折频率为几十赫兹到几千赫兹。高阻值的电阻会产生带有自身闪烁噪声分量的噪声,噪声分量的值和特性随电阻制造技术的不同而发生变化。
2008-06-02 ST通过CMP为中国高等院校提供CMOS制造工艺
2008年5月29日,意法半导体(STM)和IC中介服务公司CMP宣布两家公司开始为中国高等院校的学术研究项目提供意法半导体最先进的CMOS制造技术
2008-04-09 电子封装与SMT是平行还是相交?
封装技术的定位已从连接、组装等一般性生产技术逐步演变为实现高度多样化电子信息设备的一个关键技术。更高密度、更小凸点、无铅工艺等都需要全新的封装技术,以适应消费电子产品市场快速变化的特性需求。而封装技术的推陈出新,也已成为半导体及电子制造技术继续发展的有力推手,并对半导体前道工艺和表面贴装(SMT)技术的改进产生着重大影响。
2008-03-10 ST采用新STripFET技术用于DC-DC转换器的功率MOSFET系列产品
意法半导体推出两款适用于直流—直流转换器的全新功率MOSFET产品。新产品采用ST独有的最新版STripFET制造技术,拥有极低的导通损耗和开关损耗,在一个典型的稳压模块内,两种损耗的减少可达3瓦。
2008-01-07 安捷伦为中国半导体制造技术提升搭建产学研沟通平台
针对学术研究与IC制造业需求脱节的矛盾,安捷伦科技在中国大陆连续举办了三届“安捷伦杯半导体制造技术论文大赛”,以促进中国半导体制造领域优秀实用型人才培养。
2008-01-07 迭代解码通道模块提高硬盘存储容量
意法半导体推出了65nm制造技术的低功耗移动硬盘驱动器(HDD)迭代读通道模块样品。迭代通道信噪比(SNR)增益是提高硬盘驱动器存储容量的关键技术。虽然迭代技术的复杂性提高了,意法半导体仍把功耗降低了25%以上。
2007-12-17 ST公布65nm硬盘驱动器迭代解码通道模块样品
意法半导体推出了该公司首款65nm制造技术的低功耗移动硬盘驱动器(HDD)迭代读通道模块样品。ST的迭代通道信噪比(SNR)增益是硬盘驱动器市场保持存储容量年复合增长率高达40%的关键技术。虽然迭代技术的复杂性提高了,ST仍把功耗降低了25%以上,这对于移动硬盘驱动器应用至关重要。
2007-12-12 ST芯片向先进的45nm CMOS射频技术升级
意法半导体宣布该公司成功地制造出了第一批采用CMOS 45nm 射频 (RF)制造技术的功能芯片。这项先端技术对于下一代无线局域网(WLAN)应用产品至关重要。
2007-12-11 2007安捷伦杯半导体制造技术论文大赛颁奖典礼在上海隆重举行
安捷伦在上海隆重举办了2007安捷伦杯半导体制造技术论文大赛颁奖典礼,特别邀请到产业界、政府界和学术界嘉宾领导与数十位获奖代表共同庆祝本届大赛的圆满成功。大赛秉承了以往历届的举办宗旨,搭建产官学各界技术沟通平台的同时,有力的促进半导体制造领域优秀人才的培养。
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