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RF功率晶体管
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2013-10-12 美高森美推出新型750W RF晶体管
美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管为航空应用提供无与伦比的高功率性能,新器件适用于商用和军事、地面和机载、二次监视雷达,以及防撞空中交通管制设备。
2013-08-22 采用RF功率放大器实现下一代无线系统
为了将基站SMPA中使用的高功率晶体管与发射器的所有数字CMOS模块相连,需要能够生成高压(HV)摆幅的宽带RF CMOS驱动器。这样不仅能实现更优的高功率晶体管性能,而且还能将数字信号处理直接用于控制所需的SMPA输入脉冲波形,从而提高系统整体性能。
2013-07-29 Gen8+ LDMOS RF功放管满足TD-LTE所有频段的市场应用
随着中国开始铺设全球最大4G网络,针对不同基站配置、不同频段、不同功率, NXP推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,这是NXP作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
2013-06-21 恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶体管推动TD-LTE通讯变革
NPD DisplaySearch最新月度出货报告显示,大尺寸面板(9“以上)出货在经历了1、2月份的出货低潮后,经过3、4月份的出货逐步恢复,在5月份完成2013年后最大单月出货成绩,达成61.9M出货,并较4月份成长11%。
2013-06-13 飞思卡尔推出多个最新晶体管
飞思卡尔加大对RF地面移动市场的投入并推出新的产品系列,Airfast RF功率解决方案通过新型LDMOS和GaN功率晶体管产品提供卓越性能和业界领先的耐用性.
2012-12-03 Microsemi提供S波段 RF功率晶体管
Microsemi提供S波段 RF功率晶体管,适用于空中交通管制雷达航空应用
2011-10-12 ST推出新系列射频功率芯片
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出新系列射频(RF功率晶体管
2011-09-14 飞思卡尔半导体推出RF功率LDMOS晶体管:MRFE6VP8600H
飞思卡尔半导体宣布推出RF功率LDMOS晶体管,该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性,专门面向UHF广播电视应用而设计。
2011-06-21 飞思卡尔半导体推出新型功率解决方案:Airfast RF
硅片RF LDMOS功率晶体管的全球领先厂商飞思卡尔半导体日前推出新型Airfast RF功率解决方案,旨在为全球无线基础设施设备制造商提供RF功率产品,将性能和能效提升至新的高度。
2011-05-05 飞思卡尔半导体推出LDMOS RF功率晶体管
飞思卡尔半导体日前推出两个LDMOS RF功率晶体管,允许无线基站放大器覆盖整个分配频带中的所有通道。 这两个高效率晶体管有助于降低运营和资本支出,它们的宽瞬时带宽允许网络运营商改善网络的灵活性。
2011-01-26 恩智浦正式启动高性能射频设计大赛
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日宣布启动首届高性能射频设计大赛注册程序,诚邀世界各地的射频工程师和学生提交各种射频功率器件的应用创意。RF功率晶体管广泛用于电信、航空航天、广播基础设施领域以及各种工业、科学和医疗等领域,而随着RF LDMOS技术的功能更加强大、耐受力更高、成本更低,射频驱动灯等新型应用也成为了可能。
2010-11-23 面向航空航天工业与商业应用的RF LDMOS产品组合
飞思卡尔MRFE6VP5600H / S和MRFE6VP61K25H / S 50V LDMOS功率晶体管提供增强的耐用性,以便在恶劣环境下支持匹配度极低的应用,如等离子发生器、二氧化碳激光器和MRI功率放大器。
2010-10-19 英飞凌向中国通信市场推出新一代LDMOS晶体管
在LDMOS (横向扩散金属氧化物半导体)晶体管方面,英飞凌立足于最先进的LDMOS工艺技术和改善散热性能的封装,这家公司可制造门类齐全的RF功率晶体管和芯片产品,全面支持所有主要的无线通信和广播频段。
2010-04-13 替代传统陶瓷封装的下一代RF功率晶体管塑料空气腔封装
意法半导体发布创新的塑料空气腔封装。与陶瓷封装相比,新封装可使高功率射频晶体管实现更高性能和成本优势,高功率射频晶体管主要用于收发器、广播设备和核磁共振成像(MRI)扫描仪。
2009-04-08 Maxim用于蜂窝基站基础设施中功率晶体管偏置控制的集成IC
Maxim推出双通道RF LDMOS偏置控制器MAX1385/MAX1386*/MAX11008
2008-04-21 飞思卡尔450瓦RF功率晶体管为UHF广播应用提供前所未有的峰值功率
飞思卡尔半导体近日推出50伏横向扩散MOS(LDMOS)RF功率晶体管,输出功率比与之竞争性UHF TV 广播解决方案高50%。
2008-04-17 飞思卡尔半导体推出50伏横向扩散RF功率晶体管
飞思卡尔半导体近日推出50伏横向扩散MOS(LDMOS)RF功率晶体管,输出功率比与之竞争性UHF TV 广播解决方案高50%。
2007-03-08 应用于无线LAN终端的硅锗功率晶体管
Renesas推出RQG2003高性能的功率硅锗HBT。可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。
2007-01-24 瑞萨科技发布硅锗功率晶体管应用于无线LAN终端等功率放大器
Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅锗HBT*1实现了业界最高水平性能,可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。
2006-06-26 英飞凌下一代LDMOS工艺采用高性能塑料封装功率密度提高25%
在MTT国际微波研讨会上,英飞凌科技股份公司展示了下一代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF(射频)晶体管
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