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MOSFET功率
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2016-05-13 开关电源用新型零功耗AC/DC转换器
VIPer0P是一款离线交流变直流转换器,内部集成一个800V耐雪崩功率MOSFET和一个PWM控制器,在宽输入功率范围内实现7W输出功率。嵌入式零功耗模式(ZPM)让开关电源功耗在230VAC时低于4mW,按照IEC 62301标准定义,这个功耗值可视为零功耗。
2016-05-05 用TrenchFET? IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比,TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG, QGD)数值都有所减小,降低了同步DC/DC转换器中的损耗。
2016-04-07 OptiMOS? 300 V提高硬开关应用的效率,支持新型设计
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS? 300 V,壮大中压MOSFET产品阵容,树立功率场效应管市场新标准。300V OptiMOS?的发布有助于英飞凌进一步巩固其在通信电源、不间断电源(UPS)、电机控制、工业电源、和DC / AC逆变器等领域的市场领导地位。
2016-02-18 凌力尔特推出四输出多相降压型 DC/DC 控制器,输出电流可高达260A
凌力尔特公司推出一款四输出多相同步降压型 DC/DC 控制器 LTC7851 / LTC7851-1,该控制器可与 DrMOS 和电源模块 (power block) 等外部功率链路器件以及分立型 N 沟道 MOSFET 和相关的栅极驱动器一起工作,从而实现了灵活的设计配置。
2015-07-20 SiC会一统天下吗?
SiC功率器件作为可显著减少功率转换损耗的关键器件而得到业界的广泛关注,其供应商以美国Cree、日本ROHM等公司为典型代表。2010年,ROHM率先宣布量产SiC MOSFET产品,开始了这一产品的市场化进程。近年来,ROHM不断推进SiC领域的创新研究,在进一步降低功率损耗方面寻求不断突破。
2015-06-11 常用的功率半导体器件汇总
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件,其中晶闸管为半控型器件,承受电压和电流容量在所有器件中最高;电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可靠;还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR为电流驱动型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。
2015-04-03 Silicon Labs新型数字音频桥接芯片助力iOS配件创新
Vishay新款40V TrenchFET功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案,器件是业内首颗通过AEC-Q101认证的完全无铅的MOSFET,占位面积8mm x 8mm.
2015-04-03 业内首颗使用8mmx8mm占位的功率MOSFET
Vishay新款40V TrenchFET功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案,器件是业内首颗通过AEC-Q101认证的完全无铅的MOSFET,占位面积8mm x 8mm.
2014-12-19 Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET
2014年12月4日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。
2014-12-18 IR推出采用高性能4×5PQFN功率模块封装的25V双功率MOSFET
12月17日,北京,晴。这又是一个熙熙攘攘的早晨,当各路IT精英从四面八方涌入上地——这片我国信息技术产业的“摇篮”时,他们也迎来了新一天的无限可能。一笔销售大单、一项重大合作宣布、一场新产品发布、收购或投资者关系变更……每一天,千变万化都是这里不变的故事。
2014-12-17 (多图) 封装寄生电感是否会影响MOSFET性能?
提出了一种用于快速开关超结MOSFET的最新推出的TO247 4引脚器件封装解决方案。这个解决方案将源极连接分为两个电流路径;一个用于实现功率连接,另一个用于实现驱动器连接。这样一来,器件就能保持快的开关速度,同时又不必牺牲接通和关断控制能力。
2014-12-03 ST的新650V超结MOSFET提升能效和安全系数
2014年12月2日 —— 意法半导体的最新超结 (super-junction) 功率MOSFET满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求,同时提供更高可靠性的最新且满足高功率密度的封装。
2014-10-14 IR推出两款40V车用COOLiRFET功率MOSFET
IR推出车用40V 5x6mm双PQFN COOLiRFET为小功率电机提供基准性能.
2014-08-19 具数字接口的双输出DC/DC控制器
2014 年8月14日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具串行数字接口的双输出多相同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3882。该器件采用前沿调制电压模式控制以实现超卓的瞬态响应,并采用具非常低 DCR (0.25mΩ) 的电感器工作,从而实现了较高的效率和每输出相位高达 40A 的电流。兼容的功率链器件包括 DrMOS、电源模块或分立式 FET 驱动器以及相关联的 N 沟道 MOSFET。具数字接口的双输出 DC/DC 控制器,采用 0.25mΩ 检测电阻工作.
2014-08-14 IR推出FastIRFET 6×6 PQFN顶部外露电源模块器件
IR推出IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN顶部外露电源模块器件,为DC-DC应用提供卓越效率。全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET双功率MOSFET,藉以扩充电源模块组件系列。新款25V器件在25A的电流下能够比其它顶级的传统电源模块产品减少5%以上的功率损耗,适用于12V输入DC-DC同步降压应用,包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 和笔记本电脑等。
2014-07-21 IR扩充60V StrongIRFET 功率MOSFET系列
IR扩充60V StrongIRFET MOSFET系列,以标准和高性能功率封装为工业应用提供极低导通电阻.
2014-06-30 茂达电子推出APW7262多功能电源管理/电池充电IC
APW7262是一款高集成、开关型、高效率、大电流、锂离子电池充电管理控制芯片。它集成了3MHz同步降压PWM控制器和功率MOSFET,有效降低了功率损耗。APW7262充电流程包括:激活、涓流、恒流和恒压四个阶段。充电恒压精度在4.2V ±1%范围内,恒流充电电流最大可达1.5A。芯片自动控制充电流程,电池电压下降到4.08V以下时自动重新充电。APW7262减小了充电电流而智能自适应匹配USB或输出功率较小的适配器。APW7262的充电终止电流可用I2C调整其电流值。当充电电流减小到某预设阈值时,APW7262可输出中断指示。
2014-06-27 Diodes推出世界最小60V功率MOSFET提升功率密度
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出导通电阻小于100mΩ的全球最小60V .NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面积为1.6mm x 1.6mm,高度则是一般的0.5mm,并采用了DFN1616封装,有助于在手机、超薄液晶电视及掌上游戏机等受空间限制的产品内实现更高的功率密度。
2014-06-27 宜普电源转换公司的氮化镓技术荣获电子技术设计杂志十周年创新技术优秀奖
作为硅MOSFET器件的替代技术,宜普电源转换公司的增强型氮化镓(eGaN)功率晶体管技术荣获业界著名杂志颁发创新技术优秀奖.
2014-06-27 IR推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET
IR新汽车级产品AUIRFN8403以紧凑5x6mm PQFN封装,提供高效率和高功率密度并减少系统成本.
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