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肖特基势垒二极管
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2013-09-17 (多图) 标准CMOS工艺集成肖特基二极管设计与实现
为了使串联电阻有效降低,特别在肖特基版图中采用交织的方法。通过对实测所设计的肖特基二极管,以所测得的C-V、I-V及S参数对肖特基二极管电压、饱和电流及反向击穿电压继续计算,最后给出能够用于SPICE仿真的模型设计。
2013-01-25 最新电源管理产品600V CoolMOS P6和第五代thin Q!提升能源使用效率
英飞凌也推出了其第五代的thin Q!SiC肖特基二极管,改进了热特性,优值系数(Qc×Vf)较前代SiC二极管降低了大约30%,可使PFC电路达到最高效率水平,并具有更高的击穿电压,达650V(第二代和第三代都为600V)。
2013-01-08 罗姆无肖特基二极管SiC-MOS模块开始量产
业界首家!无肖特基二极管的SiC-MOS模块开始量产,支持1200V/180A,大幅降低逆变器电力损耗.
2012-11-02 罗姆开发出超低VF小型肖特基二极管
罗姆开发出业界顶级的超低VF小型肖特基二极管,小型封装实现大电流化,有助于智能手机等更加节省空间
2012-10-11 英飞凌第五代肖特基二极管
英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基二极管,壮大其SiC(碳化硅)产品阵容。
2012-06-26 (多图) 罗姆开发出高温环境下亦无热失控的超低IR肖特基二极管
日本知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)近日面向车载、电源设备,开发出高温环境下亦可使用的超低IR肖特基二极管“RBxx8系列”。
2011-03-21 Diodes整流器提升效率并缩减体积
Diodes公司推出采用紧凑PowerDI5封装的额定12A和15A器件,扩展了其专利的超整流器(SBR)系列。新器件可用作空间有限的开关模电源设计的输出整流器,具备超低正向压降特性,无论在效率或冷却运行方面都超过了标准肖特基二极管
2009-08-20 业界最小封装、最佳空间性能的肖特基二极管
日前,安森美半导体(ON Semiconductor)推出4款新的30伏(V)肖特基二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅片无引脚(DSN2)芯片级封装,为便携电子设计人员提供业界最小的肖特基二极管和同类最佳的空间性能。
2007-03-23 ROHM开发出最小的0603规格的齐纳二极管肖特基二极管
ROHM开发的最新「GMD2」系列产品,采用先进的齐纳二极管肖特基二极管封装技术,实现了当今世界上最小、最薄的封装尺寸,对于手机和数码相机等各种追求小型化、薄型化设计的电子产品,无疑是最佳选择。
2006-03-07 具有低正向压降的双高压肖特基整流器
Vishay推出业界基于 Trench MOS 技术的肖特基整流器。这五款新型 TMBS 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。
2006-01-19 Vishay具有0.375V最低正向压降的双高压肖特基整流器
Vishay宣布推出业界首款基于 Trench MOS 技术的肖特基整流器。这五款新型 TMBS? 器件可在开关模式电源中作为整流电路或 OR-ing 二极管,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。
2003-12-12 无引线封装的分立器件种类繁多
飞利浦电子公司正在供应采用新型无引线SOD882 和SOT883封装的多种多样分立半导体器件,其中包括MOSFET、通用晶体管、装有电阻器的晶体管、低VCEsat BISS 晶体管、宽带晶体管、开关二极管、齐纳二极管肖特基二极管、变容二极管、波段开关二极管和PIN二极管。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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