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射频高功率放大器
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共搜索到7篇文章
2014-08-27 Microchip推出全新2.4GHz射频高功率放大器
Microchip 推出全新2.4GHz 射频高功率放大器,为256-QAM 和 802.11b/g/n 实现低EVM及电流,并扩大超高数据速率WLAN范围,SST12CP21以小巧的封装实现了适用于远距离和高数据速率WLAN的高线性输出功率与低电流消耗.
2011-11-29 MILMEGA出席IME2011及医疗研讨会 展望EMC测试功率放大器行业发展
上海业内领先的高功率微波和射频放大器设计与制造公司MILMEGA近日参展了第六届国际微波及天线技术交流展览会,展示三款今年推出的新品。该新品系列基于2010年推出产品的功率范围上有进一步拓宽。
2010-12-17 卫星射频设备远程控制监测系统的设计与实现
卫星通信需要工作在微波频段且必须要配备将微波信号进行放大的高功率放大器,而这些射频设备容易造成对人体的微波辐射,设计和实现一种基于工业控制的单片机用来和卫星射频单元设备的连接,通过计算机网线和基于Delphi软件对卫星射频单元的远程控制和监测的功能,将传统的人工作业方式提升为计算机远程自动控制。
2010-05-28 高功率“绿色”基站RF晶体管放大器系列
TriQuint半导体公司日前宣布推出首款新型高效率、绿色环保的3G/4G无线基站TriPower射频集成电路系列。
2010-03-31 Milmega将在中国市场率先推出新款固态高功率放大器
从事专业设计和制造固态高功率放大器的英国Milmega公司,在射频和微波宽带功率放大器设计和制造方面一直保持领先地位。
2007-04-29 大功率宽带射频脉冲功率放大器设计
利用MOS场效应管(MOSFET),采取AB类推挽式功率放大方式,采用传输线变压器宽带匹配技术,设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块,其输出脉冲功率达1200W,工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明.该放大器工作稳定,性能可靠。
2006-06-26 英飞凌下一代LDMOS工艺采用高性能塑料封装功率密度提高25%
在MTT国际微波研讨会上,英飞凌科技股份公司展示了下一代LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)工艺。该工艺可用于制造适用于无线网络基站和中继器的功率放大器等产品的高功率RF(射频)晶体管。
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