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绝缘栅双极晶体管
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2015-06-30 意法半导体推出S系列1200V IGBT绝缘双极晶体管
2015年6月25日,意法半导体推出S系列 1200V IGBT绝缘双极晶体管。当开关频率达到8kHz时,新系列双极器件的导通和关断综合损耗创市场新低,大幅度提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业电机等类似设备的电源转换效率。
2014-12-04 谈谈最近电子行业收购与被收购的事儿
功率器件在我国还属于朝阳产业,就其在中国发展的历程来看,从20世纪50年底的可控硅SCR发展到80年代的较为成熟的绝缘双极晶体管IGBT,发展时间较短。就其增长速度来看,市场规模增长速度较快,高于我国制造业的平均增长速度,并已经成为了全球最大的功率器件市场。
2014-12-04 功率器件行业面临的风险
功率器件在我国还属于朝阳产业,就其在中国发展的历程来看,从20世纪50年底的可控硅SCR发展到80年代的较为成熟的绝缘双极晶体管IGBT,发展时间较短。就其增长速度来看,市场规模增长速度较快,高于我国制造业的平均增长速度,并已经成为了全球最大的功率器件市场。
2014-11-19 IR推出新一代绝缘双极晶体管 (IGBT) 技术平台
IR推出1200V Gen8 IGBT系列,提升工业应用的基准效率和耐用性.国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。
2014-09-18 IR第八代IGBT技术平台和IR3847 SupIRBuck荣获"2014中国年度电子成就奖"
2014年9月18日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布旗下第八代 (Gen8) 1200V绝缘双极晶体管 (IGBT) 技术平台和IR3847 SupIRBuck大电流集成式稳压器荣膺业界闻名的“2014中国年度电子成就奖” 。
2014-06-11 大功率半导体国产化"三部曲"
五月初,我国首条8英寸IGBT芯片生产线在株洲正式投产。IGBT,学名绝缘双极晶体管,是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统,其地位相当于计算机世界中的“CPU”。
2014-05-15 IR扩充坚固可靠的600V节能沟道IGBT系列
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布扩充节能的600V绝缘双极晶体管 (IGBT) 系列,并提供多种封装选择。坚固可靠的全新IRxx46xx 器件系列为完整的功率应用范围作出优化,从小型马达和低负载产品到工业应用均涵盖其中,如不间断电源 (UPS) 、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接等应用。
2013-06-17 IR全新1200V超高速绝缘双极晶体管
IR全新1200V IGBT为电机驱动及不间断电源应用,提升功率密度和效率.
2012-09-05 IR推出600V绝缘双极晶体管系列
功率半导体和管理方案厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出600V绝缘双极晶体管 (IGBT) 系列,适合在10kHz以下工作的电机驱动应用,包括冰箱和空调的压缩机。
2012-07-25 瑞萨电子新增加13款IGBT功率半导体器件
瑞萨电子公司,高级半导体解决方案的主要供应商,今天宣布为其第七代具有业界领先性能的绝缘双极晶体管(IGBT)阵列增加13款新产品。
2011-09-06 IR 推出可靠的超高速 1200 V IGBT
功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源(UPS)太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘双极晶体管 (IGBT) 系列。
2011-03-31 华润微电子1200V Trench NPT IGBT工艺平台开发成功
华润微电子有限公司(后简称“华润微电子”)宣布其附属公司华润上华科技有限公司(后简称“华润上华”)已开发完成1200V Trench NPT IGBT(沟槽非穿通型绝缘双极晶体管)工艺平台,各项参数均达到设计要求,成功进入Trench IGBT代工市场。
2010-11-05 英飞凌携手两伙伴研究省电高达25%的节能电磁炉
在英飞凌牵头下,合作各方齐心协力利用可大幅降低电磁炉功耗的优化电力电子组件,开发经济高效的系统。为此,英飞凌着手开发先进的功率半导体,即所谓的IGBT(绝缘双极晶体管)。
2010-09-03 扶持政策出台 高压变频上游利好
据悉,在高压变频器中,约有一半的成本来自绝缘双极晶体管(IGBT)等电力电子元器件。相比中低压变频器,这类产品的价格与质量对高压变频器而言要重要得多。因此高压变频器厂商对电力电子元器件行业的关注从来没有放松过。2010年,他们发现国家对于电力电子元器件的重视程度也越来越高。
2010-08-29 增加功率比和占空比的隔离FET脉冲驱动器
当电路需要大功率时,设计者通常会将功率晶体管并联,这增加了输入电容。当你需要并联使用IGBT(绝缘双极晶体管)模块时,最好能共用栅极驱动,因为采用不同的驱动电路时,会给导通和关断时间带来额外的变化,使各个电源模块之间可能产生不平衡问题。
2010-03-31 华润微电子IGBT工艺平台通过产品设计验证
由中国科学院微电子研究所设计研发的绝缘双极晶体管系列产品于日前在华润微电子有限公司的工艺平台上流片成功,各项参数均达到设计要求,标志着华润微电子拥有了国内第一条完整通过客户产品设计验证的IGBT工艺线,双方正密切合作以进一步推动国产自主IGBT产品的大批量生产进程,以协助推进实现国内IGBT产业化的目标。
2009-11-18 IR推出采用焊前金属的汽车级绝缘双极晶体管
日前,国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用焊前金属 (Solderable Front Metal,SFM) 的 1200V 绝缘双极晶体管 (IGBT) AUIRG7CH80K6B-M,适用于电动汽车 (EV) 、混合电动汽车 (HEV) 和中功率驱动器中的高电流、高电压汽车逆变器模块。?
2009-08-31 IGBT模块集成温度测量和驱动元件
英飞凌(Infineon)日前推出IGBT(绝缘双极晶体管)MIPAQ base模块。该模块为IGBT三相逆变桥,内部集成电流取样电阻,适用55kW的工业驱动和伺服装置,满足低杂散电感的系统设计要求。此次推出的MIPAQ系列包括三大产品:MIPAQ base模块(已开始量产);MIPAQ sense模块(集成全数字化电流测量功能,提供电流隔离输出信号);MIPAQ serve模块(集成驱动/温度检测元件)。其中,MIPAQ base已开始批量生产,MIPAQ sense和MIPAQ serve模块已开始提供样品,英飞凌将于2009年第三季度批量生产。
2009-08-04 (多图) IGBT在客车DC 600V系统逆变器中的应用与保护
IGBT是大功率、集成化的“绝缘双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率双极型晶体管GTR与MOSFET场效应管的优点而发展的一种新型复合电子器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降的优点。
2009-06-04 英飞凌在2009 PCIM中国展会推出MIPAQ base量产模块
在上海举办的2009 PCIM中国展会上,英飞凌科技股份公司宣布推出IGBT(绝缘双极晶体管)MIPAQ base模块。该模块为IGBT三相逆变桥,内部集成电流取样电阻,适用高达55kW的工业驱动和伺服装置, 满足低杂散电感的系统设计要求。
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