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TO-247封装
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2014-11-19 IR推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台
IR推出1200V Gen8 IGBT系列,提升工业应用的基准效率和耐用性.国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。
2013-08-15 ST推出业界首款TO-247封装的650V汽车级MOSFET
意法半导体(ST)推出业界首款采用TO-247封装的650V汽车级MOSFET
2010-01-26 600V MOSFET继续扩展Super Junction FET技术
Vishay Intertechnology, Inc.推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),将其Super Junction FET技术延伸到TO-220、TO-220F、TO-247TO-263封装
2009-12-14 ST推出业界单位芯片面积通态电阻最低的超结器件
意法半导体(ST)日前推出一款全新功率 MOSFET产品,为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超高能效MDmesh V制造工艺和工业标准TO-247 封装,是业内通态电阻最低的650V MOSFET产品。
2009-07-29 Vishay推出采用TO-220、TO-220F和TO-247封装的新款500V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C,将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。
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