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FD-SOI技术
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2014-03-06 FD-SOI:向10nm技术节点发展的最佳选择
按照摩尔定律,芯片可容纳的晶体管数量每两年提高一倍。然而,摩尔定律不只是在同一颗芯片上将晶体管数量增加一倍的技术问题。
2013-04-07 ST产品、技术及高管入围《电子工程专辑》和《电子技术设计》电子成就奖
意法半导体(ST)的产品、技术及高管入围《电子工程专辑》和《电子技术设计》电子成就奖,FD-SOI 技术成功入围能源技术奖.
2013-03-12 ST 28纳米FD-SOI技术运行速度达到3GHz
意法半导体(ST)28纳米FD-SOI技术运行速度达到3GHz.快速简单且高能效得到证明,新技术不断取得更大成功.
2013-01-09 意法爱立信推出高集成LTE智能手机平台
意法爱立信开创智能手机新纪元宣布推出全球最快最酷的采用FD-SOI技术的LTE modem和应用处理器高集成平台,NovaThor L8580 ModAp平台采用具有突破性的FD-SOI工艺技术,创新的设计支持高达2.5GHz的eQuad处理器,并整合了先进的LTE多模modem.
2012-10-23 28纳米FD-SOI CMOS制程
意法半导体与Soitec携手通过CMP提供28纳米FD-SOI CMOS制程,半导体技术领先企业意法半导体、 Soitec与CMP携手为大学院校、研究实验室和工业企业设计下一代系统级芯片并提供工程流片服务
2012-06-15 意法半导体委托GLOBALFOUNDRIES代工28nm和20nm FD-SOI芯片
意法半导体宣布,引领全球半导体技术升级的半导体代工厂商 GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的 FD-SOI(全耗尽绝缘体上硅)技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。
2010-06-23 22nm以后的有力候选:FD-SOI元件与FinFET接近实用化的不断发布
22nm以后的晶体管技术领域,靠现行Bulk MOSFET的微细化会越来越困难的,为此,人们关注的是平面型FD-SOI(完全空乏型SOI)元件与基于立体通道的FinFET。
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