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高速MOSFET
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2013-05-15 Avago推出业内最快速1A和2.5A门驱动光电耦合器
Avago Technologies面向高开关频率应用推出新门驱动光电耦合器产品,业内最快速1A和2.5A门驱动光电耦合器支持高速SiC MOSFET.
2012-11-20 Microchip推出高电压模拟降压PWM控制器
Microchip推出集成MOSFET驱动器的高电压模拟降压PWM控制器,以及高速、低FOM的MOSFET系列,扩展Microchip的电源解决方案产品组合,以更高的集成度实现更高电压、更高功率DC/DC应用
2012-01-12 (多图) UCC27321高速驱动MOSFET芯片的应用设计
随着电力电子技术的发展,各种新型的驱动芯片层出不穷,为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路,外围电路大大减少,使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁,性能也获得到了很大地提高。其中UCC27321就是一种外围电路简单,高效,快速的驱动芯片。
2011-12-26 智能MOSFET驱动器提升数字控制电源性能的设计方案
在电源系统中,MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号,以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻,所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。
2011-02-24 PWM控制器UC3825在1MHz/100W功率信号源中的应用
介绍了一种正弦波功率信号源电路,该电路用高速双路PWM控制器UC3825为控制芯片,功率MOSFET为开关器件而构成的推挽逆变器,逆变器输出经高频LC滤波后输出1MHz/100W正弦波功率信号。实验证明电路产生的波形质量好,电路结构简单,控制方便,并具有体积小,效率高的特点。
2011-02-18 100V高速同步N沟道MOSFET驱动器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。
2010-06-25 完备的GOA笔记本电脑LCD屏电源方案
Maxim推出完备的阵列基板行驱动(GOA)笔记本电脑LCD屏电源方案MAX17117。该款高度集成的器件在25mm? TQFN封装内集成了用于TFT板栅极驱动器的7通道高压扫描驱动器、用于提供AVDD电源的MOSFET boost转换器、一个350mA LDO、以及为LCD背板提供偏置的高速运算放大器。
2010-03-11 (多图) 基于UCC27321高速MOSFET驱动芯片的功能与应用
随着电力电子技术的发展,各种新型的驱动芯片层出不穷,为驱动电路的设计提供了更多的选择和设计思路,外围电路大大减少,使得MOSFET的驱动电路愈来愈简洁,性能也获得到了很大地提高。
2010-01-27 Linear推出高速同步MOSFET驱动器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449,该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。
2009-12-02 具有高开关速度和过温保护功能的MOSFET驱动器可提高效率
日前,Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驱动器系列,该系列产品可提供2A 和4A 的峰值电流。该系列产品具有14 ns 至35 ns 的传播延迟和10 ns 至25 ns 的边沿上升/下降时间。
2008-12-08 100V 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出LTC4444-5 的高可靠性 (MP) 级新版本,该器件是一个高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 驱动器,以在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET
2008-09-11 利用智能MOSFET驱动器提升数字控制电源性能
在电源系统中,MOSFET驱动器一般仅用于将PWM控制IC的输出信号转换为高速的大电流信号,以便以最快的速度打开和关闭MOSFET。由于驱动器IC与MOSFET的位置相邻,所以就需要增加智能保护功能以增强电源的可靠性。
2008-07-21 Maxim推出高压、高速MOSFET驱动器用于驱动高边和低边n沟道MOSFET
器件具有高端(HS)引脚,允许高达125V的输入电压,该指标优于竞争产品的105V电压。MAX15018/MAX15019与工业标准的HIP2100IB和HIP2101IB引脚兼容,理想用于必须承受100V或更高瞬态电压的电信电源产品中,保证足够的安全裕量。
2008-06-30 凌力尔特推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4447
用来在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器加上功率 MOSFET 和一个凌力尔特的 DC/DC 控制器完整的高效率同步稳压器,该稳压器可用作降压或升压型 DC/DC 转换器。
2008-06-12 100V 高端/低端 N 沟道高速 MOSFET 驱动器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高频、高输入电源电压 (100V) MOSFET 驱动器 LTC4446,用来驱动双晶体管正激式转换器中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。
2008-05-08 绝缘三双极型功率管市场需求浅析
IGBT是MOS结构双极器件,属于兼具功率MOSFET高速性能与双极低电阻性能的功率器件。IGBT的应用范围一般都在耐压600V以上、电流10A以上、频率为1kHz以上的区域。鉴于IGBT的参数特性,IGBT目前主要应用在电机、变换器(逆变器)、变频器、UPS、EPS电源、风力发电设备、数码相机闪光灯充电器、电磁炉、变频家电等工业控制和消费电子产品中。
2008-04-02 Maxim推出单/双通道MOSFET驱动器
Maxim推出MAX15024/MAX15025高速、单/双通道MOSFET驱动器,采用3mm x 3mm、增强散热的TDFN封装。MAX15024是单通道栅极驱动器,能够吸入8A峰值电流、源出4A峰值电流。MAX15025是双通道栅极驱动器,能够吸入和源出高达4A的峰值电流
2008-03-20 Linear推出高速同步N沟道MOSFET驱动器
凌力尔特推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4443/-1,该器件用于驱动同步整流转换器拓扑中的高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。这个驱动器与功率 MOSFET 和凌力尔特公司众多 DC/DC 控制器之一相结合,可形成一个完整的高效率同步稳压器,以用作降压或升压型 DC/DC 转换器。
2007-12-06 Linear推出100V高速同步N沟道3A MOSFET驱动器
凌力尔特推出高速、高输入电源电压同步 MOSFET 驱动器 LTC4444,该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 N 沟道 MOSFET。
2007-12-04 Linear推出100V高速同步N沟道3A MOSFET驱动器
凌力尔特推出高速、高输入电源电压 (100V) 同步 MOSFET 驱动器 LTC4444,该器件用于在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端功率的 N 沟道 MOSFET。
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