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高功率半导体器件
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2013-05-09 飞兆车用三相变速逆变器功率模块支持更高的扭矩系统
飞兆半导体车用三相变速逆变器功率模块支持更高的扭矩系统,可节省能源并减少二氧化碳排放.该器件可缩短开发时间、增加可靠性、简化高功率电机驱动级装配.
2011-05-26 飞兆半导体推出Generation II XS DrMOS器件
高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出一系列Generation II XS DrMOS (集成式驱动器 + MOSFET) 器件,这些器件能够提供高效率和高功率密度,可让设计人员满足不同应用的特定设计需求。
2010-11-05 (多图) 满足供电需求的新型封装技术和MOSFET
在小尺寸器件中驱动更高功率得益于半导体和封装技术的进步。一种采用顶部散热标准封装形式的新型功率MOSFET就使用了新一代半导体技术,在效率等级、功率密度和可靠性等方面都达到了新的水平。
2009-07-08 飞兆半导体双MOSFET器件为同步降压应用提供高效率和高功率密度
日前,飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员带来业界领先的双MOSFET解决方案FDMC8200,可为笔记本电脑、上网本、服务器、电信和其它 DC-DC 设计提供更高的效率和功率密度。
2008-07-29 吉时利半导体特征分析系统扩展了C-V、I-V和脉冲式I-V特征分析功能
吉时利针对其的4200-SCS半导体特征分析系统推出了KTEI V7.1版。支持更高功率半导体器件的测试。
2008-04-25 飞思卡尔推出四组输出集成MOSFET器件MC34700
随着电子制造商把越来越多的功能封装到更小的器件,空间在电源|稳压器供给以及系统主板上就显得尤为珍贵。为了帮助开发人员设计紧凑电源,飞思卡尔半导体在其电源管理产品系列中添加了MC34700电源集成电路,这些产品已经对空间受限的高电压和高功率应用进行了优化。
2008-04-24 飞思卡尔以节约空间的电源IC简化电源设计
随着电子制造商把越来越多的功能封装到更小的器件,空间在电源供给以及系统主板上就显得尤为珍贵。为了帮助开发人员设计紧凑电源,飞思卡尔半导体在其电源管理产品系列中添加了MC34700电源集成电路(IC),这些产品已经对空间受限的高电压和高功率应用进行了优化。
2005-05-04 MOSFET驱动器提高ATX电源效率至80%
安森美半导体推出一款后稳压、双N沟道MOSFET驱动器NCP4330,该器件能提高常用于ATX和高功率开关电源的正激转换器的效率,可帮助设计工程师满足ATX电源中越来越严格的效率要求。
2004-12-02 泰科电子推出小型脚式带尾纤6针迷你DIL封装器件
泰科电子下属之LDI (Laser Diode Incorporated)公司是高功率及通讯用半导体激光器件制造方面的领先企业, 最新推出用于发射器产品的可选式小型脚式带尾纤迷你DIL器件。
2004-04-06 安森美推出首个700V最高启动电压有源箝位电压式PWM控制器
为应对电源行业向更高效率和功率密度发展的趋势,安森美半导体公司新推出NCP1280高度集成的电压式PWM控制器,是业界首个为有源箝位电路提供高电压(高达700V)启动。此器件的理想应用包括同步整流/ 有源钳位设计的中到高功率离线电源,这些设计用于如计算电源、电信前端电源系统和高端消费设备,如等离子或LCD电视。
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