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非易失性DRAM
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2015-08-21 盘点英特尔(Intel)的那些酷炫黑科技
在开幕的IDF会议上,Intel公开了基于黑科技3D XPoint闪存的Octane硬盘技术,现场演示的是PCI-E接口的Octane硬盘,性能达到了当前顶级PCI-E硬盘的5-7倍。但是PCI-E硬盘只是Intel Octane计划的一部分而已,别忘了3D XPoint闪存本身很特殊,既可以做NAND闪存也可以做DRAM内存,Intel还准备了DIMM内存型的Octane,号称成本只有DDR内存的一半,但容量是DDR的4倍,更关键的是它还是非易失性的,断电不丢失数据。
2014-12-18 内存数据库系统,NVDIMM和数据持久性
非易失性双列直插式内存模块或NVDIMM的出现增加了针对内存数据库持久性的一种新工具。NVDIMM采用标准记忆棒的形式,可插入现有的DIMM插座,因此简化了到现成平台的集成。通常它们包含标准DRAM、NAND闪存和超级电容电源。
2012-11-08 FRAM:新一代通用存储器
铁电非易失性随机存取存储器(FRAM)是一种高性能、低功耗的非易失性存储器,结合了传统非易失性存储器(闪存和E2PROM)和高速RAM(SRAM和DRAM)的优点。因此,可以说FRAM代表了新一代通用存储器。
2008-06-03 内存市场不断进化 潜力有待充分挖掘
利用目前的制程工艺,DRAM电容器与闪存存储单元的尺寸已接近物理极限,难以进一步缩小。因此,内存制造商投入更多的精力开发DRAM和闪存以外的另类内存解决方案。面向特定用途的几种不同的专用内存目前已经可供使用。虽然这些新产品近期都不太可能挑战批量产品,但至少都有提供以下特点的可能性:以低功耗快速读写;非易失性,具有较长的数据保持时间与循环寿命;较小的单元尺寸。
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