EDN China首页 > 高级搜索 > FinFET器件

FinFET器件 FinFET器件 搜索结果

FinFET器件
本专题为EDN China电子技术设计网的FinFET器件专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与FinFET器件相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
  • 文章
    (3)
  • 论坛
    (0)
  • 博客
    (0)
共搜索到3篇文章
2016-02-02 首批16nm高端FinFET FPGA正式发售 较28nm性能功耗比提升2-5倍
丰富的UltraScale+产品组合充分发挥赛灵思在28nm、20nm和现在16nm技术节点上的领先优势,相对于28nm 器件能将系统级性能功耗比提升2-5倍。
2015-07-03 FinFET对动态功耗的影响
FinFET已经投产,并且在可扩展性、性能和泄漏功耗等方面具有很好的前景,但给设计实现流程增加了更多的复杂性。具有FinFET意识的设计实现和贯穿整个流程的有效动态功耗控制是发挥这些3D器件全部潜能的关键。
2012-03-08 IMEC发布首款14nm工艺开发套件,测试芯片下半年推出
IMEC发布了一个早期版本的逻辑工艺开发套件(PDK),该套件支持多种有可能在14纳米节点应用的技术,包括FinFET器件和极端紫外线光刻技术。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈