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2013-04-11 (多图) 用eGaN FET砖式转换器改进电源
隔离型砖式转换器广泛地应用于电信系统,为网络设备提供工作电源。这些砖式转换器可以提供各种标准尺寸和输入/输出电压范围。它们中大多数可以在2:1甚至高达4:1的大输入电压范围内工作。
2013-03-04 向前迈进 eGaN FET全新市场及应用分析
他们尝试利用具备更高击穿电压及更高效电源转换性能的氮化镓晶体管来替代硅MOSFET器件,其目标是开发出可以在严峻环境下工作并具备更高性能的电子器件。宜普电源转换公司(EPC)于2010年为电源转换市场开发出了第一代增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。
2012-03-29 加快eGaN发展 EPC称硅FET已走到尽头
EPC共同创始人兼首席执行官AlexLidow表示,与Si或SiC相比,GaN是一种具有更高电气性能的半导体材料。
2011-08-30 EPC推出第二代eGaN FET的最新成员:EPC2014
宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2014。
2011-08-16 EPC推出第二代200V功率晶体管:EPC2012
宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)系列中的最新成员——EPC2012。
2011-07-31 EPC的eGaN FET实现更高的功率密度水平
美国国家半导体(NS)近日推出了业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器LM5113,宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion,EPC)创始人之一兼首席执行官Alex Lidow表示:“NS的LM5113桥式驱动器与我们的eGaN FETs配合使用,可以大幅缩小PCB面积,实现更高的功率密度水平,而基于等效MOSFET的设计是做不到这一点的。”
2011-06-10 宜普推出第二代200V增强型氮化镓功率晶体管:EPC2010
宜普电源转换公司宣布推出了第二代eGaN场效应晶体管(FET)系列产品中的最新成员EPC2010,具更卓越性能,不仅环保、不含铅,而且符合RoHS(有害物质限制)指令。
2011-06-09 宜普公司推出新款开发板:EPC9003
随着宜普EPC9003开发板的推出,用户可以更加容易在许多应用中开始利用宜普200V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管(FET)进行设计,例如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电和同步整流等应用。
2011-03-17 宜普电源转换公司(EPC)发布两款无铅且符合RoHS要求的 eGaN FET
宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN) FET
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