EDN China首页 > 高级搜索 > 4GB DRAM

4GB DRAM DRAM4GB 搜索结果

4GB
本专题为EDN China电子技术设计网的4GB专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与4GB相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
  • 文章
    (11)
  • 论坛
    (0)
  • 博客
    (0)
共搜索到11篇文章
2014-03-17 业界最尖端20纳米4Gb DDR3实现量产
三星电子量产业界最尖端20纳米4Gb DDR3,作为尖端半导体解决方案的全球领先企业,三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM
2013-04-03 2013 DRAM产业五大重点发展趋势
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXchange调查显示,12月上旬合约价格受到现货价格拉抬的激励,平均涨幅约2%,下旬合约价更延续上旬上涨的气势,尤其是主流模组4GB的高价位价格上涨最多,达到3.17%,成交价格落在美金16.25元,与合约均价价格(美金15.75美元)的价差已经拉大到呈现0.5美元的间距,显示不同DRAM产业五大趋势分析.
2011-08-03 Gartner:DRAM价格Q3趋稳 明年营收增9
市场研究机构Gartner表示,DRAM在历经去年大幅增长后,预计今年DRAM厂营收将下滑12.4%,1Gb平均价格为1.49美元,跌幅为42.3%,随着DRAM价格有机会在三季度趋于平稳,2012年营收将增长9.4%,1Gb平均价格跌幅减低至25.4%,不过2013年将再面临一次大幅衰退
2011-07-15 未来半年是LED保护元件的关键时机
根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,七月上旬合约价再度呈现下跌的价格走势,DDR3 2GB及4GB合约均价分别在16美元(1Gb $0.84)及31美元(2Gb $1.78),跌幅各为7.25%与7.46%,此价格已经逼近金融风暴时期的最低价格水位,从市场面来观察,由于三月日本地震过后,PC-OEM厂曾提升手上库存水位,以防出货发生断炼危机,亦让五月合约价格起涨最高至19美元,但由于全球市场对于下半年PC出货数字趋向保守,PC-OEM厂亦纷纷调降出货目标,甚至六月部份合约客户取消原本要进货的数量,调降目前高达4-6周左右的库存水位,故七月上旬合约价方面,在PC-OEM客户采购意愿不高与DRAM厂有出货压力下,合约价格已转为买方主导,上旬合约价一路下探至15.5美元价位,七月下旬合价格不排除将继续探底。
2011-03-27 三星开始大批量生产移动4GB DRAM内存芯片
日前,据国外媒体报道,全球最大的内存芯片厂商三星电子称,它已经开始大批量生产新型移动DRAM内存芯片。这种内存芯片在更薄的封装中增加内存的密度。
2011-02-18 DRAM合约价酝酿反弹 暂无崩盘之忧
DRAM合约价在2010年第4季跌幅高达50%,随著现货价在农历年前率先反弹,2011年2月DRAM合约价亦走向止跌,存储器模块厂表示,近期甫出炉1Gb、2Gb、4Gb产品合约价都呈现止跌迹象,由于目前现货价比合约价至少高出20%,使得DRAM厂在合约价谈判上轻松许多;南亚科则预计,2月DRAM合约价涨幅目标是至少5%。
2009-12-24 PC DRAM容量提升至2.92GB DRAM现货价大涨3
沈寂已久的DRAM价格再度动起来,存储器厂对于DRAM产业后市看法相当乐观,DRAM厂供货呈现小幅吃紧状态,目前个人计算机(PC)搭载存储器平均容量成长16%至2。92GB,未来消费性PC机种搭载DRAM容量可望升级至4GB,市场对于后市看法相当乐观,原本外界预期12月合约价格会开始下跌,反应淡季效应,但目前开出是持平,反映市场供给不多,而22日现货价格又开始蠢蠢欲动,一口气大涨3%;此外,下游模块厂皆看好2010年DRAM市场表现将优于NANDFlash市场。
2009-09-24 4DRAM厂现金呈现正流入状态
DRAM价格涨不停,1Gb容量DDR2价格直逼2美元,苦熬多时的台系DRAM厂终于进入现金正流入的状态,包括华亚科、力晶和茂德营运都终止失血,南亚科在自己晶圆厂生产部分也开始有现金流入,但采购自华亚科的部分,受到母子公司拆帐仍是Margin-Sharing模式,因此部分还是现金流出,但以整个台塑集团的DRAM事业来看,已进入现金正流入状态,下一步台系DRAM业者的目标是转亏为盈。
2008-05-22 DRAM激情一刻 现货市场表现平静难共鸣
据境外媒体报道,由于19日长达15个小时的停电原因,造成海力士(Hynix)大陆无锡晶圆厂停产,因此,影响了产能大约一周,存储器业者指出,这意味着使得全球供给量短少了3~4%,相应地使得5月下旬DRAM合约价随即上涨5~10%,其中,1GB模块上涨幅度更高达10~20%。
2006-04-03 (多图) 多点测试的挑战
这看起来很简单。如果你想要降低测试IC的成本,你就需要把2个甚至4个器件放在一起进行测试。存储器制造商已经毫无疑问地证明了这种方法的价值——并行测试128个DRAM器件已经成为一种标准的惯例。多点测试已经将每个DRAM测试点的资金投入从1997年的40万美元降低到2004年的约2.7万美元。尽管在同一个时期内存储器的密度从64Mb增加到了1Gb,但存储器的测试成本稳中有降。
2005-06-01 ST与Hynix在无锡合建DRAM和NAND生产线
意法半导体(ST)与海力士半导体(Hynix)在无锡的存储器芯片前端制造合资工厂破土动工,项目计划总投资20亿美元。该工厂将拥有8英寸和12英寸两条生产线,主要提供DRAM内存和NAND闪存产品。首批DRAM和NAND产品的容量分别为512Mb和4Gb~8Gb,2007年将能够供应1Gb的DRAM和8Gb~16Gb的NAND产品。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈