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超级结MOSFET
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2014-09-24 东芝超级MOSFET荣获“2014年度中国电子成就奖”的“年度优秀产品奖”
2014年9月23日–日本半导体制造商株式会社东芝(Toshiba)旗下东芝半导体&存储产品公司宣布,东芝超级MOSFET荣获“2014年度中国电子成就奖”的“年度优秀产品奖”。
2013-06-05 Vishay大幅扩充650V N沟道功率MOSFET家族
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级技术,导通电阻低至30m?、电流达6A~105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度.
2012-10-25 Vishay扩充600V N沟道功率MOSFET系列
Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列,新的E系列器件具有低至39m?的导通电阻和7A~73A电流,采用的超级技术可实现低FOM和高功率密度,具有8种封装
2012-07-10 瑞萨电子推出新款超级MOSFET
瑞萨电子公司,高级半导体解决方案的主要供应商,今天宣布推出三款新型超级结金属氧化物场效应三极管(超级MOSFET)。
2010-07-02 650V CoolMOS C6/E6高压功率晶体管
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。
2009-08-26 飞兆半导体推出新一代超级MOSFET
日前,飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来SupreMOS新一代600V超级MOSFET系列产品。
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