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P沟道MOSFET
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2014-02-14 (多图) 用于车载USB供电的非同步BUCK控制器
不少整车厂对USB电源有着非常严苛的要求,6V电池电压下要保证5V输出,考虑到输入端的反极性保护及线损,USB电源的输入端电压会更低。这对车载USB电源的设计是个挑战。常用的BUCK电路,出于成本考虑,会选用N沟道MOSFET。但是在车载USB电源的应用中,成本较高的P沟道MOSFET却更有优势。
2014-01-24 具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-06 Vishay推出业内最小-20V P沟道Gen III MOSFET
又是一年高交会电子展,各大厂商分别展出了自己的最新技术。然而,与往年不同的是,东芝半导体&存储产品公司展台吸引了络绎不绝的观众来此参观——这是东芝公司首次参加高交会,带来的产品也颇具特点。
2013-12-03 Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻,-12V和-20V器件采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装,3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位体积。
2013-09-09 超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET
Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻.器件采用2mm x 2mm PowerPAK SC-70封装.
2013-07-17 Vishay利用新-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品
Vishay利用PowerPAK封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品,首款40V P沟道Gen III器件,首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET.
2013-07-17 澜起高清解码器芯片M88VS3001实现量产
Vishay利用PowerPAK封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品,首款40V P沟道Gen III器件,首款PowerPAK 1212-8S封装的30V MOSFET.
2012-11-29 Vishay发布新款采用20V P沟道MOSFET
器件采用3.3mm平面封装并在4.5V栅极驱动下具有4.8m?低导通电阻
2012-10-09 Vishay扩充P沟道功率MOSFET
Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFET Gen III技术的12V和30V MOSFET具有业界最低导通电阻
2012-05-16 飞兆半导体P沟道PowerTrench WL-CSP MOSFET最大限度减小便携线路板空间
便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势,飞兆半导体开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
2012-02-17 Vishay Siliconix推出新款P沟道30V芯片级MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片级MOSFET,是目前市场上尺寸最小的此类器件;而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片级器件中具有最低的导通电阻。
2011-12-30 用自供电的运放建立一个低泄漏整流器
用一只精心挑选的运放、一个低阈值的P沟道MOSFET,以及两只反馈电阻,就可以做出一个正向压降小于二极管的整流电路。整流后的输出电压为有源电路供电,因此不需要额外的电源。电路的静态电流低于大多数肖特基二极管的反向泄漏电流。
2011-10-20 Vishay推出最小N沟道和P沟道功率MOSFET:Si8802DB和Si8805EDB
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。
2011-09-13 英飞凌推出单P沟道40V汽车电源MOSFET产品:OptiMOS P2
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。
2011-08-17 Vishay推出新款P沟道TrenchFET功率MOSFET:SiB437EDKT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiB437EDKT。
2011-03-14 Vishay Siliconix发布TrenchFET功率MOSFET
采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内,新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。
2011-03-03 Vishay Siliconix推出新款双芯片P沟道器件
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-02-11 IR 推出坚固可靠的车用平面 MOSFET系列
新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术,包括 55V 和 150V 标准栅极驱动 N 沟道 MOSFET,以及适用于高侧开关应用的 -55 V 和 -100 V 标准栅极驱动 P 沟道 MOSFET ,这些技术不需要额外的栅极驱动电荷泵。
2011-01-25 Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2010-12-17 3A输出、2MHz同步降压-升压型DC/DC转换器
LTC3113 包括两个 N 沟道 MOSFET 和两个 P 沟道 MOSFET (RDS(ON) ?分别为 29mΩ 和 40mΩ),以提供高达 96% 的效率。用户可选突发模式 (Burst Mode) 工作将静态电流降至仅为 40uA,从而提高了轻负载效率并进一步延长了电池运行时间。就噪声敏感应用而言,可停用突发模式,以实现最低噪声工作。其他特点包括软启动、电流限制、热停机和输出断接。
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