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GaAs功率放大器
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2011-06-30 针对SMPS设备进行优化的全新CDMA/WCDMA/LTE功率放大器
成立于1985年的ANADIGICS公司在高性能射频集成电路(RFIC)设计领域拥有自己的“独门绝技”,这就是可提供基于砷化镓(GaAs)工艺技术的高线性高效率射频放大器。日前,该公司又推出采用其第三代低功耗高效率 (HELP) 技术的全新功率放大器 (PA) 系列产品。新的HELP3DC? AWT663x系列功率放大器是专门针对CDMA、WCDMA/HSPA和LTE设备中包含开关模式电源 (SMPS) 、DC/DC转换器或包络跟踪IC进行优化,以便对功率放大器的工作电压进行控制。
2010-12-27 基于GaN晶体管技术的EMC测试放大器
新产品放大器采用了第三代宽带隙GaN晶体管技术,与现有的来自IFI、TESEQ、AR、PRANA和BONN的放大器相比,在同一封装内,功率可比上一代Si LDMOS、GaAs技术高10倍?20倍,可靠性提高20倍,寿命达到100万小时;采用CSA拓扑结构的该放大器具有250W、400W及750W 三种不同的P1dB输出功率,可用在3U、7U和15U机箱中,并支持从250W到750W的升级。
2010-08-26 18 GHz移动通讯回程应用需要高效1W GaAs MMIC放大器
回程取决于光纤、微波和毫米波的单独或全部的链接,近来的无线方案都要求射频功率器件和放大器具有极好的性能。TriQuint半导体的TGA4532-SM 1-W GaAs MMIC功率放大器正是为满足17.7-19.7GHz带宽的无线回路的需求所设计。
2008-12-01 CMOS功放欲颠覆传统技术
Axiom Microdevices近日展示了互补金属氧化物半导体功率放大器(CMOS PA)。通过开拓性的集成电路技术创新,Axiom Microdevices利用其专利技术为手机制造商们提供了一种替代传统砷化镓功率放大器GaAs PA)解决方案。
2008-11-10 锐迪科微电子推出高线性2.5-2.7 GHz WiMAX宽带功率放大器
锐迪科微电子(RDA)近日宣布,采用GaAs InGaP HBT工艺的高线性2.5-2.7GHz WiMAX宽带功率放大器RDAW263投入量产。RDAW263具有非常出色的性能,在高水平的输出功率下表现出优异的线性和效率。
2008-10-20 锐迪科微电子推出高线性2.5-2.7 GHz WiMAX 宽带功率放大器
锐迪科微电子 (RDA) 宣布,采用 GaAs InGaP HBT 工艺的高线性 2.5-2.7 GHz WiMAX 宽带功率放大器 RDAW263 投入量产。
2008-10-15 Axiom Microdevices的CMOS功放提供更优化及更可靠的射频方案
Axiom Microdevices展示了互补金属氧化物半导体功率放大器(CMOS PA)技术。通过开拓性的集成电路技术创新,Axiom Microdevices利用其专利技术为手机制造商们提供了一种替代传统砷化镓功率放大器(GaAs PA)的解决方案。
2006-12-04 28V InGaP/GaAs HBT功放提供出色线性度和高效率
长期以来,制造功率放大器的主要工艺技术一直是硅LDMOS,但采用硅LDMOS制造工艺的功率放大器,往往不能满足在达到出色的线性度的情况下又具有很高的效率。
2005-08-02 多种砷化镓通用放大器
飞思卡尔半导体推出11种砷化镓(GaAs)通用放大器(GPA)系列设备。这些功率放大器直接使用5V直流电源运行,提供了从DC到6GHz的多种电源选择和频率范围,而且包括了常见应用的直接替代品。
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