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TrenchFET
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2016-05-05 TrenchFET? IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源
TrenchFET? IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代产品。与TrenchFET III相比,TrenchFET IV的导通电阻(RDS(ON))和栅极电荷(QG, QGD)数值都有所减小,降低了同步DC/DC转换器中的损耗。
2015-04-03 Silicon Labs新型数字音频桥接芯片助力iOS配件创新
Vishay新款40V TrenchFET功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案,器件是业内首颗通过AEC-Q101认证的完全无铅的MOSFET,占位面积8mm x 8mm.
2015-04-03 业内首颗使用8mmx8mm占位的功率MOSFET
Vishay新款40V TrenchFET功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案,器件是业内首颗通过AEC-Q101认证的完全无铅的MOSFET,占位面积8mm x 8mm.
2014-01-24 具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP,扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-09-09 超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET
Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻.器件采用2mm x 2mm PowerPAK SC-70封装.
2013-04-26 Vishay新MOSFET可提供18m欧姆导通电阻
Vishay Siliconix 扩展ThunderFET的电压范围,150 V N沟道TrenchFET功率MOSFET为DC/DC应用提供18m?导通电阻.
2013-01-11 Vishay采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的功率MOSFET
Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的功率MOSFET,新款100V N沟道TrenchFET功率MOSFET采用ThunderFET技术,在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83m欧姆的低导通电阻.
2012-12-07 Vishay推出新款40V N沟道功率MOSFET
Vishay Siliconix 推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET,器件采用7脚D2PAK封装并具有1.1mΩ的低导通电阻和200A的连续漏极电流.
2012-10-09 Vishay扩充P沟道功率MOSFET
Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFET Gen III技术的12V和30V MOSFET具有业界最低导通电阻
2012-06-28 Vishay推出新款8V N沟道TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-05-08 Vishay新一代TrenchFET MOSFET再度刷新业内导通电阻最低记录
日前,Vishay宣布,推出其新一代TrenchFET Gen IV系列30V n沟道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。
2012-02-17 Vishay Siliconix推出新款P沟道30V芯片级MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB,扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片级MOSFET,是目前市场上尺寸最小的此类器件;而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片级器件中具有最低的导通电阻。
2011-12-20 Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET荣获《电子技术应用》杂志“中国优秀电子产品”奖
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET 荣获专业媒体《电子技术应用》(AET)的“中国优秀电子产品”奖。
2011-08-17 Vishay推出新款P沟道TrenchFET功率MOSFET:SiB437EDKT
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiB437EDKT。
2011-03-31 Vishay发布新款TrenchFET功率MOSFET:SiR640DP和SiR662DP
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布新款40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK? SO-8封装,具有业内最低的导通电阻,以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积,即优值系数。
2011-03-14 Vishay Siliconix发布TrenchFET功率MOSFET
采用0.6mm超低外形的热增强Thin PowerPAK SC-70封装的新款30V N沟道---SiA444DJT和20V P沟道TrenchFET功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面积内,新的SiA444DJT实现了N沟道MOSFET当中业内最低的外形,而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P沟道器件中最低的导通电阻。
2011-03-07 Vishay推出两款新的100V N沟道TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出两款新的100V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET技术,在具有4.5V电压等级的100V MOSFET中具有业内最低的导通电阻。
2011-03-03 Vishay Siliconix推出新款双芯片P沟道器件
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有8V栅源电压和迄今为止双芯片P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-25 Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2010-07-09 新款ThunderFET功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET?功率MOSFET --- ThunderFET SiR880DP。
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