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SiC肖特基二极管
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2013-01-25 最新电源管理产品600V CoolMOS P6和第五代thin Q!提升能源使用效率
英飞凌也推出了其第五代的thin Q!SiC肖特基势垒二极管,改进了热特性,优值系数(Qc×Vf)较前代SiC二极管降低了大约30%,可使PFC电路达到最高效率水平,并具有更高的击穿电压,达650V(第二代和第三代都为600V)。
2013-01-08 罗姆无肖特基势垒二极管SiC-MOS模块开始量产
业界首家!无肖特基势垒二极管SiC-MOS模块开始量产,支持1200V/180A,大幅降低逆变器电力损耗.
2012-11-22 Microsemi新肖特基二极管提升电气功率转换效率
Microsemi新型SiC肖特基二极管提升电气功率转换效率,新器件瞄准大功率高压工业应用.
2012-10-11 英飞凌第五代肖特基势垒二极管
英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管,壮大其SiC(碳化硅)产品阵容。
2010-05-20 TO-220 FullPAK封装第二代碳化硅肖特基二极管
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离套管和隔离膜,使安装更加简易、可靠。
2009-03-09 ST新型碳化硅肖特基二极管可在开关操作中降低能耗
功率半导体世界领先厂商意法半导体,率先推出可在开关操作中降低能耗的碳化硅(SiC二极管。STPSC806D和STPSC1006D碳化硅肖特基二极管对太阳能电源系统转换器特别有用,因为能效对于太阳能电源极其重要。
2009-03-09 ST新型碳化硅肖特基二极管可在开关操作中降低能耗
功率半导体世界领先厂商意法半导体,率先推出可在开关操作中降低能耗的碳化硅(SiC二极管。STPSC806D和STPSC1006D碳化硅肖特基二极管对太阳能电源系统转换器特别有用,因为能效对于太阳能电源极其重要。
2009-02-24 ST碳化硅肖特基二极管提高太阳能电源系统、服务器电源系统、马达控制器等应用的能效
电源开关使用的普通硅二极管因为无法立即关断而导致电源能效损失1%。意法半导体率先推出可在开关操作中降低能耗的碳化硅(SiC)二极管
2009-02-18 英飞凌推出性能改进的第三代碳化硅肖特基二极管
英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会(APEC)上推出第三代thinQ!?? SiC肖特基二极管
2006-11-01 (多图) 基于混合PN/肖特基结构的新一代600V SiC肖特基二极管
第二代碳化硅(SiC肖特基二极管——thinQ!2G是由一个肖特基结构和一个与它平行的独特的低电阻PN结组成,因此具备更加强大的浪涌电流处理能力,同时又继承了第一代碳化硅肖特基二极管所实现的良好的动态性能。
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