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PHEMT FET 场效应晶体管FET 搜索结果

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2005-02-22 安捷伦科技丰富其高线性度E-pHEMT FET产品系列
安捷伦科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布,在其高线性度E-pHEMT (增强模式伪形态高电子迁移率晶体管) FETs (场效应管) 产品系列中增加两款采用4.5 mm x 4.1 mm x 1.5 mm行业标准表面封装的SOT-89新产品。
2003-09-12 安捷伦科技为无线基础设施推出6 GHz
最高线性度的增强模式PHEMT FET

北京-安捷伦科技日前宣布,推出最高线性度的E-pHEMT (增强模式伪形态高电子迁移率晶体管) 场效应管 (FET)。这款产品采用了新型低热电阻的微型2 mm x 2 mm 的8针LPCC(无引线塑料芯片载体)封装形式。
2003-08-11 安捷伦科技为无线基础设施推出6GHz最高线性度的增强模式PHEMT FET
北京-安捷伦科技日前宣布,推出最高线性度的E-pHEMT (增强模式伪形态高电子迁移率晶体管) 场效应管 (FET)。这款产品采用了新型低热电阻的微型2 mm x 2 mm 的8针LPCC(无引线塑料芯片载体)封装形式。
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