EDN China首页 > 高级搜索 > DirectFET

DirectFET DirectFET 搜索结果

DirectFET
本专题为EDN China电子技术设计网的DirectFET专题,内容全部来自电子技术设计网精心选择与DirectFET相关的资讯。EDN China 是第一家关注中国电子设计领域的媒体。在过去的20年,针对中国设计经理人和工程师的不同需要,不断提供最先进和有深度的设计技术和应用。
  • 文章
    (32)
  • 论坛
    (0)
  • 博客
    (0)
共搜索到32篇文章
2012-08-06 (多图) 氮化镓晶体管封装的先进性和热建模分析
随着过去几年低压硅MOSFET性能的不断改善,缺乏高性能封装已经成为一个主要因素,使器件性能受限,这激励了业界开发出像DirectFET及PolarPAK的创新封装。那么高性能封装主要的要求是什么?而什么样的封装才是“理想”封装?
2011-01-01 为注重成本的DC-DC应用而设计的芯片组
IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可减少元件数量达30%,大幅降低了整体系统成本。这些新款DirectFET MOSFET具有低电荷和低导通电阻 (RDS(on)) ?,最大限度减少了传导及开关损耗。
2010-12-14 为注重成本的DC-DC应用而设计的芯片组
IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可减少元件数量达30%,大幅降低了整体系统成本。这些新款DirectFET MOSFET具有低电荷和低导通电阻 (RDS(on)) ?,最大限度减少了传导及开关损耗。
2010-09-13 针对开关应用的具有低栅级电荷的车用DirectFET2功率MOSFET
AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2 是 IR为 DC-DC 应用量身定制的首款汽车级 DirectFET器件,提供低栅级电荷和导通电阻 (RDS (on) ) ,有助于将各种开关应用的开关和传导损耗降至最低。
2010-08-27 为D类应用优化的汽车用DirectFET 2功率MOSFET
AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件,拓展了 IR 适用于汽车 D 类音频系统的 DirectFET 2 功率 MOSFET 阵营,并利用低栅极电荷 (Qg) 作出优化,来改善总谐波失真 (THD) 和提高效率,而低二极管反向恢复电荷 (Qrr) 则进一步改善了总谐波失真,降低了电磁干扰 (EMI) 。
2010-04-16 25V DirectFET芯片组面向高频率DC-DC开关应用
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组,为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。
2009-08-11 IR推出采用新款大罐式DirectFET封装MOSFET
日前,国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的通态电阻 (RDS(on)),并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。
2008-07-15 IR推出为高频和高效DC-DC应用优化的25V DirectFET芯片组
国际整流器公司推出25V同步降压式转换器DirectFET MOSFET芯片组,适用于负载点 (POL) 转换器设计,以及服务器、高端台式和笔记本电脑应用。
2008-05-28 IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列为同步降压转换器设计
2008年5月27日,国际整流器公司 (International Rectifier) 推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形,以及记忆体稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
2007-09-29 IR 授权英飞凌科技使用DirectFET封装技术
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 与英飞凌科技股份有限公司 (Infineon Technologies) 共同宣布,后者将获授权使用IR的DirectFET先进功率管理封装专利技术。
2007-02-09 IR授权使用DirectFET封装技术
IR近日与两家总部分别位于不同地区的半导体供应商达成协议,授权他们使用 IR 的 DirectFET 封装技术。
2007-02-01 应用于DC-DC转换器的150V DirectFET MOSFET
国际整流器公司推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF,适用于36V~75V通用电信输入及48V固定输入系统等多种运行环境的隔离式DC/DC转换器。
2006-12-20 IR应用于DC-DC转换器的150V DirectFET MOSFET散热效果更佳
国际整流器公司推出最新150V DirectFET MOSFET IRF6643PbF,适用于36V至75V通用电信输入及48V固定输入系统等多种运行环境的隔离式DC-DC转换器。
2006-12-04 效率高达95%的200V DirectFET MOSFET
国际整流器公司(IR) 新推出的200V DirectFET器件是应用于专为36V ~ 75V通用输入范围内操作的隔离式 设计DC/DC转换器。
2006-11-28 IR最新MOSFET效率高达95%
IR推出IRF6641TRPbF功率MOSFET,采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200VHEXFET MOSFET硅技术,可实现 95% 的效率。
2006-11-21 IR:适应高功率密度设计的新型DirectFET封装
当芯片导通阻抗与封装阻抗达到同一量级后,对芯片器件外封装的冷却和散热性能提出新的要求。传统的SO-8散热技术虽然能够在一定程度上改善器件的热导效应,但是在散热效率和PCB占用面积等方面的特性很难达到理想的水平。DirectFET是创新性的器件双面冷却散热技术,其充分考虑到器件外封装对芯片和电路板的整体影响,有助于改善芯片和板卡的功率密度性能与散热效率,同时能够减少电路板的占用面积,对于使用大量服务器的系统结构最为适合。
2006-08-04 IR推出三款新型25V DirectFET MOSFET
国际整流器公司近日推出三款新型25V DirectFET MOSFET,包括IRF6622控制MOSFET、IRF6628和IRF6629同步MOSFET,主要应用于服务器和电信系统中的嵌入式CPU电源、VRM模块,以及嵌入式DC-DC转换器。这些应用需要更高的效率和更好的导热效果,从而提高功率密度。
2006-08-01 谐波失真为0.01%的六通道D类音频参考设计
国际整流器公司推出IRAUDAMP3 D类音频参考设计。这款全新的小型参考设计采用IRS20124S高压模拟IC及IRF6645 DirectFET功率MOSFET,可实现无散热器的120W 六通道半桥D类音频功率放大器。
2006-06-26 IR小型120W六通道半桥D类音频功率放大器
国际整流器公司推出IRAUDAMP3 D类音频参考设计。这款全新的小型参考设计采用IRS20124S高压模拟IC及IRF6645 DirectFET 功率MOSFET,可实现无散热器的120W 六通道半桥D类音频功率放大器。
2006-03-10 IR推出IRDC2086-330W参考设计 工作效率提升至97%
IR近日推出针对IR2086S DC总线转换器控制IC及DirectFET功率MOSFET芯片组的参考设计IRDC2086-330W。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈