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2015-07-30 NAND快1000倍的3D Xpoint储存器技术是如何实现的?
英特尔和美光科技透露了3D Xpoint记忆芯片,称它比Flash记忆芯片更快(速度提升1000倍),能比DRAM芯片储存更多数据(但没DRAM快),功耗比两者都低。3D Xpoint被认为是记忆芯片领域的一大突破,但也有研究人员质疑它们是在炒作。Flash芯片对现有的智能手机和PC已足够用了,但大数据、云计算以及高清视频游戏将会受益于更快的3D Xpoint芯片。
2015-06-23 DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限 MRAM、ReRAM接班?
DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限,业界认为下一代存储器“磁电阻式随机存取存储器”(MRAM)、“可变电阻式存储器”(ReRAM)可能即将现身,要以更快的存取速度横扫市场。
2015-05-04 2016年3D V-NAND市场扩大10倍 企业竞争激烈
在存储器芯片市场上,垂直堆叠结构的3D V-NAND Flash比重正迅速扩大,全球企业间的竞争也将渐趋激烈。
2014-10-20 NAND Flash厂 Q4产能大火拼
NAND Flash明年将是杀戮战场?由于全球最大NAND Flash厂三星电子西安厂正式投产,并宣布开始量产128Gb 3D V-NAND晶片,东芝及新帝(SanDisk)联军为了维持市占率,已决定加快日本Fab5第2期量产,而SK海力士、美光、英特尔等也开始拉高产能因应激烈竞争。NAND Flash厂军备竞赛在第4季全面开打,业界对明年市况感到忧心,供过于求问题恐导致跌价幅度大于今年。
2014-10-20 4大阵营军备战火 烧到3D NAND
NAND Flash由平面2D制程走向3D制程的军备竞赛,随着三星10月9日正式宣布量产32奈米32层的128Gb 3D V-NAND晶片后,正式揭开序幕,包括东芝/新帝、SK海力士、美光/英特尔等均将在2015年开始投产3D NAND。业者指出,3D NAND单颗晶片容量快速拉高且价格便宜,明年NAND Flash价格跌势难止。
2014-08-29 移动存储器的发展迎春天
JEDEC固态技术协会(Solid State Technology Association)日前公布新一代行动记忆体规格 JESD209-4 LPDDR4,号称其速度是前一代LPDDR3的两倍。由于智能型手机、平板计算机等行动装置需求稳健成长,固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加,而物联网应用也将逐渐导入NAND Flash,2015年NAND Flash整体产业规模将提升至266亿美元,年成长9%。NAND与DRAM朝3D发展。
2014-06-10 嵌入式高速固态存储器的组成原理与设计实现
本文从NAND FLASH出发,对嵌入式高速固态存储器进行了系统的设计和实现,并对其数据存储速度和容量进行了分析计算,为相应的设计提供了参考依据。而随着科学技术的不断发展,数据存储技术也会不断进步,存储器的性能也会不断得到提高,需要相关技术人员的努力,推动数据存储技术的发展。
2014-06-09 (多图) 浅谈eMMC与最新市场动态
存储器件作为智能手机、平板电脑等终端产品的关键组件,直接关系到整机成本和方案设计。纵观NAND Flash发展,每次工艺变化均会带来新的应用商机和挑战。围绕着NAND Flash 为主体的存储器件正在围绕性能、价格、制程封装、产业链……发生着激烈的变化。
2014-06-03 (多图) 基于FPGA的固态盘ECC实现
Nand flash为存储介质的固态存储系统中,因为Nand flash的固有特性,在多次读写后,储存在flash中的数据将会变得不可靠。所以有必要开发一种能实现数据可靠传输的手段来提高flash和主控芯片之间数据传输的可靠性。
2014-02-27 用于高达18位的绝对式编码器的独特霍尔芯片
Marvell为快速增长的移动存储市场推出行业领先的SSD级eMMC控制器,带来完整的端到端移动解决方案.Marvell 88NV1088 eMMC 5.0 NAND Flash控制器具备高可靠性和超高性能、超低延迟和超低功耗,可支持HS400高数据传输速度和超高容量 .
2014-02-26 Marvell推出行业领先的SSD级eMMC控制器
Marvell为快速增长的移动存储市场推出行业领先的SSD级eMMC控制器,带来完整的端到端移动解决方案.Marvell 88NV1088 eMMC 5.0 NAND Flash控制器具备高可靠性和超高性能、超低延迟和超低功耗,可支持HS400高数据传输速度和超高容量 .
2014-02-26 内存市场经大洗牌后大翻身
记忆体专业封测厂华东科技总经理于鸿祺指出,内存历经前几年的大洗牌后市况大翻身,从2013年开始,无论是标准型DRAM或特殊型如Mobile DRAM均呈现价扬走势,而NAND Flash的需求也稳健成长,预估2014年对华东将是否极泰来的一年,今年营收可望微幅成长,而毛利则将持稳在10~15%之间。
2013-12-12 (多图) 基于DMA的高速数据闪存阵列的设计方案
NAND FLASH的写操作比较特殊,在存储数据时要先写入存储命令和存储地址,编程时不能对其执行任何操作。传统的由单片机作为核心的采集采用查询的方式对NAND FLASH进行编程,不仅操作复杂,而且减慢了存储速度。
2013-03-12 (多图) 高速闪存控制芯片有助以更低成本开发更高速产品
拥有Flash高速储存技术的IC设计公司银灿科技(Innostor)于IIC China 2013展会亮相,展出了其USB 3.0方案芯片IS916,USB 3.0转SATA/PATA方案芯片IS611,以及最新的USB 3.0双通道NAND闪存控制器IS903等产品。
2012-04-05 春天里的存储故事:BIWIN首届Nand Flash应用高峰论坛侧记
2012年,随着智能手机、平板电脑、Ultrabook的井喷式爆发,有一种半导体器件会受到产业的万众瞩目----这就是Nand Flash,Gartner预估今年NAND Flash市场增长18%!
2012-03-02 (多图) 基于LPC2294的CAN总线主节点设计
为引入CAN总线技术以实现运动控制系统的网络化。提出了基于LPC2294的CAN总线主节点的硬件及软件设计方案。硬件采用基于ARM7内核的微控制器LPC2294,使用CTM1050T作为CAN收发器,设计了带有CAN总线以及以太网接口的硬件电路,并进行了SRAM、NORFLASH与NAND Flash的扩展。软件采用μCLinux作为操作系统,并开发了CAN控制器的驱动程序,实现了CAN总线的各种功能。通过制作样机并进行实验,验证了这一方案的有效性。
2011-07-08 存储器3Q景气 NAND Flash略优于DRAM
存储器产业度过辛苦的第2季后,第3季景气恐没有这么快复苏,业界预期NANDFlash产业景气在第3季中之后,会随著消费性电子产品需求出笼而开始翻扬,但业界对于DRAM市场看法则是分歧,7月合约价续跌已成定局。
2011-06-07 NAND Flash价格连续滑落 创27个月来新低
据韩国媒体指出,NAND Flash价格连续大幅滑落,写下27个月来新低。最具代表性的NAND Flash产品16Gb 2Gx8 MLC在5月下半的合约价为3.12美元,由于平板计算机需求未达预期,造成产品囤积,且大陆强化取缔非法手机产品,低容量存储器产品需求迅速萎缩,导致价格受到影响。
2011-05-25 NAND Flash需求急冻 模组厂濒临警戒线
全球NANDFlash市场需求在5月进入冰河期,不仅快闪记忆卡和随身碟应用需求大幅降温,甚至传出平板电脑及智慧型手机大厂亦出现砍单情况,记忆体零售和系统端需求明显降温,市场五穷六绝迹象显现,使得记忆体模组厂营收恐再次探底,部分厂商传出力守2月营收低点的警戒线。
2011-05-12 NAND Flash大厂积极制程转换 下半年20纳米当道
2011年全球NANDFlash中,全球三星电子(SamsungElectronics)仍是位居全球NANDFlash市场龙头,市占率高达36.2%,紧追在后的是东芝(Toshiba),市占率达35.1%,两者合计掌握70%以上NANDFlash市场;根据市调机构TrendForce最新统计,2011年第1季NANDFlash品牌供应商的位元出货量为13%,营收成长9.9%,达53.63亿美元。
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