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Velocity 系列 搜索结果

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共搜索到12篇文章
2008-07-29 恒忆推出低价低功耗 DDR 接口非挥发性 RAM 产品
Velocity LPTM NV-RAM 产品系列以比低功耗 RAM更低成本,提供更高的性能,为相变存储器提供途径。
2007-07-13 普然选择ARM高速物理接口解决方案开发下一代网络SoC
ARM公司和普然通讯今天共同宣布,普然获得ARM Velocity高速DDR解决方案授权。作为ARM物理IP系列的一员,Velocity DDR是适用于关键应用到低功耗存储子系统的广泛SDRAM DDR应用的高速物理接口解决方案。
2007-07-13 ARM Velocity DDR助力fabless针对IP融合应用设计高性能、低功耗解决方案
ARM公司和国内领先的fabless半导体设计公司普然通讯今天共同宣布,普然获得ARM Velocity高速DDR解决方案授权。作为ARM物理IP系列的一员,Velocity DDR是适用于关键应用到低功耗存储子系统的广泛SDRAM DDR应用的高速物理接口解决方案。
2007-07-13 普然选择ARM高速物理接口解决方案开发下一代网络SoC
ARM公司和国内fables公司普然通讯日前共同宣布,普然获得ARM Velocity高速DDR解决方案授权。作为ARM物理IP系列的一员,Velocity DDR是适用于关键应用到低功耗存储子系统的广泛SDRAM DDR应用的高速物理接口解决方案。
2007-03-16 UGS推出最畅销的基于PC CAE应用程序
UGS公司隆重发布了Femap?系列软件的9.3版, 即UGS Velocity系列的FEA组件。
2007-02-01 基于TSMC90nm工艺的存储器接口IP
ARM推出了其Artisan物理IP系列中的ARM Velocity DDR1和DDR2(1/2)存储器接口,支持TSMC的90nm通用工艺。
2006-12-22 ARM发布基于TSMC 90纳米工艺DDR1和DDR2存储器接口IP
ARM发布了其Artisan? 物理IP系列中的ARM? VelocityTM DDR1和DDR2(1/2)存储器接口,支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的90纳米、可即量产的IP。
2006-12-22 ARM发布首款基于TSMC 90纳米工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP
ARM公司发布了其Artisan物理IP系列中的ARM VelocityTM DDR1和DDR2(1/2)存储器接口,支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的90纳米、可即量产的IP。
2006-09-06 下一代DDR存储解决方案
ARM公司扩展了其Artisan物理IP系列产品中的Velocity DDR存储接口产品,以支持众多特定应用对SDRAM的要求。
2006-08-01 UGS与HP、Intel共建PLM软件技术联盟
UGS建立Velocity 系列联盟。UGS公司亚太地区系统集成和渠道业务开发副总裁Tony Jolly说:“这是一项在亚太地区首度推出的举措,旨在推动亚太地区中小制造企业更多地使用PLM技术。UGS将与该联盟的合作伙伴HP以及Intel公司强强联合,帮助亚太地区的中小企业在高效、优化的软件和网络平台上使用PLM软件,为其创新注入全新动力。”
2006-07-26 ARM发布下一代DDR存储解决方案
ARM 公司宣布扩展了其Artisan物理IP系列产品中的Velocity DDR存储接口产品,以支持众多特定应用对SDRAM的要求。扩展后的ARM Velocity DDR产品和DDR、DDR2、Mobile DDR、GDDR3 SDRAM的JEDEC标准相兼容,并支持领先代工厂的130纳米、110纳米、90纳米和65纳米的标准CMOS工艺。
2006-07-25 ARM下一代DDR存储解决方案提高芯片性能
ARM公司宣布扩展了其Artisan物理IP系列产品中的Velocity DDR存储接口产品,以支持众多特定应用对SDRAM的要求。
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