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2013-05-07 (多图) 第2代FS SA T IGBT可显着减少单端谐振逆变器总损耗
本文将介绍飞兆半导体的第2代1400V场截止Shorted Anode沟道(FS-SA T)IGBT(具有不同于一般IGBT的固有体二极管)在感应加热(IH)系统中的应用,并注重介绍它在单端(SE)谐振逆变器中的效率等特性。
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