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14nm
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2016-03-01 英特尔14nm工艺技术超前,那晶体管的实际性能如何?
多年以来,英特尔从未放弃过任何吹嘘自己的芯片技术,只是在台积电和三星上位之后收敛了很多。而且,难能可贵的是英特尔竟然没有过度宣传自家的第二代 FinFET 工艺,毕竟其余竞争对手在其 14 纳米问世时,均处于第一代 FinFET 工艺水平。
2015-01-14 14纳米FinFET工艺成争夺焦点 全球代工战拉开帷幕
14nmFinFET工艺优势多多,相比业界的20nm工艺14nm FinFET工艺可提升20%的速度,降低35%的功耗,晶体管密度提升15%。特别是日前三星继英特尔之后宣布14nm将量产,使得代工争夺战中16nm/14nm订单成为新的焦点。
2014-10-09 FinFET推动更明智的物理IP选择
晶圆代工厂家目前正准备根据finFET概念加强使用三维晶体管结构的14nm和16nm工艺,因为相比较20nm的平面型晶体管,它们可以提供更高的性能。
2014-05-08 Synopsys全新IP将USB PHY的实现面积缩小达50%
Synopsys全新已流片DesignWare USB 3.0和USB 2.0 femtoPHY IP将面积缩小高达50%.采用14/16nm FinFET和28nm工艺的小片芯占用面积PHY降低了消费类、移动、存储及网络应用的硅成本.
2012-03-08 IMEC发布首款14nm工艺开发套件,测试芯片下半年推出
IMEC发布了一个早期版本的逻辑工艺开发套件(PDK),该套件支持多种有可能在14纳米节点应用的技术,包括FinFET器件和极端紫外线光刻技术。
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