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2012-05-28 华润上华成功开发600V和1700V IGBT工艺平台
华润上华宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT以及600V Trench PT IGBT工艺平台,各项参数均达到设计要求,并顺利通过可靠性考核。
2011-03-31 华润微电子1200V Trench NPT IGBT工艺平台开发成功
华润微电子有限公司(后简称“华润微电子”)宣布其附属公司华润上华科技有限公司(后简称“华润上华”)已开发完成1200V Trench NPT IGBT(沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管)工艺平台,各项参数均达到设计要求,成功进入Trench IGBT代工市场。
2006-09-06 耐受达300MJ雪崩能量的器件
飞兆半导体公司推出1200V/15A NPT-Trench IGBT,能够在电磁感应加热(IH)电器中耐受高达300MJ的雪崩能量;这种出色的雪崩性能有助于设备在非正常的雪崩模式情况下实现“稳健 ”的故障安全操作,而非正常的雪崩情况通常会影响IH电器如微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具等。
2006-07-12 飞兆半导体1200V/15A NPT-Trench IGBT耐高达300MJ雪崩能量
飞兆半导体公司宣布推出1200V/15A NPT-Trench IGBT,能够在电磁感应加热 (IH)电器中耐受高达300mJ的雪崩能量;这种出色的雪崩性能有助于设备在非正常的雪崩模式情况下实现“稳健 ”的故障安全操作,而非正常的雪崩情况通常会影响IH电器如微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具等。
2006-07-12 飞兆半导体推出1200V/15A NPT-Trench IGBT
飞兆半导体公司宣布推出1200V/15A NPT-Trench IGBT,能够在电磁感应加热 (IH)电器中耐受高达300mJ的雪崩能量;这种出色的雪崩性能有助于设备在非正常的雪崩模式情况下实现“稳健 ”的故障安全操作,而非正常的雪崩情况通常会影响IH电器如微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具等。
2006-07-06 Fairchild发布新型NPT-Trench IGBT FGA15N120ANTD
Fairchild发布1200V/15A NPT-Trench IGBT:FGA15N120ANTD ,在感应加热(IH)应用中可负荷高达300mJ雪崩能量。
2004-06-01 飞兆半导体推出全新1000V NPT-Trench IGBT
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新1000V/60A IGBT器件,具有出色的开关和传导及耐雪崩性能,适用于电磁感应加热 (IH) 应用如IH电饭煲、电磁炉和微波炉等。新型FGL60N100BNTD IGBT综合了飞兆半导体专有的沟道技术和非穿通型 (NPT) 技术,提供同级产品中无与伦比的耐雪崩性能。
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