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IR, 国际整流器公司
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2015-09-07 颠覆性的半导体技术该是什么样的?
最近Alex Lidow(前IR CEO,现EPC--Efficient Power Conversion--的CEO)发表文章,讲述了比较新的氮化镓(GaN)技术,现将这篇文章翻译出来与大家共享。
2015-07-15 利用专有磁耦合反馈拓扑,英飞凌推出能工作在185oC高温下的DC/DC
利用专有磁耦合反馈拓扑,英飞凌推出能工作在185oC高温下的DC/DC,英飞凌旗下IR HiRel发布专为用于石油和天然气勘探的井下工具而优化的额定工作温度为185 °C的紧凑式直流-直流电源.
2015-06-01 利用MSP430FR4xx实现红外遥控
MSP430FR4xx器件包含了丰富的外设和专用的IR调制逻辑功能电路,可为那些采用ASK或FSK调制的红外遥控实现方案的开发提供帮助。利用TA0和TA1,能够在几乎不需要软件干预的情况下轻松生成载波。给出的两个典型示例表明,利用eUSCI_A实现包络生成可获得最大的软件开销降幅。
2015-01-30 使用反对数转换器线性化二氧化碳传感器
尽管大多数二氧化碳传感器采用红外(IR)技术,但电化学传感器因其灵敏度高、测量范围广且价格低廉等优势成为不可小觑的竞争对手之一。一般情况下,电化学传感器通过一个偏置电流极低(<1pA)的缓冲放大器连接到微控制器。这时需要微控制器将传感器的对数响应线性化。本设计实例针对该线性化问题给出了一种纯硬件的解决方案。
2015-01-06 VoLTE端到端部署10大关键问题
VoLTE是基于IP多媒体子系统(IMS)的语音业务,配合GSMA在PRD IR.92中制定的在LTE控制和媒体层面的语音服务标准。VoLTE的部署是一个系统工程,其涉及IMS核心网、EPC核心网、CS核心网、用户数据、信令网、无线网、承载网支撑系统等共10个领域的相关问题。
2014-12-18 IR推出采用高性能4×5PQFN功率模块封装的25V双功率MOSFET
12月17日,北京,晴。这又是一个熙熙攘攘的早晨,当各路IT精英从四面八方涌入上地——这片我国信息技术产业的“摇篮”时,他们也迎来了新一天的无限可能。一笔销售大单、一项重大合作宣布、一场新产品发布、收购或投资者关系变更……每一天,千变万化都是这里不变的故事。
2014-12-15 IR推出坚固耐用的600V车用IGBT产品
IR为混合动力汽车和电动车推出坚固耐用的600V车用IGBT产品AUIRGP66524D0和AUIRGF66524D0。
2014-11-19 IR推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台
IR推出1200V Gen8 IGBT系列,提升工业应用的基准效率和耐用性.国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。
2014-11-12 (多图) IR为高功率工业应用推出新IGBT模块系列
2014年11月10日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出完善的IGBT模块系列,适合电机驱动逆变器、开关模式电源、不间断电源、太阳能逆变器及焊接应用等高功率工业应用。
2014-10-29 IR针对工业应用推出具有超低导通电阻的75V MOSFET
IR针对工业应用推出具有超低导通电阻的75V MOSFET,以扩充StrongIRFET系列.
2014-10-22 IR以650V器件扩充超高速沟道IGBT系列
IR推出650V器件以扩充超高速沟道IGBT系列,适合工业用电机、焊接、太阳能、感应加热和不间断电源应用.
2014-10-14 IR推出两款40V车用COOLiRFET功率MOSFET
IR推出车用40V 5x6mm双PQFN COOLiRFET为小功率电机提供基准性能.
2014-09-18 IR第八代IGBT技术平台和IR3847 SupIRBuck荣获"2014中国年度电子成就奖"
2014年9月18日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布旗下第八代 (Gen8) 1200V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台和IR3847 SupIRBuck大电流集成式稳压器荣膺业界闻名的“2014中国年度电子成就奖” 。
2014-09-03 IR推出坚固的车用双低侧驱动IC-AUIRB24427S
IR推出坚固的车用双低侧驱动IC AUIRB24427S,适合开关电源应用.2014年9月2日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 –国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出车用大电流双低侧驱动IC AUIRB24427S,适合混合动力电动汽车 (HEV) 、电动车 (EV) 和大功率工业转换器中的开关电源 (SMPS) 应用。
2014-08-25 英飞凌欲以约30亿美元现金收购IR公司股份
2014年8月22日——英飞凌科技股份公司及美国国际整流器公司宣布,两家公司已签订一项最终协议,据此英飞凌将以每股 40 美元的价格收购国际整流器公司的股份,该项交易将全部以现金完成,价值约 30 亿美元。通过并购,两家半导体公司将强强联手,结合其各自在功率管理技术的领先地位。通过并购国际整流器公司,英飞凌可扩充其产品供应,为客户提供更为广泛的创新产品和服务。英飞凌也将借此扩大其规模经济并提高其区域市场份额,以此受益。
2014-08-20 IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列
IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列,为焊接应用作出优化.
2014-08-14 IR推出FastIRFET 6×6 PQFN顶部外露电源模块器件
IR推出IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN顶部外露电源模块器件,为DC-DC应用提供卓越效率。全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET双功率MOSFET,藉以扩充电源模块组件系列。新款25V器件在25A的电流下能够比其它顶级的传统电源模块产品减少5%以上的功率损耗,适用于12V输入DC-DC同步降压应用,包括先进的电信和网络通讯设备、服务器、显卡、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 和笔记本电脑等。
2014-07-24 (多图) 高能效UV紫外线指数传感器抢占可穿戴市场商机
可穿戴式设计需要更高集成度、小尺寸封装和低功耗的传感解决方案,我们也可预见对于业界首款单芯片数字UV指数传感器的需求,该传感器还提供了环境光和IR感应功能,非常适用于创新的健康和健身应用。
2014-07-21 IR扩充60V StrongIRFET 功率MOSFET系列
IR扩充60V StrongIRFET MOSFET系列,以标准和高性能功率封装为工业应用提供极低导通电阻.
2014-06-27 IR推出汽车级COOLiRFET功率MOSFET
IR新汽车级产品AUIRFN8403以紧凑5x6mm PQFN封装,提供高效率和高功率密度并减少系统成本.
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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