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Vishay公司
威世(VISHAY)集团成立于1962 年,总部位于美国宾夕法尼亚洲。威世通用半导体(中国)有限公司坐落于天津经济技术开发区泰丰工业园,公司为美国独资企业。威世通用半导体(中国)有限公司(简称VGSC)成立于1995 年5 月1 日。
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2015-07-01 ARM全新IP工具套件缩短系统级芯片开发流程
Vishay推出可在恶劣环境下稳定工作的新款铂金SMD扁平片式温度传感器,器件可在+175℃高温下工作,具有小于0.1%的稳定温度特性,可用于汽车、航天和工业电子产品.
2015-06-30 Vishay推出新款铂金SMD扁平片式温度传感器
Vishay推出可在恶劣环境下稳定工作的新款铂金SMD扁平片式温度传感器,器件可在+175℃高温下工作,具有小于0.1%的稳定温度特性,可用于汽车、航天和工业电子产品.
2015-06-24 Vishay的微型塑料外壳帮助反射式物体检测和接近传感器实现完全的光隔
2015年6月23日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款用于反射式物体和接近传感器的快速成型设计的微型塑料外壳,扩大其光电子产品组合。该外壳经过特殊设计,可在3mm (T1)红外发射器和Vishay的TSSP型物体或接近传感器之间实现光隔。
2015-06-08 Vishay发布采用宽边接头结构的表面贴装Power Metal Strip电阻WSL0612
Vishay推出新款Power Metal Strip电阻具有先进结构和性能,可用于高功率电路.器件采用宽边端接接头结构,功率等级达1W,电阻低至0.001Ω.
2015-05-29 Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器在小尺寸逆变器中有效节省空间
Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器在小尺寸逆变器中有效节省空间,器件的高度为2.5 mm,具有高隔离电压,可用于电机驱动、可替代能源和其他高压应用.
2015-04-03 Silicon Labs新型数字音频桥接芯片助力iOS配件创新
Vishay新款40V TrenchFET功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案,器件是业内首颗通过AEC-Q101认证的完全无铅的MOSFET,占位面积8mm x 8mm.
2015-04-03 业内首颗使用8mmx8mm占位的功率MOSFET
Vishay新款40V TrenchFET功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案,器件是业内首颗通过AEC-Q101认证的完全无铅的MOSFET,占位面积8mm x 8mm.
2015-03-18 贸泽电子宣布参加2015上海慕尼黑电子展
贸泽电子宣布参加2015上海慕尼黑电子展,—放眼全局,沟通合作.,未来智能型手机电池续航力将较以往多出3倍以上。本次Mouser携手TI、Fairchild、飞思卡尔、Honeywell、美信、TE、Vishay、Yageo等全球顶尖制造商,与广大设计与采购工程师群体进行面对面交流互动,在展位上带来一系列精彩活动。
2015-02-03 业内尺寸最小的高精度单片4路SPST模拟开关
Vishay推出业内尺寸最小的高精度单片4路SPST模拟开关,可应用于各种便携电子产品.器件采用业内最小的封装,功耗小于0.01μW,具有低泄漏电流、低寄生电容和低电荷注入.
2015-01-29 Vishay推出新系列高可靠性的中性点接地电阻
Vishay推出新系列高可靠性的中性点接地电阻,器件采用耐用的IP23外壳,工作温度达+760℃,为工业电源系统提供可靠保护.
2014-12-19 新款Vishay聚合物钽片式电容器具有超低ESR
采用J、P、A、B和超薄B外形尺寸的新款Vishay聚合物钽片式电容器具有超低ESR,器件的容量从3.3μF到330μF,可用于计算机、通信和工业应用.
2014-12-19 Vishay Trench PT和FS IGBT平台降低传导损耗和高频开关损耗
Vishay Trench PT和FS IGBT平台降低传导损耗和高频开关损耗,600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和软开关特性,可用于电机驱动、UPS、太阳能电池和焊接逆变器.
2014-12-19 Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET
2014年12月4日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。
2014-11-24 业内首个采用金属外壳和完全密封的Hi-Rel COTS固钽电容器
Vishay发布业内首个采用金属外壳和完全密封的Hi-Rel COTS固钽电容器,满足MIL-STD-202要求,提供浪涌电流测试选项,可用于航空航天和国防系统.
2014-11-20 采用超小尺寸MicroSMF eSMP封装的首个新系列稳压二极管
Vishay推出采用超小尺寸MicroSMF eSMP封装的首个新系列稳压二极管.耗散功率可达500mW,有效节省PCB空间.
2014-11-12 Vishay MC AT专业车用电阻的所有阻值产品均通过AEC-Q200认证
在此次在台举办ARM 2014科技论坛中,ARM处理器事业部总经理Noel Hurley强调目前行动装置依然仍占ARM现行最大发展规模,但估计物联网装置、网通相关设备将在近5年内加速成长。同时,针对与竞争对手相较部分,Noel Hurley认为ARM拥有相当充足技术资源与合作优势。
2014-11-12 Vishay推出两款新的汽车级高速硅PIN光电二极管
Vishay汽车级PIN光电二极管具有9.5μA的反向光电流,器件通过AEC-Q101认证,采用1206表面贴装封装,感光面积0.85mm2.
2014-09-12 Mouser宣布赞助中国车队参加全新Formula E系列赛事
贸泽电子(Mouser Electronics)将在Formula-E电动方程式赛事中赞助中国国家赛车队及车手董荷斌,本赛事是采用电动赛车的全新方程式赛事。Mouser将与Molex和Vishay Intertechnology, Inc通力合作鼎力赞助本赛事。
2014-09-10 Vishay的新款VRPower DrMOS尺寸更小且更高效
2014 年 9 月9 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小尺寸、散热增强型PowerPAK MLP 5mm x 5mm的31pin封装的VRPower集成DrMOS新品---SiC620。Vishay Siliconix SiC620输出电流超过60A,尺寸比前一代6mm x 6mm尺寸小30%,但效率更高出3%,最高可达95%。这些器件封装的寄生参数比离散方案小,使开关频率可以达到1.5MHz,能有效提高功率密度,降低总体方案成本。
2014-08-27 Vishay新款3A同步降压稳压器简化设计并节省空间
2014年8月26日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用650kHz固定开关频率和4.5V~15V宽输入电压的新款3A器件---SiP12116,扩充其microBUCK系列集成式同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiP12116组合了高边和低边N沟道MOSFET,采用电流模式恒定导通时间(CM-COT)控制,节省空间的3mm x 3mm DFN10封装带有热焊盘,使设计者能在100mm2面积内实现一个完整的降压稳压器。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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