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SRAM 什么是SRAM 搜索结果

什么是SRAM
SRAM即静态随机存取存储器(Static Random Access Memory, SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下,动态随机存取内存(SDRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而,当电力供应停止时,其内储存的数据还是会消失,这与在断电后还能储存资料的ROM或快闪存储器仍然是不同的。
共搜索到208篇文章
2016-04-19 凌力尔特推出用于 DDR 和 QDR4 SRAM的?Module稳压器
凌力尔特公司2016 年 4 月 14 日推出三路输出?Module (电源模块) 稳压器 LTM4632,用于为新型 QDR4 和较老式的 DDR SRAM 之所有三个电压轨供电:VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF)。
2016-02-24 使用高速SRAM设计电池支持型存储器
高速、低功耗SRAM可提供相当于传统低功耗SRAM的电池备用时间,同时通过提高SRAM的访问速度满足系统设计人员的性能提升要求。
2015-10-26 未来谁主沉浮:串行和并行接口SRAM对比
外置SRAM通常配有一个并行接口。考虑到大多数基于SRAM的应用的存储器要求,选择并行接口并不令人惊讶。对于已经(和仍在)使用SRAM的高性能(主要是缓存)应用而言,与串行接口相比,并行接口拥有明显优势。但这种情况似乎即将改变。
2015-08-07 SRAM回归嵌入式领域,复兴在望?
上世纪90年代中期,英特尔决定把SRAM整合到自己的处理器中,这给世界各地的独立式SRAM供应商带来“灭顶之灾”。最大的SRAM市场(PC高速缓存)一夜之间销声匿迹,只留下少数细分市场应用。SRAM的“高性能存储器(访问时间短、待机功耗小)”价值主张因其较高的价格和容量限制(目前的最高容量是288Mb)而高度受限
2015-07-10 IBM 7nm,大杀器还是镜花水月?
今天各大网站被IBM 7nm刷了屏,Intel瞬间躺qiang。IBM再一次震撼了我,还记得2008年时,IBM直接跳过了32nm制程,高调宣布首个基于22 nm制造工艺的SRAM,从而在制程工艺上首次领先Intel。“率先声明”似乎是IBM一贯的作风。
2015-05-22 FRAM迈向主流存储器的路还很长
铁电存储器(FRAM,或FeRAM)在1990年代中期被认为将成为主流技术,但至今仍与其他众多新存储器技术一样,并没有如预期般迅速崛起。FRAM 的内部运作原理类似DRAM,有媲美SRAM的高速度以及如同快闪存储器的非挥发性。
2015-04-29 中国有钱也不任性 不玩主流DRAM?
中国国家积体电路产业投资基金宣告投入 1,200 亿人民币(约合 6,080 亿新台币),今年 3 月中国武岳峰资本等公司资本联合买下 ISSI (Integrated Silicon Solution),宣告中国半导体布局伸向 DRAM 产业,ISSI 主要发展利基型 DRAM 与 SRAM,外界预估对主流存储器市场的影响并不大。
2015-01-26 片上电源管理:在异步SRAM中实现速度与功耗的完美平衡
异步SRAM产品分为快速与低功耗两个极为不同的产品类型,每个系列都具有其自己的一系列特性、应用和价格。快速异步SRAM具有更快的存取速度,但功耗较高;低功耗SRAM功耗低,但存取速度慢。
2014-10-24 Marvell推出基于SRAM的开创性网络搜索引擎系列Questflo
Marvell推出业界容量最大、性能最高、功耗最低的开创性基于SRAM网络搜索引擎,Marvell最新的Questflo产品线容量提升4倍,具备最高的速度且功耗降至1/3,支持面向移动互联网及物联网的下一代流服务.
2014-08-26 笙科发表2.4GHz 2Mbps无线收发SoC芯片- A8125
笙科电子(AMICCOM)于2014年8月发表 2.4GHz 无线收发SoC芯片,为私有协议收发 SoC ,命名为A8125。A8125的传输速度高达2Mbps,支持FSK与GFSK调变,数字部份整合高效能的1T Pipeline 8051,内建16Kbytes Flash Memory、2KBytes SRAM,与24/16个GPIO与各种数字接口。2线式的ICE可搭配Keil C开发。
2014-08-26 笙科发表2.4GHz 10dBm 2Mbps无线收发SoC芯片-A8137
笙科电子(AMICCOM)于2014年8月发表 2.4GHz 10dBm 无线收发SoC芯片,命名为A8137。A8137为A8125的加强版,RF效能与A8125相同,但输出功率最大为+ 10dBm。A8137的传输速度高达2Mbps,并支持FSK与GFSK调变,数字部份整合高效能的1T Pipeline 8051,内建16Kbytes Flash Memory、2KBytes SRAM,与24/16个GPIO与各种数字接口。2线式的ICE可搭配Keil C开发。
2014-08-21 (多图) 基于SystemC的通用嵌入式存储器模型设计
本文提出了一个基于SystemC的通用存储器模型,可以作为构造SoC的通用IP模型。该模型采用统一的事务级接口,内部控制逻辑和存储器构成采用时钟精准的模型,并且提供了一系列配置参数用来反映影响性能的带宽、延时、以及仲裁机制。该模型成功预测了一个视频解码器中共享SRAM 所采用bank数量对性能的影响。
2014-08-06 笙科新一代高整合Zigbee/RF4CE无线射频收发SoC芯片A8153
2014年8月4日,笙科电子(AMICCOM)于2014年8月发表新一代高整合Zigbee/RF4CE无线射频收发SoC芯片A8153,该芯片RF部份是依Zigbee PHY层与MAC层的2.4GHz 射频设计,并整合高效能的1T Pipeline 8051 MCU,内建32Kbytes Flash、2Kbytes SRAM,配备UART、I2C与SPI 等数字接口,2个Channel的PWM输出,并提供2线式的ICE界面,并可使用Keil C开发与除错。
2014-07-24 赛普拉斯签约世强合力开拓中国成长型新市场
全球存储及触摸感应领导厂商赛普拉斯签约世强合力开拓中国成长型新市场.前不久,全球高性能、混合信号、可编程解决方案的领先供应商赛普拉斯(Cypress)签下中国本土最具实力的分销商世强(Sekorm),由后者负责其全线产品包括PSoC可编程片上系统器件、触摸感应解决方案、SRAM和非易失性存储器、USB控制器等等在中国区的分销业务。
2014-07-08 利用精密模拟微控制器ADuC7061和外部RTD构建基于USB的温度监控器
本电路显示如何在精密RTD温度监控应用中使用精密模拟微控制器ADuC7061。ADuC7061集成双通道24位Σ-Δ型ADC、双通道可编程电流源、14位DAC、1.2 V内部基准电压源、ARM7内核、32 kB闪存、4 kB SRAM以及各种数字外设,例如UART、定时器、SPI和I2C接口等。
2014-06-20 ADI推出高性能ADSP-BF70x Blackfin处理器系列
ADI推出高性能ADSP-BF70x Blackfin处理器系列.ADSP-BF70x处理器系列具有高达800 MMAC性能和1 MB嵌入式SRAM,功耗仅相当于竞争器件的一半。
2014-05-26 基于ARM的嵌入式系统从串配置FPGA的实现
基于SRAM工艺的FPGA具有易失性。系统掉电以后其内部配置数据容易丢失,因此需要外接ROM保存其配置数据,系统上电后必须重新配置数据才能正常工作。
2014-04-02 赛普拉斯推出业界首款四倍速QDR-IV SRAM
赛普拉斯推出具有业界领先随机传输速率的QDR-IV SRAM,用于下一代网络设备.新型144-Mbit 和72-Mbit SRAM可实现每秒21.32亿次数据交换使交换机和路由器的100-400 Gigabit线卡成为可能.
2014-03-12 瑞萨电子推出集成大容量闪存和SRAM的32位通用微控制器
瑞萨电子面向物联网应用推出集成大容量闪存和SRAM的32位通用微控制器,RX64M MCU集成4MB闪存和512KB SRAM, 实现了卓越的连通性和高性能,适用于工业设备及其他物联网应用。
2013-12-30 Holtek推出Enhanced Flash MCU
Holtek新推出I/O型的HT68F20-1及A/D型的HT66F20-1,主要是SRAM 64 Bytes不需切换Bank,Program Memory为1K x 16、SRAM 64 x8、内建32 x8 Data EEPROM,除Crystal、ERC Mode外并内建精准Internal RC Oscillator,提供4/8/12MHz及32kHz四种频率。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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