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DDR是什么
DDR即双倍数据率同步动态随机存取内存(英语:Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,简称DDR SDRAM)为具有双倍资料传输率之SDRAM,其资料传输速度为系统时脉之两倍,由于速度增加,其传输效能优于传统的SDRAM。DDR SDRAM 能在系统时脉的上升延和下降延都可以进行数据传输。
JEDEC为DDR存储器设立了速度规范,并分为了以下两个部分:按内存芯片分类和按内存模块分类。
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2016-04-19 凌力尔特推出用于 DDR 和 QDR4 SRAM的?Module稳压器
凌力尔特公司2016 年 4 月 14 日推出三路输出?Module (电源模块) 稳压器 LTM4632,用于为新型 QDR4 和较老式的 DDR SRAM 之所有三个电压轨供电:VDDQ、VTT、VTTR (或 VREF)。
2016-03-16 Vicor新模块支持Google开放计算峰会发表的数据中心基础设施
Vicor公司宣布其最新一代48V直接到PoL(负载点)电源组件。这些模块可以直接为低电压大电流的CPU、GPU、ASIC和DDR内存从48V配电母线供电,实现前所未有的功率密度、转换效率,降低系统配电损耗。
2015-10-19 什么样的DDR验证能在早期撷取设计缺陷?
DDR验证是任何SoC设计过程中最关键也是最复杂的任务之一,因为它牵涉到位于待测物(DUT) 之内的控制器,和位于待测物之外的DDR内存。一个DDR系统由共同运作的控制器、I/O、封装、插座、电源、频率和外部内存组成;在数字验证中,并 不能验证到所有这些组件,主要是控制器、PHY、I/O和内存。
2015-09-25 可尽早捕获缺陷的DDR仿真策略
DDR验证是任何SoC设计过程中最关键也是最复杂的任务之一,因为它牵涉到位于待测器件内的控制器和位于待测器件外的DDR存储器。一个DDR系统由在一起工作的控制器、I/O、封装、插座、电源、时钟和外部存储器组成。
2015-08-21 盘点英特尔(Intel)的那些酷炫黑科技
在开幕的IDF会议上,Intel公开了基于黑科技3D XPoint闪存的Octane硬盘技术,现场演示的是PCI-E接口的Octane硬盘,性能达到了当前顶级PCI-E硬盘的5-7倍。但是PCI-E硬盘只是Intel Octane计划的一部分而已,别忘了3D XPoint闪存本身很特殊,既可以做NAND闪存也可以做DRAM内存,Intel还准备了DIMM内存型的Octane,号称成本只有DDR内存的一半,但容量是DDR的4倍,更关键的是它还是非易失性的,断电不丢失数据。
2015-02-09 因为CRC/3DS架构 DDR4数据传输性能/可靠度跃升
随着标准不断演进,新一代记忆体规范通常着重于提升资料传输速率,其他方面仅略做调整,但第四代双倍资料率(DDR4)并非如此。DDR4首次亮相时,便新增超过二十种功能,比先前DDR规格足足多一倍。
2014-11-21 英特尔新技术:存储器耗电至少降低25倍
英特尔在台举办亚洲区创新高峰会,展示和工研院合作开发的新记忆体技术,较现有DDR DRAM记忆体更省电,耗电降低至少25倍,未来可望为行动运算装置延长电池使用时间。
2014-11-13 DDR Memory系统裕量的特性化研究
Memory是系统运行和性能的核心。设计人员需要更好地了解内存子系统,以优化系统的吞吐能力,这也是DDR内存系统分析师对上述DDR内存系统分析套件如此感兴趣的原因。
2014-10-13 选择合适的转换器:JESD204B与LVDS对比
JESD204B接口是一个串行解串器链路规范,允许12.5Gbps的最大数据速率传输。使用高级工艺(例如65nm或更小)的转换器支持该最大数据速率,还可提高电源效率。系统设计人员可充分利用该技术相对于低压差分信号 (LVDS) DDR的优点。
2014-08-14 (多图) 详述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念
DRAM (动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力,因为它提供了广泛的性能,用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念,及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2014-06-24 高速存储器的调试和评估——不要仅仅停留在一致性测试上
DDR 存储器的测试项目涵盖了电气特性和时序关系,由JEDEC明确定义,JEDEC 规范并不涉及具体的测量方法,但提供了存储设备、DRAM应遵守的一组测试参数规范,目的是保证计算机系统、服务器和移动设备等存储系统的一致性与互操作性。
2014-01-06 (多图) 利用新一代虚拟探测功能实现DDR等信号去嵌测试
随着单板密度的日益增加以及BGA封装的普遍使用,在链路末端进行波形的探测变得越来越困难,尤其是DDR内存的时序测量中该问题尤其变得更加明显。本实例应用介绍了通过示波器的虚拟探测功能解决实际测量中无法直接探测到链路末端波形的困难。
2013-09-25 (多图) 关于DDR3的对比研究
DDR内存的性能优势主要体现在其预取架构和突发式操作上。当内存访问存储体的一个特定行时,预取缓冲区就会获得一组相邻的数据字,并随后在内存时钟各个沿的I/O管脚上突发,无需单独的列地址。
2013-07-30 用基于CAM的DDR控制器架构实现DDR DRAM效率最大化
为适应数据写入或从SDRAM读出的低效率,SoC需要使用一个控制器来管理对DDR SDRAM的访问。当今绝大多数存储器控制器都会考虑DDR SDRAM的低效性,并且试图重组到DDR SDRAM的命令,以将无效指令数量减至最少,并提高SoC访问SDRAM的效率(带宽)。
2012-09-27 新思科技DesignWare DDR4存储器接口IP
Synopsys发布DesignWare DDR4存储器接口IP;内存控制器和PHY可支持多种DDR标准,同时降低延迟与待机功率
2012-09-21 Synopsys28纳米DesignWare IP赢得第100项设计
28纳米DesignWare IP的完整产品线包括USB、PCI Express、SATA、HDMI、DDR、MIPI的数模混合设计,以及数据转换器、音频编解码器、嵌入式存储器和逻辑库
2012-08-28 数字电源管理架构的探讨
随着电源技术的发展,数字电源管理技术越来越多地应用于各类系统中。当今的大多数系统除了主要的CPU、逻辑电路FPGA、DDR等数字芯片外,就只剩下电源管理芯片了,因此电源管理芯片的可控性和集成度就显得极为重要了,数字电源管理正是顺应了市场的这种需求。
2012-07-06 灿芯半导体与Cadence合作推出DDR内存解决方案
灿芯半导体将流片系列测试芯片平台,包含存储器子系统IP,以此证明这种超低功耗、高性能解决方案是智能手机、平板电脑等移动设备和其他消费电子产品的理想之选。
2012-02-15 Enpirion最新转换器突破传统DDR电源解决方案 效率提高2倍
2012 年 2 月 14日,业界最小负载点直流—直流转换器领先创新者Enpirion 公司发布了其 DDR 存储器终端电源的电源集成电路 (IC) 产品组合的新成员。Enpirion EV1320 是 2A (sink/source) DDR 终端转换器,最高效率达到 96%——比传统 LDO(低压差)稳压器解决方案省电 1.4 瓦,同时拥有低成本、小尺寸的优点。
2011-10-24 Spansion FL-S NOR闪存将DDR读取速度提升20%
对于不断变化的串行闪存市场,客户正在从原先的低密度、低性能、低成本解决方案向高密度、高性能的解决方案转变。Spansion公司针对市场上的需求,推出了全新的、业界最快串行闪存产品—65nm Spansion FL-S NOR闪存系列。该系列产品拥有较同类竞争方案提升20%的更快速的双倍数据率(DDR)读取速度。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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