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BiCMOS 什么是BiCMOS 搜索结果

什么是BiCMOS
BiCMOS,是一种新型的半导体器件技术,它将以前两种独立的半导体器件类型——双极性晶体管(Bipolar junction transistor)和互补式金属氧化物半导体(CMOS),集成到单一集成电路上。
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2011-08-06 (多图) 一种新型过流保护电路设计
与多数以“中断”模式实现保护不同,文章提出了一种用于低压差线性稳压器(LDO)的过流保护电路设计新方案,通过“屏蔽电路”屏蔽过流信号,使LDO 不因过流信号干扰而中断运行。为了防止屏蔽时间内的过大电流烧毁功率管,提供过大电流关断电路,当屏蔽时间内负载电流太大可能瞬间烧毁功率管时能及时关断功率管,保证功率管的安全。该电路的屏蔽时间可以根据需要设定。CSMC 0.5 μm BiCMOS 工艺Cadence spectre 仿真结果表明,改进后的过流保护电路能有效屏蔽设定时间内的过流信号,扩大了正常工作区的范围,保证了LDO 更高效安全地运行。
2011-05-20 泰克采用8HP SiGe技术实现30+ GHz示波器
泰克公司日前宣布,经验证采用 IBM 8HP 硅锗 (SiGe) BiCMOS 特殊工艺技术设计的泰克新型示波器的各项技术指标优于规定要求,实现了新型高性能示波器的设计目标,使多通道带宽达30 GHz以上,同时减小过去芯片组中存在的噪声。
2011-04-11 (多图) 基于0.5μm CMOS工艺的一款新型BiCMOS集成运算放大器设计
为了提高运算放大器的驱动能力,依据现有CMOS集成电路生产线,介绍一款新型BiCMOS集成运算放大电路设计,探讨BiCMOS工艺的特点。
2011-03-30 霍尼韦尔推出微功耗霍尔效应传感器集成电路:SL353系列
明尼阿波利斯- 霍尼韦尔旗下传感与控制部近日宣布推出SL353系列“微功耗全极数字式霍尔效应传感器集成电路”。SL353系列采用BiCMOS IC设计,这是霍尼韦尔的一项新技术,相对双极技术而言,该技术在增添更多性能和功能的同时减小集成电路的尺寸。
2011-02-18 Maxim推出数字环境光传感器
数字环境光传感器(ALS) IC MAX44007/MAX44009。这两款IC采用公司专有的BiCMOS技术设计,在2mm x 2mm x 0.6mm微型封装内集成了两个光传感器、一个ADC和所有必备的数字功能。这种集成特性能够在提供业内最佳性能的同时,节省宝贵的电路板空间。
2011-02-17 Maxim推出低噪声CMOS输入满摆幅运算放大器
MAX9636–MAX9638具有38nV/ 的输入电压噪声密度、0.9fA/ 的输入电流噪声密度和0.1pA输入偏置电流,可以方便地与光电二极管、压电传感器等高阻信号源连接。器件采用Maxim专有的BiCMOS工艺和设计架构,具有小尺寸、低噪声、宽带和低电源电流性能。
2011-01-21 (多图) 全差分BiCMOS采样 保持电路仿真设计
为了解决传统S/H电路失真大和静态工作点不稳定的问题,采用0.25 μm BiCMOS工艺,设计了一款高速率、高精度的10位全差分BiCMOS S/H电路。文中改进型自举开关电路和双通道开关电容共模反馈电路(CMFB)设计具有创新性。
2010-11-12 高压、高精度、低噪声运算放大器
作为Maxim高压、高精度运算放大器产品线的首批器件,MAX9632/MAX9633采用专有的高速互补BiCMOS工艺(CB5HV)设计
2010-11-02 (多图) 一种高精度BiCMOS电流模带隙基准源
本文提出一种新的电流模带隙结构并采用一阶温度补偿技术设计了一种具有良好的温度特性和高电源抑制比,并且能快速启动的新型BiCMOS带隙基准电路。该电路结构简单且实现了低输出电压的要求。
2010-10-19 用于HSPA和LTE等高数据速率无线协议的LNA
Maxim先进的SiGe BiCMOS工艺使得这两款宽带LNA同时具有优异的性能和极为紧凑的封装。器件提供15dB增益,1.0dB的低噪声系数可实现优于分立或CMOS方案的接收灵敏度,工作在I、IV、V、VI、VII和X UMTS频段。
2010-10-19 (多图) 基于BiCMOS宽动态可变增益放大器的设计
本文针对某超外差电视中频接收机芯片中的前置可变增益放大器,构造了一种由稳压源,VGA和控制电路组成的新电路结构。该电路从电源电压、动态范围、带宽等关键指标出发,具有高增益,大带宽等特点,并保证了良好的线性度,而且在控制电路设计中还考虑了噪声分配,提高了电路信噪比。
2010-10-11 带自校准功能的低功耗运算放大器
Maxim专有的BiCMOS工艺和正在申请专利的设计架构使这两款器件具有优异的尺寸、精度、带宽和电源电流性能。
2010-09-29 专为UHF和VHF移动电视应用设计的低噪声放大器
Maxim先进的SiGe BiCMOS工艺使得这两款结构紧凑的宽带LNA的性能优于目前大多数竞争方案。器件提供15dB增益,支持75MHz至230MHz (MAX2665)和470MHz至860MHz (MAX2664)频率范围,具有1.1dB的低噪声系数,能够提供比分立器件和CMOS方案更高的接收灵敏度。
2010-08-27 适用于产生信号的低相噪可编程分频器
HMC862LP3E 和HMC905LP3E 是SiGe 的BiCMOS 工艺SMT 封装的低噪声可编程分频器。HMC862LP3E 输入频率在100MHz~15GHz 时可通过编程进行N=1,2,4,8 分频;HMC905LP3E 输入频率在400MHz~ 6GHz 时可通过编程进行N=1,2,3,4 分频。
2010-08-10 采用200 GHz SiGe技术的高速示波器
泰克公司日前宣布,其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用IBM 8HP硅锗 (SiGe) 技术,再次证明其致力于帮助全球工程师加速未来设计方案的调试与测试工作。130纳米(nm)硅锗双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS) foundry工艺提供了两倍于前代工艺技术的性能,能帮助推出实时带宽超过30 GHz的示波器产品。
2010-07-19 同步高效DC-DC降压转换器
Maxim推出同步高效DC-DC降压转换器MAX8952。器件采用Maxim先进的BiCMOS工艺和封装技术(微型4mm?晶片级封装(WLP)),能够提供2.5A的输出电流。大电流输出能力允许应用处理器工作在最高时钟速率。
2010-07-15 新款带互连、计时器和锁存告警指示灯的标准3V烟雾探测器
Allegro MicroSystems 推出一款全新的低电流 BiCMOS 光电烟雾探测器 IC,该 IC 具有超低待机电流,平均电池寿命长达 10 年。
2010-05-24 50种采用SiGe:C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布推出一系列采用最新SiGe(硅锗)工艺技术开发、针对高频无线电应用的新产品,旨在满足行业对更强大、高性价比和高集成度硅基技术日益增长的需求。
2010-04-19 宽带、多制式硅调谐器
Maxim推出宽带、多制式硅调谐器MAX3543,支持全球范围的混合型电视以及陆地、有线机顶盒设计。器件采用Maxim的高性能BiCMOS工艺,具有业内最佳的调谐性能,标准IF架构确保杂散信号小于-70dBc。
2010-03-19 高线性度SiGe下变频混频器
Maxim推出带有片内LO缓冲器的完全集成、2300MHz至4000MHz、下变频混频器MAX19998。器件采用Maxim专有的单片SiGe BiCMOS工艺设计,在极宽的工作带宽内具有无与伦比的线性度和噪声性能,以及极高的元件集成度。
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