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ESD是什么
自然界中的物质,可经由某种过程而获得或失去电子(例如摩擦或感应起电),这类的电荷即称为静电。当这些正电荷或是负电荷逐渐累积时,会与周围环境产生电位差,电荷若是经由放电路径而产生在不同电位之间移转现象,即称此为静电放电现象,简称为ESD(ElectroStatic Discharge)。
共搜索到267篇文章
2016-02-29 了解ESD标准在汽车电子设计中的重要性
探讨了汽车标准、电路和解决方案的实际应用,以帮助汽车电路设计人员创造出稳健可靠的设计。首先,重点介绍了 ISO 10605 标准对 ESD 的测试要求与 AEC-Q101 标准对汽车市场中所用的分立半导体器件的测试要求。其次,讨论了汽车中需要保护的最常见的电路类型。第三,针对多种汽车应用确定了为确保安全性和可靠性应该在设计阶段早期予以实施的先进的电路保护技术。
2016-01-13 详解前端放大器内部的不同ESD二极管架构
当放大器发生外部过压状况时,ESD二极管是放大器与过电应力之间的最后防线。正确理解ESD单元在一个器件中是如何实现的,设计人员就能通过适当的电路设计大大扩展放大器的生存范围。本文旨在向读者介绍各种类型的ESD实现方案,讨论每种方案的特点,并就如何利用这些单元来提高设计鲁棒性提供指南。
2015-05-14 村田制作所力推新一代陶瓷ESD防护器件 性能提高20%
村田制作所又一技术新突破:力推新一代陶瓷ESD防护器件 性能提高20%.日前,全球领先的电子元器件制造商村田制作所(以下简称村田)推出了其最新研发的陶瓷ESD防护器件。该产品在性能上比上一代产品提高了20%,大大减少了静电带来的损害。
2015-04-22 电路保护器件保护移动设备避免ESD影响
移动设备用户之需求日益复杂,使得便携式产品的设计集成了更多的I/O互连。更高的电流密度和更小的晶体管尺寸,以及用于芯片保护的有限空间,均趋向于增加电子元器件对ESD等瞬态电气过应力事件的敏感性。减少此类瞬态事件的影响,不单有助于防止设备相互“交谈”时导致数据损坏,还可提升总体可靠性。
2015-01-14 CMOS电路中ESD保护结构的设计原理与要求
静电放电是CMOS电路中最为严重的失效机理之一,严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性,研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理,分析了该结构对版图的相关要求,重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。
2014-12-10 Littelfuse推出超低电容TVS二极管阵列
Littelfuse推出超低电容TVS二极管阵列,提供优于其他解决方案的箝位性能和ESD保护,通过紧凑型0201倒装或0402封装保护高速数据线.
2014-11-21 君耀电子:聚焦电路保护三大应用市场
电路保护元器件供应商君耀电子在今年的高交会展上展示了他们全线产品,包括TVS瞬态抑制二极管、ESD静电保护器件、MOV压敏电阻、TSS半导体放电管、GDT陶瓷气体放电管、SPG强效放电管、PTC自恢复保险丝。君耀电子FAE工程师黄永标表示,今年他们的主要市场是汽车、安防、通讯三大应用领域。
2014-10-11 保护可穿戴技术创新的三线电路保护
可穿戴设备将继续挑战设计师,设计师必须确保他们正如预期的那样运行,无论用户的活动水平如何,或他们受ESD瞬变的影响如何。ESD保护器件制造商将继续开发不会干扰可穿戴设备核心功能的保护技术— 有助于可穿戴设备制造商向消费者传递可靠性和价值。
2014-08-27 Littelfuse瞬态抑制二极管阵列系列将ESD保护与共模EMI滤波相结合
Littelfuse公司宣布其瞬态抑制二极管阵列系列将ESD保护与共模EMI滤波相结合,以节省成本和空间在使用高速差分串行接口的系统中消除EMI并提供ESD保护.
2014-08-20 Littelfuse推出低电容型瞬态抑制二极管阵列
Littelfuse公司宣布推出低电容型瞬态抑制二极管阵列,相比同类技术可将箝位电压降低15%.保护差分数据线免受因ESD、CDE、EFT和雷击感应浪涌造成的损害.
2014-06-05 (多图) 几种应用于触摸感应电路的ESD保护结构设计
电容式触摸感应检测按键电路要求具有特别高的ESD保护能力,因此必须采用有效的ESD保护结构。本文列举了二极管加电阻、可控硅整流器和全芯片等3种ESD保护结构。
2014-05-22 新一代直接喷涂有机半导体材料技术
日本发布新一代直接喷涂有机半导体材料技术.新技术有望成为利用“静电喷雾沉积法(ESD)”技术取代真空蒸镀技术以及旋涂法和喷墨法等涂布技术的第三种有机半导体成膜技术。该联盟包括理化学研究所、崎玉大学、康奈可、东丽工程、理研风险公司FLOX等共计8个团体。
2014-05-06 (多图) 半导体器件的电气过应力和静电放电故障——第三部分
遭受ESD应力的IC有着明显的故障特征。高电流会融化半导体结构的不同区域(ESD-HBM),而高电场则会破坏电介质(ESD-CDM)。在本节中,我们将详细介绍ESD/EOS损坏器件的电气和物理分析。
2014-05-05 (多图) 半导体器件的电气过应力和静电放电故障——第二部分
有许多因素都可导致EOS和静电放电(ESD/EOS)产生。设计人员在应用过程中,可能会因瞬变、接地不正确、电源电压与地面之间的低电阻路径、电源引脚或地面短路、内部电路受损等原因出现ESD/EOS现象。
2014-04-29 半导体器件的电气过应力和静电放电故障——第一部分
电气过应力(EOS)和静电放电(ESD)是电子行业面临的重大挑战之一。本文将对EOS/ESD做基本介绍,并谈谈电荷转移机制、ESD测试模型、电气特征和EOS/ESD相关机制,并给出一些故障分析与技术的实例。
2014-04-25 安森美推出低电容低钳位电压ESD保护器件
安森美半导体推出针对下一代接口的低电容、低钳位电压ESD保护器件.经过优化的瞬态电压抑制器(TVS)用于Thunderbolt、USB 3.0/3.1、HDMI 2.0、V-by-One HS及eSATA接口.
2014-02-14 Littelfuse最新SM系列瞬态抑制二极管阵列
Littelfuse最新SM系列瞬态抑制二极管阵列可提供优于类似元件的浪涌和ESD保护,高ESD抵御能力提高了户外设备的可靠性.
2013-12-10 Vishay低外形SMF封装的SMD ESD保护二极管
Vishay新款SMD ESD保护二极管采用SMF封装,可抵御200W高浪涌,器件高度为1mm,具有Low-Noise技术和快速响应时间,适用便携式电子产品。
2013-12-09 (多图) 超小型ESD保护器件在便携设备上的应用
ESD被认为是电子产品质量最大的潜在杀手,影响产品的可靠性,静电防护也就成为电子产品质量控制的一项重要内容。最有效的ESD保护方法是设备的连接器或端口处放置外部保护元件。
2013-11-27 Exar推出4级IEC ESD保护的业界最低功耗容错收发器
Exar推出4级IEC ESD保护的业界最低功耗容错收发器,XR3070-78X芯片工作于3.3V,具有±18V容错能力。
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