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晶体管 什么是晶体管 搜索结果

什么是晶体管
晶体管(英语:transistor)是一种固体 半导体器件,可以用于放大、开关、稳压、信号调制和许多其他功能。晶体管作为一种可变开关,基于输入的电压,控制流出的电流,因此晶体管可做为电流的开关,和一般机械开关(如Relay、switch)不同处在于晶体管是利用电讯号来控制,而且开关速度可以非常之快,在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
共搜索到686篇文章
2016-06-14 MACOM引入全新300W塑封氮化镓功率晶体管
MACOM日前宣布推出其针对大规模固态射频能量商业应用而优化的全新塑封300W硅基氮化镓功率晶体管产品MAGe-102425-300。MAGe-102425-300相比LDMOS产品,能够在效率和功率密度大幅度提高的情况下确保氮化镓性能和硅成本结构。
2016-06-14 揭秘氮化镓(GaN)在无线基站中的应用(上)
用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革,特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动,这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。
2016-06-06 3D-IC 为什么一直无法进入主流市场?
关于摩尔定律将失效的说法不绝于耳,从 20 nm 阶段之前就开始听到,到现在已有 4 年多了。但在实际中,我们又看到了什么呢?事实与这些预测大相径庭。摩尔定律并未失效。可能无法像以前那样自动跳到下一节点,不过我们可以看到有很多公司在进行 20 nm 及以下的设计开发。遵循 2D 晶体管缩放是一种保守的方法。
2016-05-05 采用氮化镓晶体管取得更高功率密度和效率的48V通信直直变换器
本文对比了采用氮化镓晶体管和最新一代MOSFET电路取得的不同效率,同时就电路设计细节和相关测试结果展开了讨论。
2016-04-12 东芝为DMOS FET型漏型输出驱动器推新封装
东芝公司旗下半导体与存储产品公司3月29日宣布,为其搭载DMOS FET[1]型漏型输出(sink-output)[2]驱动器的新一代高效晶体管阵列“TBD62064A系列”和“TBD62308A系列”产品推出新的封装,这些产品已广泛应用于电机和继电器驱动等应用中。
2016-03-01 英特尔14nm工艺技术超前,那晶体管的实际性能如何?
多年以来,英特尔从未放弃过任何吹嘘自己的芯片技术,只是在台积电和三星上位之后收敛了很多。而且,难能可贵的是英特尔竟然没有过度宣传自家的第二代 FinFET 工艺,毕竟其余竞争对手在其 14 纳米问世时,均处于第一代 FinFET 工艺水平。
2016-02-29 GaN Systems CEO:GaN晶体管掀起电源转换市场新革命之全解读
电源转换市场相当可观,达150亿美元。整个世界的计算量正变得越来越大,我们生活中所使用的电子元器件越来越多,并且更多的人需要使用电子产品;为了更谨慎地利用我们的资源,电源转换的效率变得愈加重要。而对于功率半导体来说,这意味着需要有更好性能的革命性解决方案。
2016-02-26 28nm工艺即将跌下神坛,14nm LPP工艺密度翻倍
这几天AMD市场营销总监在推特上隐晦证实了某个Polaris核心会拥有86亿晶体管,再结合之前曝光的核心面积,算起来14nm LPP工艺的晶体管密度相比目前的28nm工艺至少翻倍。
2016-01-05 美研究者将光子元件融入微处理器 首次实现用光线与外部通信
这一处理器采用简化指令组计算机(RISC-V)架构,包含超过7000万个晶体管和850个光子元件,而且是在一座现有芯片工厂内制作,显示出相关工艺与现有生产程序可以兼容。
2016-01-05 氮化镓系统新半桥评估板简化氮化镓晶体管测试
氮化镓系统宣布推出可对其氮化镓增强型功率半导体器件在实际电源电路中的性能进行演示的新型半桥评估板。全功能的GS66508T-EVBHB评估板可以很容易地配置成任何基于半桥的拓扑结构。
2015-07-28 GaN功率组件将在市场上展现重大成功
新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日本NTT基础研究实验室和美国海军研究实验室研究人员组成的国际团队开发的。这一发表在科学期刊《自然·物理》上的最新成果朝着量子计算迈出一大步。
2015-07-24 仅分子大小的晶体管问世,尺寸或达摩尔定律极限
新型晶体管是由德国PDI固体电子学研究所、柏林自由大学、日本NTT基础研究实验室和美国海军研究实验室研究人员组成的国际团队开发的。这一发表在科学期刊《自然·物理》上的最新成果朝着量子计算迈出一大步。
2015-07-01 先进纳米IC设计面临新的寄生电路提取挑战
晶圆代工工艺技术的更新换代使IC设计密度、性能和节能特性得以不断提高,但也为设计人员带来了更多挑战。FinFET晶体管等创新的新工艺特性要求大幅度提高寄生参数提取精度,以通过仿真和分析来验证实体设计的性能。本文将会介绍新的寄生电路提取挑战,并探讨工具技术是如何不断发展以满足新要求的。
2015-06-30 意法半导体推出S系列1200V IGBT绝缘栅双极晶体管
2015年6月25日,意法半导体推出S系列 1200V IGBT绝缘栅双极晶体管。当开关频率达到8kHz时,新系列双极器件的导通和关断综合损耗创市场新低,大幅度提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业电机等类似设备的电源转换效率。
2015-06-17 光耦合器的加速也可降低功耗
影响标准光耦合器速度的主要因素是光电晶体管,其反应速度相对较慢。本文将在LED驱动端添加组件,以提升光耦合器的速度。
2015-05-29 飞思卡尔首款蜂窝移动通信基站专用的氮化镓射频功率晶体管
飞思卡尔推出首款蜂窝移动通信基站专用的氮化镓射频功率晶体管,飞思卡尔已实现该器件的量产,该器件完美结合了高效率、高增益及射频输出功率.
2015-05-20 氮化镓的发展趋势及应用
与硅器件相比,由于氮化镓的晶体具备更强的化学键,因此它可以承受比硅器件高出很多倍的电场而不会崩溃。这意味我们可以把晶体管的各个电端子之间的距离缩短十倍。这样可以实现更低的电阻损耗,以及电子具备更短的转换时间。总的来说,氮化镓器件具备更快速的开关、更低的功率损耗及更低的成本优势。
2015-05-13 世界最薄晶体管:厚度仅相当于3个原子
“世界最薄电子产品”的有力竞争者来了,因为它竟然只有3个原子厚。
2015-04-22 电路保护器件保护移动设备避免ESD影响
移动设备用户之需求日益复杂,使得便携式产品的设计集成了更多的I/O互连。更高的电流密度和更小的晶体管尺寸,以及用于芯片保护的有限空间,均趋向于增加电子元器件对ESD等瞬态电气过应力事件的敏感性。减少此类瞬态事件的影响,不单有助于防止设备相互“交谈”时导致数据损坏,还可提升总体可靠性。
2015-03-23 英飞凌将与松下电器联袂推出常闭型600V GaN功率器件
2015年3月20日,英飞凌科技股份公司和松下电器公司(TSE代码:6752)宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。
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说说TD-SCDMA的经验和教训

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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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