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MOSFET是什么
MOSFET即金属氧化物半导体场效应管(英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”的极性不同,可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常又称为N型金氧半场效晶体管(NMOSFET)与P型金氧半场效晶体管(PMOSFET)。
从目前的角度来看金氧半场效晶体管(MOSFET)的命名,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET里代表金属“metal”的第一个字母M,在当下大部分同类的元件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管的栅极使用金属作为其材料,但随着半导体技术的进步,现代的金氧半场效晶体管栅极早已用多晶硅取代了金属。
金氧半场效晶体管在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET)。而IGFET的栅极绝缘层,有可能是其他物质,而非金氧半场效晶体管使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是金氧半场效晶体管。
金氧半场效晶体管里的氧化层位于其沟道上方,依照其操作电压的不同,这层氧化物的厚度仅有数十至数百埃(?)不等,通常材料是二氧化硅(SiO2),不过有些新的进阶制程已经可以使用如氮氧化硅(silicon oxynitride, SiON)做为氧化层之用。
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2016-05-05 用TrenchFET? IV功率MOSFET系列设计更绿色、更小的电源
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2016-05-05 采用氮化镓晶体管取得更高功率密度和效率的48V通信直直变换器
本文对比了采用氮化镓晶体管和最新一代MOSFET电路取得的不同效率,同时就电路设计细节和相关测试结果展开了讨论。
2016-04-28 RECOM专为碳化硅MOSFETS设计的DC/DC转换器
为了符合下一代MOSFET的严苛要求,RECOM近日推出了两款特别针对碳化硅(SiC) MOSFET的2W DC/DC转换器。由于SiC MOSFET在高频率及高压切换,因此要使其驱动是一个挑战。
2016-04-07 英飞凌面向硬开关应用推出采用超结技术的CoolMOS C7
英飞凌进一步壮大其高压产品组合,推出采用全新650V超结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。
2016-04-07 英飞凌推适合消费类照明应用的最具性价比CoolMOS? CE
CoolMOS?CE是英飞凌市场领先的高压功率MOSFET的技术平台,根据超结原理(SJ)设计,旨在满足消费者的需求。
2016-04-07 OptiMOS? 300 V提高硬开关应用的效率,支持新型设计
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS? 300 V,壮大中压MOSFET产品阵容,树立功率场效应管市场新标准。300V OptiMOS?的发布有助于英飞凌进一步巩固其在通信电源、不间断电源(UPS)、电机控制、工业电源、和DC / AC逆变器等领域的市场领导地位。
2016-04-06 英飞凌新一代CoolMOS?可减少50%的开关损耗
英飞凌科技股份公司推出全新的CoolMOS? C7系列超结(SJ)MOSFET家族。该600 V系列相比CoolMOS? CP可减少50%的开关损耗,在PFC、TTF和其他硬切换拓扑结构中可实现和GaN类似的性能水平。
2016-03-04 凌力尔特推出降压型微型模块稳压器,集成了散热器
凌力尔特公司推出双输出 25A 或单输出 50A 降压型微型模块 (?Module?) 稳压器 LTM4650,该器件内置了屏蔽的电感器、MOSFET 和两个 DC/DC 稳压器 IC,全放在一个小型耐热性能增强型塑料封装中。
2016-02-18 凌力尔特推出四输出多相降压型 DC/DC 控制器,输出电流可高达260A
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2015-11-16 教你看懂MOSFET数据表
本文将试着破解FET数据表,这样的话,读者就能够很轻松地找到和辨别那些对于他们的应用来说,是最常见的数据,而不会被不同的生产商为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。
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NCP4305 是高性能的次级同步整流驱动控制器,能有效地控制和驱动用作次级端整流的MOSFET,用于要求高能效的开关电源(SMPS)设计中如笔记本电脑适配器、USB无线适配器、液晶电视和伺服器电源、高电平脉冲电源适配器等高功率密度AC-DC电源。
2015-09-07 高集成度IC+算法快速实现快速充电和电子烟设计
电源管理芯片厂商提供高集成度的解决方案以及算法可以加快客户的产品设计,并且能够避免遇到发热和电磁干扰等等问题。同时,人体信号非常微弱,用于人体信号检测的光传感器需要做到高灵敏度。日前,力智电子在IIC China 2015展会(电子工程盛会)上带来了快速充电(包括车载和移动电源等)和电子烟解决方案,以及MOSFET和可用于可穿戴设备的光传感器等产品。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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