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FET 场效应晶体管FET 搜索结果

场效应晶体管FET
场效应晶体管(英语:field-effect transistor,缩写:FET)是一种通过电场效应控制电流的电子元件。
它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应晶体管有时被称为单极性晶体管,以它的单载流子型作用对比双极性晶体管(bipolar junction transistors,缩写:BJT)。尽管由于半导体材料的限制,以及曾经双极性晶体管比场效应晶体管容易制造,场效应晶体管比双极性晶体管要晚造出,但场效应晶体管的概念却比双极性晶体管早。
FET组成
FET由各种半导体构成,目前硅是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造,使用单晶半导体硅片作为反应区,或者沟道。
大部分的不常见体材料,主要有非晶硅、多晶硅或其它在薄膜晶体管中,或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于有机半导体,常常用有机栅绝缘体和电极。
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2016-04-12 东芝为DMOS FET型漏型输出驱动器推新封装
东芝公司旗下半导体与存储产品公司3月29日宣布,为其搭载DMOS FET[1]型漏型输出(sink-output)[2]驱动器的新一代高效晶体管阵列“TBD62064A系列”和“TBD62308A系列”产品推出新的封装,这些产品已广泛应用于电机和继电器驱动等应用中。
2015-11-16 教你看懂MOSFET数据表
本文将试着破解FET数据表,这样的话,读者就能够很轻松地找到和辨别那些对于他们的应用来说,是最常见的数据,而不会被不同的生产商为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。
2015-11-04 GaN FET与硅FET的比较
RF GaN是一项已大批量生产的经验证技术,由于其相对于硅材料所具有的优势,这项技术用于蜂窝基站和数款军用/航空航天系统中的功率放大器。在文中,我们将比较GaN FET与硅FET二者的退化机制,并设计出波形监视方案。
2015-07-07 什么是负载开关,为什么需要负载开关?
集成负载开关是可用于开启和关闭电源轨的集成电子继电器。大部分基本负载开关包含四个引脚:输入电压引脚、输出电压引脚、使能引脚和接地引脚。当通过ON 引脚使能器件时,导通FET 接通,从而使电流从输入引脚流向输出引脚,并且电能传递到下游电路。
2015-02-15 氮化镓(GaN)技术将带给我们怎样未来?
氮化镓场效应晶体管(FET)可以分立晶体管和单片半桥的形式来供应,其性能要比目前最好的商用硅MOSFET好10倍。但是,当许多设备被整合在一起来开发系统单芯片时,会发生什么事呢?而当这种芯片的性能要比硅芯片好上100倍时,又会发生什么事呢?
2014-10-14 凌力尔特推出FET输入单路和双路运算放大器
2014年9月29日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 FET 输入单路和双路运算放大器 LTC6268 和 LTC6269,这两款器件为高速和大动态范围跨阻抗放大器 (TIA) 以及缓冲器应用提供了卓越的性能。.面向 TIA 和缓冲器应用的毫微微安偏置电流运放,可实现 500MHz 增益带宽.
2014-08-19 具数字接口的双输出DC/DC控制器
2014 年8月14日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具串行数字接口的双输出多相同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3882。该器件采用前沿调制电压模式控制以实现超卓的瞬态响应,并采用具非常低 DCR (0.25mΩ) 的电感器工作,从而实现了较高的效率和每输出相位高达 40A 的电流。兼容的功率链器件包括 DrMOS、电源模块或分立式 FET 驱动器以及相关联的 N 沟道 MOSFET。具数字接口的双输出 DC/DC 控制器,采用 0.25mΩ 检测电阻工作.
2013-12-26 高效的以太网供电解决方案降低了总体成本
LTPoE++供电设备(PSE)采用了更智能的PSE隔离体系结构,以减少元器件数量。全面的电缆放电保护和80V绝对最大值的引脚保证了现场工作的高可靠性。采用外部FET使散热性能可满足应用需求,提高了系统效率,增强了长期可靠性。
2013-09-18 DIALOG推出业内首个10W功率双极晶体管的数字脉宽调制控制器
DIALOG 半导体有限公司 PWM 控制器降低智能手机电源BOM成本和待机功耗.iW1679数字AC/DC PWM控制器首度以低成本BJT取代5V/2A适配器和充电器中的FET.
2013-06-27 恢复反激变压器的漏泄能量
对正向转换器上变压器消磁的传统方式是,采用第二个绕组,它与初级绕组双线绕制,这样当功率开关切断时,就可以确保磁化电流持续流过。这种电路一般会将场效应晶体管(FET)的漏源电压限制或箝位在两倍于直流电源轨电压。这种采用恢复绕组的技术同样可以成功地用于反激结构中,以解决漏电感的问题。
2013-04-11 (多图) 用eGaN FET砖式转换器改进电源
隔离型砖式转换器广泛地应用于电信系统,为网络设备提供工作电源。这些砖式转换器可以提供各种标准尺寸和输入/输出电压范围。它们中大多数可以在2:1甚至高达4:1的大输入电压范围内工作。
2013-03-08 TI推出35 V单通道输出级电源管理栅极驱动器
德州仪器栅极驱动器旨在满足 IGBT 与 SiC FET 设计需求,单通道 2.5A/5A 栅极驱动器支持再生能源与工业应用,进一步壮大 TI IGBT 及宽带隙驱动器产品系列.
2013-03-04 向前迈进 eGaN FET全新市场及应用分析
他们尝试利用具备更高击穿电压及更高效电源转换性能的氮化镓晶体管来替代硅MOSFET器件,其目标是开发出可以在严峻环境下工作并具备更高性能的电子器件。宜普电源转换公司(EPC)于2010年为电源转换市场开发出了第一代增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。
2013-03-04 麦瑞半导体新集成FET直流-直流降压稳压器
麦瑞半导体新型集成FET直流-直流降压稳压器系列产品为12V满幅输入提供优化成本和最高性能.
2013-03-01 麦瑞半导体推出最新集成MOSFET降压稳压器
麦瑞半导体新型集成FET直流-直流降压稳压器系列产品为12V满幅输入提供优化成本和最高性能.
2012-11-19 (多图) 地层测试评价仪液压泵驱动电机在线监控系统
地层测试评价仪(Formation Evaluation Tool,FET)是中海油田服务股份有限公司引进澳大利亚CROCKER公司技术而开发和制造的新一代地层测试评价系统。其在地层压力测试、地层流体取样分析等方面起到了重要作用。液压泵驱动电机是FET的重要组成部分,用于驱动仪器液压泵,提供液压动力完成仪器的各项机械动作。介绍了一种基于CAN总线设计的液压泵驱动电机在线监控系统,很好地解决了150℃高温环境下电机的控制与运行状态监测问题,有效地保证了系统的稳定运行。
2012-10-25 TI推出微型高侧负载开关
德州仪器推出支持电平位移与压摆率控制的最灵活PFET高侧负载开关,电源开关提供最大电压范围,可替代分立式 FET 开关
2012-10-09 坚固 紧凑型ORing FET控制器
高性能模拟混合信号半导体设计和制造厂商Intersil公司今天宣布,推出以最小功率耗散提供电源冗余和保护的坚固、紧凑型ORing FET控制器。
2012-09-29 将光电FET光耦用作一个线性压控电位器
光电FET可以用作一只可变电阻,或与一只固定电阻一起用作电位器。H11F3M光电FET有7.5kV的隔离电压,因此能够安全地控制高压电路参数。
2012-08-28 设计一款超低噪声的S频段放大器
工程师们一般都把RF低噪声放大器设计视为畏途。要在稳定高增益情况下获得低噪声系数可能极具挑战性,甚至使人畏惧。不过,采用最新的GaAs(砷化镓)异质结FET,可以设计出有高稳定增益和低于1dB噪声系数的放大器(参考文献1)。本设计就讲述了一个有0.77dB噪声系数的低噪声放大器。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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