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Flash 快闪存储器Flash 搜索结果

快闪存储器Flash
快闪存储器(英语:Flash Memory),简称闪存,是一种电子式可清除程序化只读存储器的形式,允许在操作中被多次擦或写的存储器。这种科技主要用於一般性资料储存,以及在电脑与其他数位產品间交换传输资料,如记忆卡与随身碟。快闪记忆体是一种特殊的、以大区块抹写的EEPROM。早期的快闪记忆体进行一次抹除掉就会清除掉整颗晶片上的资料。
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2016-04-13 Flash芯片你都认识吗?
在现在琳琅满目的电子市场上,Flash总类可谓繁多,功能各异,而你对它了解有多少呢?
2016-03-09 研华与Intel Security携手,打造工业级固态硬盘--SQFlash
嵌入式计算解决方案领导厂商研华科技近日宣布,会与Intel Security联手将McAfee杀毒软件引入研华工业存储产品--SQFlash安全包。研华SQFlash包含工业级SSD、CF卡和多尺寸存储卡,具有丰富的安全特性,例如Flash Lock、安全ID、紧急擦除。
2016-03-07 基于DSP芯片的音频信号滤波系统设计
介绍了基于 TMS320C5416DSP芯片的音频信号滤波系统,结合音频编解码TLV320AIC23芯片,FLASH存储器等实现语音录放器硬件的设计;接着以 CCS环境下的C语言为软件设计。将语音信号输入后,经AIC23进行采样后保存在外扩存储器中,再经过DSP带缓冲串口MCBSP 2读入DSP,经过FIR滤波器滤除信号中的噪声,最后进行离散傅里叶快速变换。
2015-08-28 浅谈闪存控制器架构
分析闪存控制器的架构,首先得了解SSD。一般来说SSD的存储介质分为两种,一种是采用闪存(Flash芯片)作为存储介质,另外一种是采用DRAM作为存储介质。我们通常所说的SSD就是基于闪存的固态硬盘,其采用FLASH芯片作为存储介质。SSD的基本组成结构包括Flash颗粒和Flash控制器,Flash控制器中有芯片,负责Flash的读写、磨损均衡、寿命监控等等。
2015-07-30 比NAND快1000倍的3D Xpoint储存器技术是如何实现的?
英特尔和美光科技透露了3D Xpoint记忆芯片,称它比Flash记忆芯片更快(速度提升1000倍),能比DRAM芯片储存更多数据(但没DRAM快),功耗比两者都低。3D Xpoint被认为是记忆芯片领域的一大突破,但也有研究人员质疑它们是在炒作。Flash芯片对现有的智能手机和PC已足够用了,但大数据、云计算以及高清视频游戏将会受益于更快的3D Xpoint芯片。
2015-07-07 使用FPGA器件最大限度地降低高速DSP密集型系统设计的功耗
基于flash的 FPGA技术不只是减少静态功耗,而是减少总体功耗,正是实现下一代高速DSP密集型系统设计的重要因素,这些设计要求必需在不断缩小的外形尺寸中提供高算法性能,并具有尽可能低的功耗。
2015-06-23 DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限 MRAM、ReRAM接班?
DRAM和NAND Flash微缩制程逼近极限,业界认为下一代存储器“磁电阻式随机存取存储器”(MRAM)、“可变电阻式存储器”(ReRAM)可能即将现身,要以更快的存取速度横扫市场。
2015-05-13 基于ARM7软中断程序的设计
本文以ARM7内核的MCU LPC2458在片外FLASH上运行程序时,采用SWI软中断的方法实现同时写片外FLASH的例子,详细讲述ARM7内核的MCU如何设计SWI软中断程序的流程、方法和应用原理。
2015-05-04 2016年3D V-NAND市场扩大10倍 企业竞争激烈
在存储器芯片市场上,垂直堆叠结构的3D V-NAND Flash比重正迅速扩大,全球企业间的竞争也将渐趋激烈。
2015-02-04 DDR4或将引领新一轮存储变革
动态随机存取内存(Dynamic Random-Access Memory,DRAM)是常见的内存组件。在处理器相关运作中,DRAM经常被用来当作数据与程序的主要暂存空间。相对于硬盘或是闪存(Flash Memory),DRAM具有访问速度快、体积小、密度高等综合优点,因此广泛的使用在各式各样现代的科技产品中,例如计算机、手机、游戏机、影音播放器等等。
2015-01-28 快闪存储器储存阵列市场渗透率成长强劲
市场研究机构IDC最近发布的一份报告指出,快闪记忆体储存阵列的市场渗透率正在快速成长;该份报告显示,包括全快闪记忆体阵列(all-flash arrays,AFA)以及混合快闪记忆体阵列(hybrid flash arrays,HFA)在内的全球快闪记忆体阵列市场规模,在2014年可达113亿美元。
2014-10-20 NAND Flash厂 Q4产能大火拼
NAND Flash明年将是杀戮战场?由于全球最大NAND Flash厂三星电子西安厂正式投产,并宣布开始量产128Gb 3D V-NAND晶片,东芝及新帝(SanDisk)联军为了维持市占率,已决定加快日本Fab5第2期量产,而SK海力士、美光、英特尔等也开始拉高产能因应激烈竞争。NAND Flash厂军备竞赛在第4季全面开打,业界对明年市况感到忧心,供过于求问题恐导致跌价幅度大于今年。
2014-10-20 4大阵营军备战火 烧到3D NAND
NAND Flash由平面2D制程走向3D制程的军备竞赛,随着三星10月9日正式宣布量产32奈米32层的128Gb 3D V-NAND晶片后,正式揭开序幕,包括东芝/新帝、SK海力士、美光/英特尔等均将在2015年开始投产3D NAND。业者指出,3D NAND单颗晶片容量快速拉高且价格便宜,明年NAND Flash价格跌势难止。
2014-10-14 下代MRAM首次亮相:快7倍
近日,日本TDK首次展示了新型存储技术MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash闪存。MRAM全称磁阻随机访问内存,已经存在一段时间了,但是TDK将其带到了一个新的高度。它以磁荷为数据存储介质,而它的名字来自自旋传输矩,也即是写入数据的时候利用电子角动量来改变磁场。
2014-09-11 (多图) 村田嵌入式Wi-Fi模块推动产品智能化
用于通讯产品的Wi-Fi模块,因为终端产品具有强大的CPU和Flash进行数据处理和存储,因此在使用Wi-Fi时不需要额外的MCU。但是用于家电,仪表,LED灯等产品的Wi-Fi模块,因为终端产品的MCU和Flash都无法支持Wi-Fi的功能,因此需要额外的MCU和Flash进行数据处理和存储。
2014-09-10 (多图) 基于FPGA的SOC设计与实现
本文通过对基于ARM7的SOC系统的设计,介绍了一种Flash结构的FPGA器件及其片上系统的设计方法,进而给出了两种验证该片上系统准确性的方法,通过实际验证,该系统不仅能准确进行片外存储器的擦写,而且可以准确进行外设接口的读写的操作,由此验证了设计的准确性。
2014-08-29 移动存储器的发展迎春天
JEDEC固态技术协会(Solid State Technology Association)日前公布新一代行动记忆体规格 JESD209-4 LPDDR4,号称其速度是前一代LPDDR3的两倍。由于智能型手机、平板计算机等行动装置需求稳健成长,固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加,而物联网应用也将逐渐导入NAND Flash,2015年NAND Flash整体产业规模将提升至266亿美元,年成长9%。NAND与DRAM朝3D发展。
2014-08-26 笙科发表2.4GHz 2Mbps无线收发SoC芯片- A8125
笙科电子(AMICCOM)于2014年8月发表 2.4GHz 无线收发SoC芯片,为私有协议收发 SoC ,命名为A8125。A8125的传输速度高达2Mbps,支持FSK与GFSK调变,数字部份整合高效能的1T Pipeline 8051,内建16Kbytes Flash Memory、2KBytes SRAM,与24/16个GPIO与各种数字接口。2线式的ICE可搭配Keil C开发。
2014-08-26 笙科发表2.4GHz 10dBm 2Mbps无线收发SoC芯片-A8137
笙科电子(AMICCOM)于2014年8月发表 2.4GHz 10dBm 无线收发SoC芯片,命名为A8137。A8137为A8125的加强版,RF效能与A8125相同,但输出功率最大为+ 10dBm。A8137的传输速度高达2Mbps,并支持FSK与GFSK调变,数字部份整合高效能的1T Pipeline 8051,内建16Kbytes Flash Memory、2KBytes SRAM,与24/16个GPIO与各种数字接口。2线式的ICE可搭配Keil C开发。
2014-08-06 笙科新一代高整合Zigbee/RF4CE无线射频收发SoC芯片A8153
2014年8月4日,笙科电子(AMICCOM)于2014年8月发表新一代高整合Zigbee/RF4CE无线射频收发SoC芯片A8153,该芯片RF部份是依Zigbee PHY层与MAC层的2.4GHz 射频设计,并整合高效能的1T Pipeline 8051 MCU,内建32Kbytes Flash、2Kbytes SRAM,配备UART、I2C与SPI 等数字接口,2个Channel的PWM输出,并提供2线式的ICE界面,并可使用Keil C开发与除错。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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