EDN China首页 > 高级搜索 > 超高压

超高压 超高压定义 搜索结果

超高压定义

中文名称:超高压
英文名称: extra-high voltage,EHV
定义:电力系统中330 kV及以上,并低于1000 kV的交流电压等级。
共搜索到18篇文章
2016-04-07 英飞凌面向硬开关应用推出采用结技术的CoolMOS C7
英飞凌进一步壮大其高压产品组合,推出采用全新650V结MOSFET技术的CoolMOSTM C7。全新的C7产品家族针对所有标准封装实现了一流的通态电阻RDS(on)。
2015-05-25 陶瓷电容器在高压下有效容值的最大化
陶瓷电容器基本可划分为两大类:稳定的2级电介质,包括X7R、X5R和X8R,以及稳定的1级电介质,包括C0G/NP0。实际上还存在3级电介质,但是这种极少用到。电介质的类型决定了它们的性能特色,电路设计工程师据此可视应用的具体情形预测电路性能。
2013-09-26 Maxim 推出同步整流DC-DC降压转换器
Maxim Integrated推出高效率、高可靠性60V、2.5A DC-DC稳压器,面向工业控制和自动化应用。Maxim Integrated的高压稳压器有效降低热耗、提高可靠性;方案尺寸减小50%、元件数量减少75%。
2012-05-09 (多图) 串联补偿电容器在高压输电系统中的应用
在输电线路上采用串联补偿装置(以下简称“串补装置”)来提高系统的稳定输送容量,改善线路电器参数,实现2条线路输送3条线路的功率,既提高了传输功率又节省了投资。
2012-04-17 Vishay发布低外形封装的高性能SMD雪崩整流器BYG23T
日前,Vishay Intertechnology宣布,推出新款采用DO-214AC封装的高压快表面贴装雪崩整流器---BYG23T。
2012-03-22 Maxim摆幅复用器和开关系列产品,有效简化高压信号切换应用的供电
Maxim推出±25V摆幅模拟复用器(MAX14778)和模拟开关(MAX14759–MAX14764),能够在3V至5.5V电源供电条件下切换/复用较宽范围的信号。
2011-11-30 Power Integrations推出最新LED驱动器设计DER-297
世界上效率最高、使用寿命最长的离线式LED驱动器IC的制造商Power Integrations公司日前发布了一款新的参考设计(DER-297),是针对B10型LED灯泡设计的高效率、紧凑驱动器。该电源基于Power Integrations的LinkSwitch-PL系列非隔离单级LED驱动器IC设计而成,特别适用于高压LED应用,例如Cree最近推出的XLamp XM-L和XLamp XT-E系列LED产品。DER-297可提供LED所要求的高压输出,并通过降低驱动电感和输出二极管内的电流所造成的功耗来提升整体系统效率。
2011-06-29 IR推出PQFN 4mm x 4mm封装
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其封装系列,推出PQFN 4mm x 4mm封装。IR最新的高压栅级驱动IC采用该封装,为家用电器、工业自动化、电动工具和替代能源等一系列应用提供了紧凑、高密度和高效率的解决方案。
2011-02-15 基于RTDS的高压线路保护装置的试验研究
本文介绍高压线路保护装置动模测试的模型及要求的同时,着重分析了当前高压线路保护装置研究的几个难点,并就此给出了我们在研制新一代高压线路保护产品DF3621中的处理策略和方法。
2010-09-29 超高频(UHF)射频功率晶体管发布
恩智浦50V高压LDMOS工艺技术和先进的热管理概念为BLF888A带来了卓越的性能表现,实现了前所未有的功率密度和0.15K/W低热阻新突破。借助BLF888A晶体管,广播设备制造商可以对现有以及新装的发射机系统实施优化,提高产品性能,降低总拥有成本。此外,BLF888A与BLF881驱动器晶体管优化整合可以满足全系列功率放大器产品需求。
2009-09-14 Maxim推出带复位功能的微功耗汽车线性稳压器
日前,Maxim推出带有复位输出的低静态电流、高压线性稳压器MAX16910。这款200mA线性稳压器仅消耗20?A (典型值)静态电流,延长了不间断的汽车电源应用中的电池使用寿命。
2009-08-13 LTC3857/-1 : 双路输出高效率同步 DC/DC 控制器在电池供电系统中仅消耗 50uA 电流
低静态电流、两相双路输出同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3857/-1在单路输出工作时仅消耗 50uA 电流,而当两路输出都启动时则消耗 80uA 电流。两个输出都停机时,LTC3857/-1 仅消耗 8uA 电流。这个器件非常适用于汽车应用,在这类应用中,一或两个电源在备用模式仍然保持工作。LTC3857/-1 的 4V 至 38V 输入电源范围足够宽,可使该器件免受汽车高压瞬态影响、在冷车发动时继续工作并覆盖宽的电池化学组成范围。
2009-06-19 英飞凌推出兼具结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS MOSFET
日前,在中国国际电源展览会上,英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。
2009-05-08 Diodes推出高压SBR整流器系列的第一款器件
近日,Diodes公司推出高压势垒整流器 (Super Barrier Rectifier,简称SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。该系列采用热效率和紧凑的专有PowerDI5封装,具有卓越的超低热阻,使SBR10U200P5能以减少40%的占位面积,实现双倍的功率密度。
2008-11-19 纤巧和高压的 LDO 具 3uA IQ
凌力尔特推出高压、微功率、基于 PNP 的 LDO 系列最新成员 LT3008,该器件具有仅为 3uA 的低静态电流。
2007-01-04 高压输电线路绝缘子的可靠性评价
文章提出和论述了评价高压(EHV)输电线路绝缘子可靠性的五项准则:寿命周期、失效率、失效检出率、事故率和可靠性试验。并由此得出结论:为提高EHV输电线路的可靠性,应优先采用玻璃绝缘子,集中力量研制复合绝缘子,加大改造力度以提高瓷绝缘子的制造水平。
2005-01-03 新型功率MOSFET驱动LCD背光照明
飞利浦半导体多重市场半导体部门最近推出新型功率MOSFET,该产品主要应用于LCD TV和 LCD 监视器的背光逆变器以及投影仪和背投电视的高压(UHP)气体放电灯逆变器。这些新型功率 MOSFET采用了飞利浦TrenchMOS技术,同时提供超高转换速度和超低RDS(on)值,将转换损耗和直流电损耗降至极低,达到逆变器高效运行所需。
2004-09-01 天津中环半导体工业园开工
被国家发展和改革委员会列为"高技术产业化示范工程"、被天津市政府列为2004年重点工程建设项目的"快恢复高压硅堆高技术产业化示范工程"暨中环半导体工业园举行了开工仪式。
今日焦点
说说TD-SCDMA的经验和教训

说说TD-SCDMA的经验和教训

2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


打开微信“扫一扫”,打开网页后点击屏幕右上角分享按钮

1.扫描左侧二维码
2.点击右上角的分享按钮
3.选择分享给朋友
数据手册相关热门搜索

每月定期向您递送电子元器件规格书网中的最新元器件数据手册下载、库存信息及技术参数更新。请点击订阅:

《微波及射频》

5G网络在提供1Gbps至10Gbps吞吐量方面具有很好的前途, 并且功耗要求比今天的网络和手机都要低,同时还能为关键应用提供严格的延时性能。
热门小组
有问题请反馈