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IGBT IGBT是什么,什么是IGBT 搜索结果

IGBT是什么,什么是IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
共搜索到239篇文章
2016-06-06 带磁感双向通信、可同时驱动IGBT和MOSFET的SCALE-iDriver问世
非我发明(Not-Invented-Here,NIH)对所有不是自己发明的创意,都持有偏见。每个团队、每个小组、每家公司在某种程度上都会面对NIH,而工程师和科学家是最糟糕的NIH从业人员。
2016-05-24 Mentor Graphics 推出独特的 MicReD Power Tester 600A 解决方案,用于解决电动和混合动力车 IGBT热可靠性问题
Mentor Graphics公司宣布推出全新的 MicReD? Power Tester 600A 产品,其在功率循环中能测试电动和混合动力车 (EV/HEV) 的功率半导体器件的可靠性。
2015-12-30 详解三种IGBT驱动电路和保护方法
本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大,以驱动IGBT,保证IGBT的可靠工作。驱动电路起着至关重要的作用。
2015-12-16 功率循环测试助力车用IGBT性能提升
本文主要描述结合功率循环测试和热瞬态测试的测量研究,在此试验中主要是利用功率循环测试造成组件故障,同时在不同的稳态之间进行热瞬态测量,用以确定IGBT样品的故障原因。这类型的测试能适当协助重新设计模块的物理结构,此外根据需求,它还可以模拟热机械应力的输入。
2015-12-04 执行功率循环测试以分析汽车 IGBT 芯片中的材料性能下降
汽车功率电子(例如 IGBT)必须设计为可达到数千小时的工作时间和上百万次功率循环,承受高达 200 °C 的温度。可靠性尤其关键,而故障成本可能是很大的问题。随着工业电子系统对能量需求的增加,汽车功率电子设备和元器件供应商面临着提供汽车OEM厂商所需的高可靠性系统的挑战。
2015-09-23 电动汽车逆变器用IGBT驱动电源设计研究
介绍一种分布式驱动电源设计,以英飞凌汽车级IGBT模块HybridPACK2为适配目标,采用常见的非专用芯片进行电路设计,前级SEPIC电路实现闭环,后级半桥电路实现隔离。给出设计原理图,核心器件计算选取,以及测试结果。该驱动电源具有低成本低噪声的优点,其核心电路广泛适用于100kW以上的大功率新能源乘用车逆变器的IGBT驱动。
2015-06-30 意法半导体推出S系列1200V IGBT绝缘栅双极晶体管
2015年6月25日,意法半导体推出S系列 1200V IGBT绝缘栅双极晶体管。当开关频率达到8kHz时,新系列双极器件的导通和关断综合损耗创市场新低,大幅度提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业电机等类似设备的电源转换效率。
2015-06-25 英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片
英飞凌推出全新可控逆导型IGBT芯片,可提高牵引和工业传动等高性能设备的可靠性.
2015-06-17 Fairchild 大幅降低其第四代650V和1200V IGBT损耗
Fairchild大幅降低IGBT损耗,助力工业和汽车应用中效率的提升.Fairchild将在PCIM Asia上介绍如何通过打破硅“理论上”的限制来将IGBT 开关损耗降低30%.
2015-06-16 英飞凌推出新款Advantage系列 IGBT产品
英飞凌推出新款Advantage系列 IGBT产品,为逆变焊机的持续发展注入动力.
2015-06-11 常用的功率半导体器件汇总
电力电子器件(Power Electronic Device),又称为功率半导体器件,用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安,电压为数百伏以上)电子器件。可以分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件,其中晶闸管为半控型器件,承受电压和电流容量在所有器件中最高;电力二极管为不可控器件,结构和原理简单,工作可靠;还可以分为电压驱动型器件和电流驱动型器件,其中GTO、GTR为电流驱动型器件,IGBT、电力MOSFET为电压驱动型器件。
2015-05-29 Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器在小尺寸逆变器中有效节省空间
Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器在小尺寸逆变器中有效节省空间,器件的高度为2.5 mm,具有高隔离电压,可用于电机驱动、可替代能源和其他高压应用.
2015-05-27 ADI推出ADuM4135隔离式IGBT栅极驱动器
Analog Devices, Inc.(ADI),全球领先的高性能信号处理解决方案供应商,最近推出ADuM4135隔离式IGBT栅极驱动器,其可提高工业电机控制应用的电机能效、可靠性和系统控制性能。
2015-02-13 英飞凌推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT
2015年2月6日 – 英飞凌科技股份公司近日推出新型低饱和压降VCE(sat) IGBT。此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源 (UPS) 以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系列基于 TRENCHSTOP5 薄晶片技术,使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。英飞凌推出新型 IGBT,将工作在 50Hz 至 20kHz 下的总功耗成功降至最低水平.
2015-01-09 (多图) 透过IGBT热计算来优化电源设计
本文将阐释怎样量测两个组件的功率耗散,使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温及峰值结温。
2014-12-19 Vishay Trench PT和FS IGBT平台降低传导损耗和高频开关损耗
Vishay Trench PT和FS IGBT平台降低传导损耗和高频开关损耗,600V和650V IGBT具有低 VCE(ON) 、快速和软开关特性,可用于电机驱动、UPS、太阳能电池和焊接逆变器.
2014-12-16 意法半导体推出全新M系列1200V IGBT
意法半导体(ST)推出全新M系列IGBT,有效提升太阳能及工业电源的能效和可靠性.
2014-12-15 IR推出坚固耐用的600V车用IGBT产品
IR为混合动力汽车和电动车推出坚固耐用的600V车用IGBT产品AUIRGP66524D0和AUIRGF66524D0。
2014-12-04 谈谈最近电子行业收购与被收购的事儿
功率器件在我国还属于朝阳产业,就其在中国发展的历程来看,从20世纪50年底的可控硅SCR发展到80年代的较为成熟的绝缘栅双极晶体管IGBT,发展时间较短。就其增长速度来看,市场规模增长速度较快,高于我国制造业的平均增长速度,并已经成为了全球最大的功率器件市场。
2014-12-04 功率器件行业面临的风险
功率器件在我国还属于朝阳产业,就其在中国发展的历程来看,从20世纪50年底的可控硅SCR发展到80年代的较为成熟的绝缘栅双极晶体管IGBT,发展时间较短。就其增长速度来看,市场规模增长速度较快,高于我国制造业的平均增长速度,并已经成为了全球最大的功率器件市场。
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2000亿元永远收不回的投资,换来一张五年就停止发展的TD-SCDMA网,而所谓自主知识产权比例饱受争议。蛮力改写科技产业路线,失败作结。[详细]


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