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英特尔开发超低功耗制程延长移动设备的电池使用时间

2005年09月22日 ?? 收藏0

  当前,英特尔公司正致力开发其高性能65 纳米(nm)逻辑制程的超低功耗版,以支持面向移动平台和小型设备的超低功耗芯片的生产。这种超低功耗制程将会是英特尔第二代基于65 纳米制造技术的芯片制程。

  英特尔65 纳米(1 纳米是 1 米的十亿分之一)高性能制程较英特尔当前行业领先的 90 纳米制程在功耗和性能方面双双胜出。英特尔此种超低功耗65纳米的工艺制程为英特尔芯片设计人员提供了更多选择,以满足电控设备用户对于电路密度、性能及功耗的各种需求。

  英特尔移动平台事业部副总裁兼总经理 邓慕理(Mooly Eden) 表示:“人们渴望拥有能最大限度延长电池使用时间的移动平台,此类产品将借我们的新型超低功耗制程得到显著增强。同时,我们将设计未来的移动平台,以充分利用这两种领先 65 纳米制程的强大优势。”

  降低芯片功耗的因素之一便是改进晶体管的设计,这一点对于移动设备和电控设备来说尤为重要。这些微小晶体管即使是在“关闭”状态下,也会出现的漏电现象,对于整个行业也是一个巨大挑战。

  英特尔高级院士兼制程架构与集成部门总监Mark Bohr这样讲到:“当

前某些芯片上晶体管数目已超过十亿,很明显,单个晶体管的改进能够为整台设备带来数倍的性能提升。对采用英特尔超低功耗65纳米制程技术的芯片作测试表明,通过利用我们的标准制程,晶体管渗漏问题降低了大约1000倍。这就为采用此项技术的设备用户大大节省了功耗。”


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英特尔? 超低功耗制程? 移动设?

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