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集设计，开发和全球销售的功率半导体供应商万国半导体有限公司(AOS)，日前向全球发布AON7932。该产品应用了PairFET专利技术，将上桥和下桥两个MOS管集成到DFN3X3的小封装里，实现了30V状态下的高密度功率输出。
新的PairFET专利技术提供的高功率输出的功能将广泛应用于直流/直流条件下的各种领域，主要包括：网络point-of-load (POL) 转换器，高性能服务器,笔记本、台式机、一体机电脑、和显卡等领域。
AOS在DFN封装（DFN5x6 和 DFN3x3）内置上下桥两个MOS管的技术上有独到之处，AON7932只是本公司系列产品中的一种。这种产品可以在小尺寸电路板的设计上给设计者提供更多的方案选择性和更好的性能表现。AON7932的针脚有独特的设计，一边是输入端，另一边是输出端，这样的针脚排列会简化PCB 的layout和节省空间。
AOS低压MOSFET产品线总监Peter Wilson介绍：“AON7932 PairFET 与现行分立式解决方案相比具有明显的优势。在负载为3A，效率仍保持在90%以上，以一片DFN3x3的封装，实现了外挂两颗MOSFET的功能，同时大大节省了空间。这种内置双MOS的结构在布线中会减少PCB走线寄生电感的产生，从而增加效率。设计师可以方便快捷的设计出符合他们需求的方案。”
AON7932出厂时会100%检测Rg和UIS，符合2002/95/EC无铅规范和IEC 61249-2-21规定的无卤规范。
Device Specification Table
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| RDS(ON) | RDS(ON) |
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HS | 30 V | ±20 V | 30 mΩ | 26 mΩ | 2.3 nC | 26 A | 15 A |
LS | 30 V | ±12 V | 15 mΩ | 35 mΩ | 9 nC | 35 A | 22 A |
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